CO
M
PL
IA
NT
特点
■
高级电路保护
■
过电流&过压保护
■
块激增至额定极限
■
高速性能
■
小型SMT封装
■
符合RoHS指令*
■
机构认证：
应用
■
SLIC保护
■
电缆& DSL
■
MDU / MTU调制解调器
■
ONT
■
语音/ DSL线卡
*R
oH
S
L50
C954 1
TBU - PL系列 - TBU
高速保护器
一般信息
该TBU -PL系列的商Bourns
TBU
产品有低电容双双向高速
保护元件，采用MOSFET半导体技术构建，并设计
防止由于短路故障，交流电源交叉，感应和雷电浪涌。
除了过电流保护，增加的特征是在两条直线上的电压监测。如果
电压就行降到低于Vss则电压将触发该设备切换到阻挡
状态。
该TBU
高速保护器放置在系统电路将监测电流与MOSFET
检测电路的触发提供了有效的屏障后面这敏感的电子设备将不会被
在浪涌事件暴露于大的电压或电流。该TBU
装置设置在一个表面上设置
安装DFN封装，并且符合行业标准的要求，如RoHS和无铅焊料
再溢流廓。
VDD
1号线SLIC
1号线
2号线SLIC
2号线
VSS
TBU设备
机构认证
描述
UL
文件号： E315805
行业标准（结合OVP器件）
可用于GR-1089 -CORE ， ITU-T和这两者的组合的解决方案。
绝对最大额定值（ @ T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
V
IMP
参数
峰值脉冲电压耐受与持续时间小于10毫秒
产品型号
TBU-PL050-xxx-WH
TBU-PL060-xxx-WH
TBU-PL075-xxx-WH
TBU-PL085-xxx-WH
TBU-PL050-xxx-WH
TBU-PL060-xxx-WH
TBU-PL075-xxx-WH
TBU-PL085-xxx-WH
价值
500
600
750
850
300
350
400
425
-55到+125
-65到+150
+125
±2
单位
V
V
RMS
T
op
T
英镑
T
JMAX
ESD
持续的交流电压有效值
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
符合IEC 61000-4-2 HBM ESD保护线片
V
°C
°C
°C
kV
电气特性（ @ T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
TRIGGER
R
设备
R
MATCH
t
块
I
Q
I
ss
V
RESET
V
to
V
ss
R
号（j -1）的
R
号（j -1）的
参数
产品型号
目前需要的设备，从工作状态到去
TBU-PLxxx-100-WH
保护状态
TBU-PLxxx-200-WH
该TBU器件的串联电阻
该TBU的封装电阻匹配
装置＃ 1 - TBU
装置＃ 2
所花费的时间的装置进入限流
电流通过触发TBU
器件具有50伏直流回路电压
工作电流与V
ss
= -50 V
低于该电压触发TBU
设备将
TBU-PLxxx-100-WH
过渡到正常操作状态
TBU-PLxxx-200-WH
电压阈值偏移量为60赫兹施加的电压，V字形
ss
-50 V (V
ss
- V
lineSLIC
)
工作电压范围相对于V
dd
使用推荐的最小焊盘布局FR4 - 结到包装垫
采用FR4板上的散热片（ 6厘米 - 结到包装垫
2
） （0.5英寸
2
)
分钟。
100
200
40
典型值。
150
300
50
±0.5
0.70
100
15
20
马克斯。
200
400
55
±1.0
1
1.50
22
25
0.2
-20
单位
mA
Ω
Ω
s
mA
A
V
V
V
° C / W
° C / W
0.25
12
15
-1.0
-180
65
40
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日，包括附件。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TBU - PL系列 - TBU
高速保护器
功能框图
1号线SLIC
当前
SENSE
VDD
高
电压
开关
1号线
+
电压
比较
VSS
VSS
VDD
VDD
电压
比较
VSS
当前
SENSE
+
2号线SLIC
高
电压
开关
2号线
参考应用
该TBU -PL系列是采用语音高速保护器/
该TBU VoIP的SLIC applications.The最大额定电压
设备不可超越。必要时，过压保护（OVP）
设备应当被用来限制最大电压。一
高性价比的保护解决方案结合了商Bourns
TBU
保护装置有一对商Bourns的
的MOV 。对于带宽
敏感的应用中，一个商Bourns
气体放电管可被取代为
该MOV 。
TBU基本操作
该TBU
设备，采用MOSFET半导体构造
技术，在系统中放置电路将监测
电流与MOSFET检测电路的触发提供
一个有效的屏障后面这敏感的电子设备都没有
在浪涌事件暴露于大的电压或电流。该
TBU
器件工作在约1微秒 - 一旦行
电流超过TBU
器件的触发电流I
TRIGGER
。当
操作时，该TBU
设备限制线电流小于
1毫安一般。当操作时， TBU
设备将阻止所有
包括电压浪涌上升到额定范围。
当在SLIC输出的电压进行驱动下面
(V
BAT
– V
to
）的TBU - PL系列器件切换到
阻断状态时，无论输出电流的器件。
浪涌时， TBU后
器件复位时的电压
整个TBU
装置下降到V
RESET
的水平。该TBU
设备会自动复位上没有直流偏置线
或低于V DC偏置
RESET
（如无动力的信号线） 。
2号线
GND
VDD
1号线
SLIC
MOV
TBU
设备
2号线
SLIC
VSS
1号线
MOV
-Vbat
如果线路具有这样的正的直流偏压高于V
RESET
时，电压
整个TBU
设备可能不低于V
RESET
后
激增。在这种情况下，需要特别注意要注意保证
该TBU
装置将复位，软件作为监控
1用于实现此目的的方法。 BOURNS应用
工程师可以提供进一步的帮助。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TBU - PL系列 - TBU
高速保护器
BOURNS
TBU
设备解决方案
行业标准
符合Telcordia GR -1089 -CORE
内部建设
符合Telcordia GR -1089 -CORE
加强内部建设
浪涌&交流试验
1500 V ， 100 A 2/10微秒
120 V RMS ， 25 A ， 900秒
5000 V， 500 A 2/10微秒
120 V RMS ， 25 A ， 900秒
1500 V ， 100 A 2/10微秒
277 V RMS ， 25 A ， 900秒
1500 V, 40
Ω
10/700 s
4000 V, 40
Ω
10/700 s
230 V rms的10
Ω
-1000
Ω,
900 s
600 V有效值600
Ω,
1 s
1500 V, 40
Ω
10/700 s
4000 V, 40
Ω
10/700 s
230 V rms的10
Ω
-1000
Ω,
900 s
600 V有效值600
Ω,
0.2 s
1500 V, 40
Ω
10/700 s
6000 V, 40
Ω
10/700 s
230 V rms的10
Ω
-1000
Ω,
900 s
600 V有效值600
Ω,
0.2 s
600 V有效值600
Ω,
1 s
1500 V RMS， 200
Ω
2s
1500 V, 40
Ω
10/700 s
6000 V, 40
Ω
10/700 s*
230 V rms的10
Ω
-1000
Ω,
900 s
600 V有效值600
Ω,
0.2 s
600 V有效值600
Ω,
1 s*
1500 V RMS， 200
Ω
2s*
5000 V， 500 A 2/10微秒
120V RMS ， 25 A ， 900秒
1500 V, 40
Ω
10/700 s
6000 V, 40
Ω
10/700 s*
230 V rms的10
Ω
-1000
Ω,
900 s
600 V有效值600
Ω,
0.2 s
600 V有效值600
Ω,
1 s*
1500 V RMS， 200
Ω
2s*
TBU设备P / N
TBU-PL050-xxx-WH
TBU-PL060-xxx-WH
TBU-PL085-xxx-WH
数量。
1
1
1
OVP器件P / N
MOV-07D201K
MOV-10D201K
MOV-10D431K
数量。
2
2
2
TBU-PL060-xxx-WH
1
TISP4400M3BJ
2
ITU -T
K.20 ， K.21 ， K.45基本
TBU-PL075-xxx-WH
1
MOV-10D361K
2
TBU-PL060-xxx-WH
1
TISP4500H3BJ
2
ITU -T
K.20 ， K.21 ， K.45增强
TBU-PL085-xxx-WH
1
MOV-10D391K
2
符合Telcordia GR -1089 -CORE
内部建设
和
ITU -T
K.20 ， K.21 ， K.45增强
TBU-PL085-xxx-WH
1
MOV-10D391K
2
* GDT专用测试保护低于330 V DC击穿（ DCBD ） 。
注： LE9500 ， Le9520和Le9530 （ VE950系列）需要200毫安我
TRIGGER
TBU
设备进行正常操作。
器件的引脚OUT
6
垫名称
垫＃
引脚输出
1号线
VDD
未使用
1号线SLIC
垫＃
5
6
7
8
引脚输出
2号线SLIC
VSS
未使用
2号线
8
5
1
2
4
1
3
2
4
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TBU - PL系列 - TBU
高速保护器
性能图
典型的V-I特性（ TBU- PL085-200 -WH ）
典型的触发电流与温度的关系
1.8
归一化的触发电流（ A）
当前
（50毫安/ DIV ）
I
旅
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125
V
RESET
电压
（ 5 V / DIV ）
结温（ ° C）
跟踪电压特性
VBAT范围为-25 V至-150伏
典型的电阻与温度
2.2
归一化电阻（Ω）
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
100
90
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-75 -50 -25
电阻（ ）
80
70
60
50
40
电压阈值偏移量（V）的
0
25
50
75 100 125
结温（ ° C）
功率降额曲线
3.0
典型的浪涌响应
一方面，没有PCB的Cu
一方面， 0.5平方英寸的PCB的Cu
两面一样，不能PCB的Cu
双方， 0.5平方英寸的PCB的Cu
电压： 100 V / DIV
2.5
总计最大。功率（W）的
2.0
时间： 250 ns /格
1.5
电流：100毫安/ DIV
1.0
0.5
0.0
20
40
60
80
100
120
140
结温（ ° C）
（ TBU - PL050-100 -WH与MOV - 07D201K
采用1800 V 1.2 / 50毫秒浪涌脉冲）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TBU - PL系列 - TBU
高速保护器
产品外形尺寸
0.70
(.028)
0.825
(.032)
0.40
(.016)
0.825
(.032)
6.50
(.256)
0.85 ± 0.05
(.033 ± .002)
1.335
(.053)
0.30
(.012)
1.15
(.045)
1.20
(.047)
1.35
(.053)
0.725
(.029)
1.275
(.050)
0.30
(.012)
1.275
(.050)
0.85
(.033)
0.73
(.029)
0.85
(.033)
1.35
(.053)
4.00
(.157)
1.20
(.047)
0.85
(.033)
0.85
(.033)
1.275
(.050)
0.25
C
销1
(.010)
1.30
(.051)
0.75
(.030)
PIN 1 &背侧倒角
0.80 - 0.95
(.031 - .037)
1.335
(.053)
1.25
(.049)
0.75
(.030)
0.70
(.028)
0.90
(.035)
0.85
(.033)
0.85
(.033)
0.00 - 0.05
(.000 - .002)
尺寸：
MM
（英寸）
0.75
(.030)
0.40
(.016)
推荐焊盘布局
TBU
保护有雾锡端接连接的光洁度。该
建议布局应使用非阻焊德网络NE （ NSMD ） 。
推荐的模板厚度为0.10-0.12毫米（ .004-
0.005英寸）与模板开口尺寸0.025毫米（ 0.0010英寸）少
比器件焊盘尺寸。由于在散热任何权力
设备，则建议在可能的情况，额外的印刷电路板
铜区域是允许的。对于最小寄生电容，做
不允许任何下方的任何信号，地面或功率信号
该装置的垫。
热敏电阻与其他PCB的Cu区
120
热阻（ ° C / W）
100
权力TBU一方
设备
总功率在TBU的两面
设备
80
60
40
20
8
7
6
5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
新增铜面积（平方英寸）。
1
2
3
4
暗灰色区域表示增加PCB的覆铜面积为更好的
热阻。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
QQ：2881677436 复制
