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TC1016
80 mA时,微小的CMOS LDO具有关断
特点
节省空间的5引脚SC- 70和SOT -23
套餐
极低的工作电流为长
电池寿命: 53 μA (典型值)。
非常低压差
额定80毫安输出电流
仅需1 μF陶瓷输出电容
高输出电压精度:
±0.5%
(典型值)。
10微秒(典型值)唤醒从SHDN时间
节能关断模式: 0.05 μA (典型值)
过流和过热保护
引脚兼容升级双极型稳压器
概述
的TC1016是一种高精确度(通常为± 0.5%) ,
CMOS升级为双极低压降稳压器
器(LDO ) 。该TC1016提供同时在SC- 70和
SOT- 23封装。采用SC-70封装代表
50%的占位面积减少与流行的SOT- 23
封装。
专为电池供电的系统开发,
该器件的CMOS结构的功耗仅为53 μA
典型电源电流在整个80毫安工作
负载范围内。这可以是小于高达60倍
双极消耗的静态工作电流
LDO稳压器。
在考虑小的空间需求和成本,在
TC1016的开发目的是稳定的,在整个
输入电压和输出电流工作范围内使用
低价值( 1 μF陶瓷电容) ,低等效串联
电阻(ESR)的输出电容。
另外
集成功能(比如关机,过流
和过温保护),进一步减少板
空间和整个电压调节的成本
应用程序。
为TC1016关键性能参数低
辍学电压( 150毫伏(典型值) ,在80 mA的输出
电流) ,低电源电流,而停机( 0.05 μA
突然输入典型值)和快速稳定的响应
电压和负载的变化。
应用
移动/ GSM / PHS手机
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
电子游戏
寻呼机
销刀豆网络gurations
SC-70
V
IN
5
TC1016
1
2
3
1
V
IN
V
OUT
4
SOT-23
V
OUT
5
TC1016
2
3
NC
4
SHDN NC GND
GND SHDN
2005年Microchip的科技公司
DS21666B第1页
TC1016
1.0
电动
特征
*注意:
静电敏感设备。未使用的设备必须是
存储在导电材料。保护静态显示设备
充电和静态字段。超出上述上市
绝对最大额定值可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值仅为运行
该装置的振荡器在这些或以上的任何其他条件
在该业务部门的指示
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定值条件下工作会影响器件
可靠性
绝对最大额定值*
输入电压................................................ ......... 6.5V
功耗................内部限制(注7 )
工作温度................. -40°C <牛逼
J
& LT ; 125°C
存储温度......................... -65 ° C至+ 150°C
最大电压任意引脚上........ V
IN
+ 0.3V至-0.3V
电气特性
V
IN
= V
R
+ 1V ,我
L
= 100 μA ,C
L
= 1.0μF , SHDN > V
IH
, T
A
= 25 ℃,除非另有说明。
粗体
参数值适用于
40 ° C至+ 125°C - 的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
输出电压
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率(注
4)
漏失电压(注
5)
符号
V
IN
I
OUTMAX
V
OUT
TCV
OUT
(ΔV
OUT
/ΔV
IN
)/V
R
ΔV
OUT
/V
R
V
IN
– V
OUT
2.7
80
V
R
– 2.5%
典型值
V
R
±0.5%
40
0.01
0.23
2
100
150
53
0.05
58
10
最大
6.0
V
R
+ 2.5%
0.2
1
200
300
90
0.5
单位
V
mA
V
%/V
%
mV
注2
(V
R
+ 1V ) < V
IN
& LT ; 6V
I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
I
L
= 100 A
I
L
= 50毫安
I
L
= 80毫安
SHDN = V
IH
, I
L
= 0
SHDN = 0V
F = 1千赫,我
L
= 50毫安
V
IN
= 5V ,我
L
= 60毫安,
C
IN
= 1 μF ,C
OUT
= 1 F,
F = 100赫兹
V
IN
= 5V ,我
L
= 60毫安,C
IN
=
1 μF ,C
OUT
= 1 F, f =
100赫兹
V
OUT
= 0V
注6 ,第7
PPM /°C的
注3
测试条件
注1
电源电流
关断电源电流
电源抑制比
唤醒时间
(从关断模式)
建立时间
(从关断模式)
输出短路电流
热调节
热关断模
温度
热关断迟滞
输出噪声
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
1:
2:
3:
4:
I
IN
I
INSD
PSRR
t
WK
A
A
dB
s
t
S
32
s
I
OUTSC
V
OUT
/P
D
T
SD
ΔT
SD
eN
V
IH
V
IL
60
120
0.04
160
10
800
15
mA
V / W
°C
°C
纳伏/赫兹÷
%V
IN
%V
IN
F = 10千赫
V
IN
= 2.7V至6.0V
V
IN
= 2.7V至6.0V
最小V
IN
必须满足两个条件: V
IN
2.7V和V
IN
(V
R
+ 2.5%)+V
.
V
R
是稳压电压设置。例如: V
R
= 1.8V, 2.7V, 2.8V, 3.0V.
6
(
VOUTMAX
V OUTMIN
) ×
10
-
TCV
= -------------------------------------------------------------------------------------
OUT
V OUT
× Δ
T
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载范围内测试
在0.1 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化都包括在热
监管规范。
电压差定义为输入至输出电压差,当输出电压低于其标称值的2% ,在一个1V
差。
温度调节是德网络定义为在功耗变化后输出电压的变化在时间T ,不包括负载或
行调节作用。规范针对电流脉冲为ILMAX在V
IN
= 6V时有t = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数,最大允许juction温度和
从结点到空气中(即牛逼热阻
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗会导致器件触发
热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
此数据表以了解更多信息。
5:
6:
7:
DS21666B第2页
2005年Microchip的科技公司
TC1016
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
0.25
V
OUT
= 2.7V
0.25
V
OUT
= 2.7V
0.2
漏失电压( V)
+125°C
漏失电压( V)
0.20
I
负载
= 80毫安
0.15
+25°C
-40°C
0.15
I
负载
= 50毫安
0.1
0.05
0.10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.05
-45
-20
5
30
55
80
105
130
负载电流(mA )
温度( ℃)
图2-1:
电流。
0.35
0.30
V
OUT
= 2.7V
满载= 0 - 80毫安
漏失电压与输出
图2-4:
温度。
0.18
压差 -
V
OUT
= 2.7V
V
IN
= 3.3V
0.16
短路电流( A)
负载调整率( % )
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
-45
-20
5
30
55
V
IN
= 3.7V
V
IN
= 6.0V
80
105
130
1
2
3
4
5
6
温度(℃)
输入电压
图2-2:
温度。
负载稳定度
图2-5:
输入电压。
短路电流 -
57.0
56.0
+125°C
V
OUT
= 2.7V
57.0
56.0
55.0
V
IN
= 6V
V
OUT
= 2.7V
电源电流( μA )
电源电流( μA )
55.0
54.0
53.0
52.0
51.0
50.0
49.0
48.0
47.0
3.3
3.6
3.9
4.2
4.5
4.8
5.1
5.4
5.7
6.0
-40°C
+25°C
54.0
53.0
52.0
51.0
50.0
49.0
48.0
47.0
-45
-20
5
30
55
80
105
130
V
IN
= 3.3V
输入电压( V)
温度( ℃)
图2-3:
电压。
电源电流与输入
图2-6:
温度。
电源电流与
2005年Microchip的科技公司
DS21666B第3页
TC1016
0.25
V
OUT
= 3.0V
0.20
0.18
0.16
V
OUT
= 3.0V
I
负载
= 80毫安
漏失电压( V)
漏失电压( V)
0.2
+125°C
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
I
负载
= 50毫安
0.15
+25°C
0.1
-40°C
0.05
0
-45
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-20
5
30
55
80
105
130
负载电流(mA )
温度(℃)
图2-7:
电流。
0.30
V
OUT
= 3.0V
满载= 0 - 80毫安
漏失电压与输出
图2-10:
温度。
54.0
53.0
压差 -
V
OUT
= 3.0V
0.25
负载调整率( % )
电源电流( μA )
V
IN
= 6.0V
+125°C
0.20
V
IN
= 3.3V
52.0
51.0
50.0
49.0
-40°C
+25°C
V
IN
= 4.0V
0.15
0.10
0.05
0.00
-45
-20
5
30
55
80
105
130
48.0
47.0
3.3
3.6
3.9
4.2
4.5
4.8
5.1
5.4
5.7
6.0
温度(℃)
输入电压( V)
图2-8:
温度。
54.0
V
OUT
= 3.0V
负载稳定度
图2-11:
电压
2.797
电源电流与输入
V
IN
= 6.0V
+25°C
53.0
2.796
+125°C
V
OUT
= 2.8V
电源电流( μA )
52.0
51.0
50.0
49.0
48.0
47.0
-45
-20
5
30
55
80
105
130
V
IN
= 3.3V
输出电压(V)
2.795
2.794
2.793
2.792
2.791
-40°C
2.790
2.789
3.3
3.6
3.9
4.2
4.5
4.8
5.1
5.4
5.7
6
温度(℃)
输入电压( V)
图2-9:
温度。
电源电流与
图2-12:
电压。
输出电压与电源
DS21666B第4页
2005年Microchip的科技公司
TC1016
2.797
2.796
2.795
V
IN
= 3.3V
V
OUT
= 2.8V
2.798
2.797
V
OUT
= 2.8V
V
IN
= 3.3V
输出电压(V)
2.794
2.793
2.792
2.791
2.790
2.789
2.788
2.787
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
IN
= 6.0V
输出电压(V)
2.796
2.795
2.794
V
IN
= 6.0V
2.793
2.792
2.791
2.790
2.789
-45
-20
5
30
55
80
105
130
V
IN
= 4.0V
输出电流(mA )
温度(℃)
图2-13:
电流。
0.250
输出电压 - 输出
图2-16 :
温度。
100
输出电压 -
关断电流( μA )
0.200
+125°C
10
0.150
噪声( μV / √Hz的)
V
IN
= 4.0V
V
OUT
= 3.0V
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
I
OUT
= 40毫安
1
0.100
0.1
0.050
+25°C
0.000
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.2
4.5
4.8
5.1
5.4
5.7
6.0
0.01
10
100
1000
10000
100000
1000000
输入电压( V)
频率(Hz)
图2-14 :
电压。
关断电流与输入
图2-17 :
输出噪声和频率。
0
-10
-20
1. E +01
1 . +03
E
1. +0 5
E
V
INDC
= 2.8V
V
INAC
= 100 MVP -P
V
OUTDC
= 1.8V
I
OUT
= 100
μA
C
OUT
= 1
μF
X7R陶瓷
0
-10
-20
10
1 000
1 00000
V
INDC
= 2.8V
V
INAC
= 100 MVP -P
V
OUTDC
= 1.8V
I
OUT
= 1毫安
C
OUT
= 1
μF
X7R陶瓷
PSRR (分贝)
-30
-40
-50
-60
PSRR (分贝)
-30
-40
-50
-60
-70
-70
-80
-80
10
100
1K
10K
100K
1M
10
100
1K
10K
100K
1M
频率(Hz)
频率(Hz)
图2-15 :
电源抑制
比与频率。
图2-18 :
电源抑制
比与频率。
2005年Microchip的科技公司
DS21666B第5页
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