TC1014/TC1015/TC1185
50毫安100 mA和150毫安CMOS LDO，具有关断
和基准旁路
产品特点：
低电源电流（ μA 50 ，典型值）
低压差
为50 mA （ TC1014 ）的选择，百毫安（ TC1015 ）
和150 MA（ TC1185 ）输出
高输出电压精度
标准或定制输出电压
节能关断模式
参考旁路输入的超低噪音
手术
过流和过热保护
节省空间的5引脚SOT- 23封装
引脚兼容的升级双极型稳压器
标准输出电压选项：
- 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V,
3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V
概述
在TC1014 / TC1015 / TC1185是高精度
（典型值为± 0.5 ％ ） CMOS升级为老年人（双极）
低压降稳压器（LDO ），如LP2980 。
专为电池供电系统设计，
器件的CMOS结构消除浪费的理由
目前，显著延长了电池寿命。总供给
电流通常为50 μA，在满负荷下（ 20到60倍
比双极型稳压器低） 。
该器件的主要特性包括超低噪声
操作（加上可选的旁路输入） ，快速响应
步负荷变化，和非常低的压差电压，
通常为85毫伏（ TC1014 ），180毫伏（ TC1015 ） ，并
270毫伏（ TC1185 ）在满负荷。供电电流
降至0.5μA （最大值）和V
OUT
下降到零的时候
关断输入为低。该器件集成了两个
过热和过电流保护。
在TC1014 / TC1015 / TC1185是稳定的输出
仅1 μF电容，并有一个最大输出
电流为50 mA 100 mA和分别150毫安。
对于更高的输出电流调节器，请参阅
TC1107 （ DS21356 ） ， TC1108 （ DS21357 ） ， TC1173
（ DS21362 ） （我
OUT
= 300 mA）的数据表。
应用范围：
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
仪器仪表
移动/ GSM / PHS手机
线性后稳压开关电源
寻呼机
套餐类型
5引脚SOT- 23
V
OUT
5
5
+
1 F
典型用途
V
IN
1
V
IN
TC1014
TC1015
TC1185
GND
V
OUT
V
OUT
绕行
4
TC1014
TC1015
TC1185
1
V
IN
2
3
2
3
GND SHDN
SHDN
绕行
4
470 pF的
参考
旁路电容
（可选）
关断控制
（从功率控制逻辑）
2007 Microchip的技术公司
DS21335E第1页
TC1014/TC1015/TC1185
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述"Absolute下上市
最大Ratings"可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值？
输入电压................................................ ......... 6.5V
输出电压........................... （ -0.3V ）至（v
IN
+ 0.3V)
功耗................内部限制
（注7 ）
任何引脚........ V最大电压
IN
+ 0.3V至-0.3V
工作温度范围...... -40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
存储温度..........................- 65°C至+ 150°C
TC1014 / TC1015 / TC1185电气规范
电气连接特定的阳离子：
V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 1.0 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
粗体数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
符号
V
IN
I
OUT
最大
民
2.7
50
100
150
V
R
– 2.5%
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
V
R
±0.5%
20
40
0.05
0.5
0.5
2
65
85
180
270
50
0.05
64
300
0.04
160
10
最大
6.0
—
—
—
V
R
+ 2.5%
—
—
0c.35
2
3
—
—
120
250
400
80
0.5
—
450
—
—
—
单位
V
mA
设备
—
TC1014
TC1015
TC1185
—
—
—
TC1014 ; TC1015
TC1185
—
—
—
TC1015 ; TC1185
TC1185
—
—
—
—
—
—
—
测试条件
注1
输出电压
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率
V
OUT
TCV
OUT
ΔV
OUT
/
ΔV
IN
ΔV
OUT
/
V
OUT
V
IN
-V
OUT
V
PPM /°C的
%
%
注2
注3
(V
R
+ 1V)
≤
V
IN
≤
6V
I
L
= 0.1 mA至我
OUT
最大
I
L
= 0.1 mA至我
OUT
最大
（注4 ）
I
L
= 100 A
I
L
= 20毫安
I
L
= 50毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 150毫安
（注5 ）
SHDN = V
IH
, I
L
= 0
SHDN = 0V
F
RE
≤
1千赫
V
OUT
= 0V
注6 ，第7
输入输出电压差
mV
电源电流
（注8）
关断电源电流
电源抑制
比
输出短路电流
热调节
热关断模
温度
热关断
迟滞
记
1:
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
I
IN
I
INSD
PSRR
I
OUT
SC
ΔV
OUT
/
ΔP
D
T
SD
ΔT
SD
A
A
dB
mA
V / W
°C
°C
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
2.7V和V
IN
≥
V
R
+ V
降
.
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V.
TC V
OUT
= (V
OUT
最大
– V
OUT
民
)x 10
6
V
OUT
x
ΔT
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载范围内测试
1.0 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化都包括在热
监管规范。
电压差定义为输入输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其标称值在1V
差。
热稳定度定义为在功耗变化后输出电压的变化在时间T ，不包括负载
或线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
L
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许结温度和
热阻结到空气中（即，T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗会导致器件
启动热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
了解更多详情。
适用于-40 ° C至+ 85 ° C的结温。
DS21335E第2页
2007 Microchip的技术公司
TC1014/TC1015/TC1185
TC1014 / TC1015 / TC1185电气规范（续）
电气连接特定的阳离子：
V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 1.0 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
粗体数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输出噪声
符号
eN
民
—
典型值
600
最大
—
单位
纳伏/赫兹÷
设备
—
测试条件
I
L
= I
OUT
最大
,
F = 10千赫
470 pF的旁路从
到GND
V
IN
= 2.5V至6.5V
V
IN
= 2.5V至6.5V
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
记
1:
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
V
IH
V
IL
45
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
—
—
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
2.7V和V
IN
≥
V
R
+ V
降
.
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V.
TC V
OUT
= (V
OUT
最大
– V
OUT
民
)x 10
6
V
OUT
x
ΔT
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载范围内测试
1.0 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化都包括在热
监管规范。
电压差定义为输入输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其标称值在1V
差。
热稳定度定义为在功耗变化后输出电压的变化在时间T ，不包括负载
或线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
L
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许结温度和
热阻结到空气中（即，T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗会导致器件
启动热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
了解更多详情。
适用于-40 ° C至+ 85 ° C的结温。
温度特性
电气连接特定的阳离子：
V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 1.0 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
粗体数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
温度范围：
扩展级温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻：
热阻， 5引脚SOT- 23
θ
JA
—
256
—
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+125
+125
+150
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
2007 Microchip的技术公司
DS21335E第3页
TC1014/TC1015/TC1185
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，所有的份数是在温度= + 25 ℃下测定。
漏失电压与温度的关系
0.020
0.018
漏失电压与温度的关系
0.100
漏失电压（ V）
0.090
0.080
0.070
0.060
0.050
0.040
0.030
0.020
0.010
0.000
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 50毫安
漏失电压（ V）
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 10毫安
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
图2-1：
温度。
0.200
0.180
漏失电压（ V）
0.160
0.140
0.120
0.100
0.080
0.060
0.040
0.020
0.000
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
压差 -
图2-4：
温度。
压差 -
漏失电压与温度的关系
0.300
漏失电压（ V）
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 100毫安
漏失电压与温度的关系
0.250
0.200
0.150
0.100
0.050
0.000
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 150毫安
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
图2-2：
温度。
压差 -
图2-5：
温度。
压差 -
地电流与V
IN
90
80
GND电流（ μA ）
70
60
50
40
30
20
10
0
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 10毫安
GND电流（ μA ）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
地电流与V
IN
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 100毫安
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
V
IN
(V)
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
1 1.5
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
3.5 4
5 5.5
7.5
V
IN
(V)
图2-3：
电压（V
IN
).
地电流与输入
图2-6：
电压（V
IN
).
地电流与输入
DS21335E第4页
2007 Microchip的技术公司
TC1014/TC1015/TC1185
典型性能曲线（续）
注意：
除非另有说明，所有的份数是在温度= + 25 ℃下测定。
地电流与V
IN
80
70
GND电流（ μA ）
60
V
OUT
(V)
3.5
V
OUT
与V
IN
3
2.5
2
1.5
1
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 0
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 150毫安
50
40
30
20
10
0
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
0.5
0
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5 7
V
IN
(V)
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7
3.5 4
0.5 1 1.5
5 5.5 6 6.5 7
V
IN
(V)
图2-7：
电压（V
IN
).
地电流与输入
图2-10：
输出电压（V
OUT
）与
输入电压（V
IN
).
输出电压与温度的关系
3.320
3.315
3.310
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 10毫安
V
OUT
与V
IN
3.5
3.0
2.5
V
OUT
(V)
V
OUT
= 100毫安
I
负载
= 3.3V
I
负载
= 100毫安
3.305
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
V
OUT
(V)
3.300
3.295
3.290
3.285
3.280
3.275
-40
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
V
IN
= 4.3V
-20
-10
0
20
40
温度（
°
C)
85
125
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7
V
IN
(V)
图2-8：
输出电压（V
OUT
）与
输入电压（V
IN
).
输出电压与温度的关系
3.290
3.288
3.286
V
OUT
(V)
3.284
3.282
3.280
3.278
3.276
3.274
C
IN
= 1F
C
OUT
= 1F
V
IN
= 4.3V
V
OUT
= 3.3V
I
负载
= 150毫安
图2-11：
温度。
输出电压（V
OUT
）与
-40
-20
-10
0
20
40
温度（℃）
85
125
图2-9：
温度。
输出电压（V
OUT
）与
2007 Microchip的技术公司
DS21335E第5页
TC1014/TC1015/TC1185
50mA时100毫安到150mA的CMOS LDO，具有关断和参考旁路
特点
极低的电源电流（ 50μA ，典型值）。
非常低压差
50毫安（ TC1014 ） ，百毫安（ TC1015 ）的选择与
150毫安（ TC1016 ）输出
高输出电压精度
标准或定制输出电压
省电关断模式
参考旁路输入的超低噪音
手术
过电流和过温保护
节省空间的5引脚SOT- 23A封装
引脚兼容的升级双极型稳压器
器件选型表
产品型号
TC1014-xxVCT
TC1015-xxVCT
TC1185-xxVCT
包
5引脚SOT- 23A
5引脚SOT- 23A
5引脚SOT- 23A
连接点
TEMP 。 RANGE
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
注意：
xx表示输出电压。可用的输出
电压： 1.8 ， 2.5 ，2.6 ，2.7 ，2.8 ，2.85 ，3.0 ，3.3 ，3.6 ， 4.0，5.0 。
其它输出电压是可用的。请联络Microchip的
科技公司的详细信息。
套餐类型
5引脚SOT- 23A
V
OUT
5
绕行
4
应用
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
仪器仪表
移动/ GSM / PHS手机
线性后稳压开关电源
寻呼机
TC1014
TC1015
TC1185
1
V
IN
2
GND
3
SHDN
注意：
5引脚SOT -23A等同于EIAJ （SC- 74A ）
2002年Microchip的科技公司
DS21335B第1页
TC1014/TC1015/TC1185
概述
在TC1014 / TC1015 / TC1185是高精度
（典型值为± 0.5 ％ ） CMOS升级为老年人（双极）
低压降稳压器，如LP2980 。设计
专为电池供电系统，设备“
CMOS结构消除浪费的接地电流，
显著延长电池寿命。总电源电流
通常50A在满负荷（低于20到60倍
双极型稳压器） 。
该器件的主要特性包括超低噪声能操作
通报BULLETIN （加上可选的旁路输入） ，快速响应步骤
负荷变化，以及非常低的压差电压 -
通常一个85mV （ TC1014 ） ; 180mV （ TC1015 ） ;和
270mV （ TC1185 ）在满负荷。电源电流减小
为0.5μA （最大值）和V
OUT
下降到零的时候
关断输入为低。该器件集成了两个
过热和过电流保护。
在TC1014 / TC1015 / TC1185是稳定的输出
仅1F电容器和具有最大输出
电流50mA ，百毫安到150mA ，分别。为
更高的输出电流调节器，请参阅
TC1107 / TC1108 / TC1173 （我
OUT
= 300毫安）数据表。
典型用途
V
IN
1
V
IN
V
OUT
5
+
1F
V
OUT
2
TC1014
TC1015
TC1185
GND
3
SHDN
绕行
4
470pF
参考
旁路电容
（可选）
关断控制
（从功率控制逻辑）
DS21335B第2页
2002年Microchip的科技公司
TC1014/TC1015/TC1185
1.0
电动
特征
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
输入电压................................................ ......... 6.5V
输出电压........................... （ - 0.3V ）至（v
IN
+ 0.3V)
功耗...............内部限制
（注7 ）
任何引脚......... V最大电压
IN
+ 0.3V至-0.3V
工作温度范围......- 40℃ <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
存储温度......................... -65 ° C至+ 150°C
TC1014 / TC1015 / TC1185电气规范
电气特性：
V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100μA ，C
L
= 3.3μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
粗体
TYPE
规范适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
符号
V
IN
I
OUT
最大
参数
输入工作电压
最大输出电流
民
2.7
50
100
150
V
R
– 2.5%
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
20
40
0.05
0.5
0.5
2
65
85
180
270
50
0.05
64
300
0.04
160
10
600
最大
6.0
—
—
—
—
—
0.35
2
3
—
—
120
250
400
80
0.5
—
450
—
—
—
—
单位
V
mA
设备
测试条件
注1
TC1014
TC1015
TC1185
注2
注3
(V
R
+ 1V)
≤
V
IN
≤
6V
TC1014 ; TC1015我
L
= 0.1毫安到我
OUT
最大
I
L
= 0.1毫安到我
OUT
最大
TC1185
（注4 ）
I
L
= 100A
I
L
= 20mA下
I
L
= 50毫安
TC1015 ; TC1185我
L
= 100毫安
I
L
= 150毫安
（注5 ）
TC1185
SHDN = V
IH
, I
L
= 0
SHDN = 0V
F
RE
≤
1kHz
V
OUT
= 0V
注6 ，第7
V
OUT
TCV
OUT
V
OUT
/V
IN
输出电压
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
V
R
±0.5%
V
R
+ 2.5%
V
PPM /°C的
%
%
V
OUT
/V
OUT
负载调整率
V
IN
-V
OUT
输入输出电压差
mV
I
IN
I
INSD
PSRR
I
OUT
SC
V
OUT
/P
D
T
SD
T
SD
eN
电源电流（注8 ）
关断电源电流
电源抑制
比
输出短路电流
热调节
热关断模
温度
热关断
迟滞
输出噪声
A
A
dB
mA
V / W
°C
°C
纳伏/赫兹÷
I
L
= I
OUT
最大
中，f = 10kHz的
从470pF的旁路
到GND
记
1:
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
2.7V和V
IN
≥
V
R
+ V
降
.
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V.
TC V
OUT
= (V
OUT
最大
– V
OUT
民
)x 10
6
V
OUT
x
T
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载范围内测试
从1.0毫安到指定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化都包括在热
监管规范。
电压差定义为输入输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其标称值在1V
差。
温度调节是德网络定义为在功耗变化后输出电压的变化在时间T ，不包括负载或
行调节作用。规范针对电流脉冲等于I
L
最大
在V
IN
= 6V时有t = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许结温度和
热阻结到空气中（即，T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗会导致器件触发
热关断。请参见第4.0散热考虑更多的细节。
适用于-40 ° C至+ 85 ° C的结温。
2002年Microchip的科技公司
DS21335B第3页
TC1014/TC1015/TC1185
TC1014 / TC1015 / TC1185电气规范（续）
电气特性：
V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100μA ，C
L
= 3.3μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
粗体
TYPE
规范适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
符号
SHDN输入
V
IH
V
IL
记
1:
2:
3:
4:
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
45
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
V
IN
= 2.5V至6.5V
V
IN
= 2.5V至6.5V
5:
6:
7:
8:
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
2.7V和V
IN
≥
V
R
+ V
降
.
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V.
TC V
OUT
= (V
OUT
最大
– V
OUT
民
)x 10
6
V
OUT
x
T
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载范围内测试
从1.0毫安到指定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化都包括在热
监管规范。
电压差定义为输入输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其标称值在1V
差。
温度调节是德网络定义为在功耗变化后输出电压的变化在时间T ，不包括负载或
行调节作用。规范针对电流脉冲等于I
L
最大
在V
IN
= 6V时有t = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许结温度和
热阻结到空气中（即，T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗会导致器件触发
热关断。请参见第4.0散热考虑更多的细节。
适用于-40 ° C至+ 85 ° C的结温。
DS21335B第4页
2002年Microchip的科技公司
TC1014/TC1015/TC1185
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1：
PIN号
（ 5引脚SOT- 23A ）
1
2
3
引脚功能表
符号
V
IN
GND
SHDN
未稳压电源输入。
接地端子。
关断控制输入。当一个逻辑高电平被施加到该输入端的稳压器被完全启用。
该稳压器进入关断时为逻辑低电平应用于此输入。在关断期间，
输出电压下降到零，错误是开路和电源电流降低到0.5μA
（最大值）。
参考旁路输入。连接一个470pF到这个输入，进一步降低输出噪声。
稳定电压输出。
描述
4
5
绕行
V
OUT
2002年Microchip的科技公司
DS21335B第5页
具有关断功能50毫安CMOS LDO
和基准旁路
初步信息
TC1014
TC1014
具有关断功能和基准旁路50毫安CMOS LDO
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
零接地电流以延长电池寿命！
非常低的压差电压
保证50mA输出
高输出电压精度
标准或定制输出电压
省电关断模式
参考旁路输入的超低噪音
手术
过电流和过温保护
节省空间的SOT - 23A - 5封装
引脚兼容升级的MIC5205和
NSC2980
概述
该TC1014是一个高精确度（典型地
±0.5%)
CMOS
升级为老年人（双极）低压降稳压器，如
该LP2980 。专为电池供电系设计
电信设备制造商，在TC1014的CMOS结构消除浪费
接地电流，显著延长了电池寿命。总
电源电流典型50μA在满负荷（20
至60倍
比双极型稳压器低！ ） 。
TC1014的主要特性包括超低噪音运行
（加上可选的旁路输入） ;非常低的压差电压
（典型95mV满负载）和内部前馈的COM
补偿的快速响应阶跃变化的负载。供应
电流降至低于1μA关断输入时
是低的。该TC1014还采用了同时具有过温
自命过流保护。
该TC1014是稳定的，只有一个输出电容
1μF ，并具有为100mA的最大输出电流。为
高输出版本，请参阅TC1107 ， TC1108 ，
TC1173 （我
OUT
= 300毫安）数据表。
应用
s
s
s
s
s
s
s
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
仪器仪表
移动/ GSM / PHS手机
线性后稳压开关电源
寻呼机
订购信息
产品型号
产量
**电压（ V）封装
2.5
2.7
3.0
3.3
5.0
连接点
TEMP 。 RANGE
TC1014-2.5VCT
SOT - 23A - 5 * - 40 ° C至+ 125°C
SOT - 23A - 5 * - 40 ° C至+ 125°C
SOT - 23A - 5 * - 40 ° C至+ 125°C
SOT - 23A - 5 * - 40 ° C至+ 125°C
SOT - 23A - 5 * - 40 ° C至+ 125°C
典型用途
TC1014-2.7VCT
TC1014-3.0VCT
TC1014-3.3VCT
TC1014-5.0VCT
V
IN
1
V
IN
V
OUT
5
1F
V
OUT
注意：
* SOT- 23A -5相当于EIAJ （SC- 74A ）
**提供其他输出电压。请联系Telcom公司
安森美半导体的详细信息
2
GND
TC1014
引脚配置
V
OUT
绕行
4
3
SHDN
绕行
4
470pF
参考
旁路电容
（可选）
5
TC1014
(SOT-23A-5*)
1
2
3
顶视图
关断控制
（从功率控制逻辑）
V
IN
GND SHDN
注意：
* SOT- 23A -5相当于EIAJ （SC- 74A ）
TC1014-01-6/5/97
Telcom公司半导体公司保留随时更改电路中的权利和
1
规范的设备。
初步信息
具有关断功能50毫安CMOS LDO
和基准旁路
TC1014
绝对最大额定值*
输入电压................................................ ................. 7V
输出电压............................. （ - 0.3 ）至（v
IN
+ 0.3)
功耗....................内部限制（注7 ）
工作温度.................... - 40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
储存温度............................ - 65 ° C至+ 150°C
最大电压任意引脚上.......... V
IN
+ 0.3V至 - 0.3V
*超越那些在"Absolute最大Ratings"上市应力可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该器件在这些或超越任何其它条件下操作
在技术规范的业务部门所标明不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
电气特性：
V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 100μA ，C
L
= 3.3μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= 25
°
C，除非另有说明。
粗体
参数值适用于对结温 - 40 ° C至+ 125°C 。
符号
V
IN
I
OUTMAX
V
OUT
TCV
OUT
V
OUT
/V
IN
V
OUT
/V
OUT
V
IN
– V
OUT
参数
输入工作电压
最大输出电流
输出电压
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率
输入输出电压差（注4 ）
测试条件
民
—
50
V
R
– 2.5%
典型值
—
—
V
R
±0.5%
20
40
0.01
0.5
5
65
95
—
50
—
64
200
0.04
260
最大
6.5
—
V
R
+ 2.5%
—
—
—
—
单位
V
mA
V
PPM /°C的
%
%
mV
注1
注2
(V
R
+ 1V ） < V
IN
＆ LT ; 6V
I
L
= 1.0毫安到我
OUTMAX
（注3）
I
L
= 100A
I
L
= 20mA下
I
L
= 50毫安
（注4 ）
I
L
= I
OUTMAX ，
（注5 ）
SHDN = V
IH
, I
L
= 0
SHDN = 0V
F
RE
≤
1kHz
V
OUT
= 0V
注6
I
L
= I
OUTMAX
从470pF的旁路至GND
V
IN
= 2.5V至6.5V
V
IN
= 2.5V至6.5V
—
—
—
I
GND
I
IN
I
INSD
PSRR
I
OUTSC
V
OUT
/P
D
eN
接地引脚电流
电源电流
关断电源电流
电源抑制比
输出短路电流
热调节
输出噪声
—
—
—
—
—
—
—
0
—
0.05
—
400
—
—
A
A
A
dB
mA
%/W
纳伏/赫兹÷
SHDN输入
V
IH
V
IL
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
45
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
注意事项：
1. V
R
是稳压器输出电压设定。 V
R
= 2.5V, 2.7V, 3.0V, 3.3V, 5.0V.
2. TCV
OUT
= (V
OUTMAX
– V
outmin
) x 10
6
V
OUT
x
T
3.调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载测试
范围1.0毫安到指定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化都包括在
热调节规范。
4.电压差定义为输入输出电压差，当输出电压低于其标称值的2％ ，在一个1V
差。
5.接地引脚电流调节器传输晶体管的栅极电流。从输入电源汲取的总电流是负载的总和
电流，接地电流和电源电流（即我
IN
= I
供应
+ I
GND
+ I
负载
).
6.热稳定度定义为在功耗变化后输出电压的变化在时间T ，不包括负载
或线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
7.最大允许功耗是环境温度，允许的最大结温度和的函数
从结点到空气中（即牛逼热阻
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗会导致器件
启动热关断。请参阅
散热注意事项
该数据表的详细信息部分。
.
TC1014-01-6/5/97
2
具有关断功能50毫安CMOS LDO
和基准旁路
初步信息
TC1014
引脚说明
PIN号
(SOT-23A-5)
1
2
3
符号
V
IN
GND
SHDN
描述
未稳压电源输入。
接地端子。
关断控制输入。该稳压器完全开启时，逻辑高电平加到这个
输入。该稳压器进入关断时为逻辑低电平应用于此输入。中
关断，输出电压下降到零，并且供电电流低于1微安减少到
（典型值） 。
参考旁路输入。连接一个470pF到这个输入，进一步降低输出噪声。
稳定电压输出。
4
5
绕行
V
OUT
详细说明
该TC1014是一种精密的固定输出电压稳压
器。 （如果一个可调的版本是期望的，请参阅
TC1070或TC1071数据表。）与双极法规
器中， TC1014的供电电流不会随负载增加
电流。此外，V
OUT
保持稳定，并在稳压
化在非常低的负载电流（在一个重要的考虑
RTC和CMOS RAM电池备份应用程序） 。
图1显示了一个典型的应用电路。该法规
器启用任何时间关断输入（ SHDN）等于或
上述V
IH
和关闭（禁用） ，当SHDN为或
低于V
IL
。 SHDN可以由CMOS逻辑门电路来控制，
或I / O微控制器的端口。如果SHDN输入不
必需的，但应直接连接到电源输入端。
关断时，电源电流降至0.05μA
（典型值）和V
OUT
下降到零伏。
V
IN
1F
V
OUT
1F
V
OUT
噪音是不是一个问题，这个输入可以悬空。
较大的电容值也可以使用，但会导致较长的
时间段到额定输出电压时，功率是初始
应用。
输出电容
从V A 1μF （最小值）的电容
OUT
接地是中建议
谁料。输出电容应具有有效的
5Ω或更小，并且谐振频率的串联电阻
高于1MHz 。 1μF电容应该从V连接
IN
到GND ，如果有10英寸以上的导线之间的
调节器和所述交流滤波电容，或如果电池被用作
的动力源。铝电解电容或钽电容
器类型都可以使用。 （由于许多铝电解
电容冻结约 - 30℃ ，固体钽电容
被推荐用于工作在低于应用 - 25℃）
当从源不使用电池工作时，供应─
噪声抑制和瞬态响应可以通过提高
提高输入和输出电容值和
使用无源滤波技术。
散热注意事项
电池
GND
TC1014
SHDN
绕行
470pF
参考
旁路电容
（可选）
热关断
集成的热保护电路关闭的法规
TOR关闭时，管芯温度超过160 ℃。该稳压器
保持关闭，直到结温降至约
150°C.
功耗
该稳压器的功耗量为prima-
rily输入和输出电压以及输出电流的函数。
下面的公式用于计算最坏情况
实际
功耗：
关断控制
（到CMOS逻辑或领带到V
IN
如果未使用）
图1.典型应用电路
旁路输入
一个470pF电容，旁路输入端连接
地降低了噪声存在于内部参考，
从而显著降低输出噪声。如果输出
TC1014-01-6/5/97
3
初步信息
具有关断功能50毫安CMOS LDO
和基准旁路
TC1014
P
D
≈
(V
INMAX
– V
outmin
)I
LOADMAX
其中：
P
D
V
INMAX
V
outmin
I
LOADMAX
=最差情况下的实际功耗
=在V最大电压
IN
=最小调整器的输出电压
=最大输出（负载）电流
公式1 。
在这个例子中， TC1014消散最多
只有60mW的;远低于318mW的容许极限。在一个
类似地，等式1和等式2可用于
计算最大的电流和/或输入电压范围。为
例如，允许的最大V
IN
由sustituting发现
318mW的最大允许功耗为
式（1） ，从该V
INMAX
= 5.9V.
布局的注意事项
热传导出去的包的主路径
是通过封装的引线。因此，布局有一个
地平面，宽的走线在垫和宽电源
供应公交线路相结合，以降低
θ
JA
的，因此，
增加最大允许功耗的限制。
最大
许
功率耗散（式2）
是最大环境温度的函数（T
AMAX
),
最大允许管芯温度（125℃ ）和
从结点到空气（ θ热阻
JA
） 。该
SOT - 23A -5封装有
θ
JA
约
220
°
C /瓦
安装在单层FR4介质覆铜箔时
PC板。
P
MAX
= (T
JMAX
– T
JMAX ）
θ
JA
其中，所有条款都事先定义。
式（2） 。
等式1可以一起使用等式2
为确保稳压器的热操作范围内。为
例如：
鉴于：
V
INMAX
= 3.0V
±5%
V
outmin
= 2.7V
±0.5V
I
负载
= 40毫安
T
AMAX
= 55°C
1.实际功耗
2.最大允许功耗
查找：
实际功耗：
P
D
≈
(V
INMAX
– V
outmin
)I
LOADMAX
= [(3.0 x 1.1) – (2.7 x .995)]40 x 10
–3
= 18.5mW
最大允许功耗：
P
DMAX
= (T
JMAX
– T
AMAX
)
θ
JA
= (125 – 55)
220
= 318mW
TC1014-01-6/5/97
4
具有关断功能50毫安CMOS LDO
和基准旁路
初步信息
TC1014
记号
SOT-23A-5
＆放大器;
=零件编号代码+温度范围和电压
TC1014 （ V）
2.5
2.7
3.0
3.3
5.0
CODE
A1
A2
A3
A5
A7
代表年份和季度代码
代表了很多ID号
包装尺寸
SOT-23A-5*
.122 (3.10)
.098 (2.50)
.020 (0.50)
.012 (0.30)
.071 (1.80)
.059 (1.50)
.037 (0.95)
参考
.122 (3.10)
.106 (2.70)
.057 (1.45)
.035 (0.90)
.006 (0.15)
.000 (0.00)
10最大。
.022 (0.55)
.008 (0.20)
.010 (0.25)
.004 (0.09)
注意：
* SOT- 23A -5相当于EIAJ （SC- 74A ）
外形尺寸：英寸（毫米）
网络连接的CE销售
Telcom公司半导体
1300兵马俑贝拉大道
P.O.箱7267
山景， CA 94039-7267
TEL ： 415-968-9241
FAX ： 415-967-1590
电子邮件： liter@c2smtp.telcom-semi.com
TC1014-01-6/5/97
Telcom公司半导体
奥斯汀产品中心
9101地榆路。 214套房
奥斯汀，德克萨斯州78758
TEL ： 512-873-7100
FAX ： 512-873-8236
5
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