【半导体TBN6501U硅NPN晶体管SOT-323以毫米单位2.1±0.11.25±0.05□应用-】,IC型号TBN6501U,TBN6501U PDF资料,TBN6501U经销商,ic,电子元器件-51电子网

半导体

TBN6501U

硅NPN晶体管

SOT-323

以毫米单位

2.1±0.1

1.25±0.05

□

应用

- 在1GHz的宽带放大器的应用

- 在电视调谐器SAW过滤器驱动程序

2.0±0.2

1.30±0.1

0.30±0.1

0.1分钟。

□

特点

- 增益带宽积

= 1.1在V GHz的

= 3 V，I

= 20毫安

= 1.5 GHz的在V

= 5 V，I

= 30毫安

- 功率增益

= 3.0分贝V

= 3 V，I

= 10 mA时， F = 1 GHz的

- 噪声系数

NF = 1.8分贝V

= 3 V，I

= 10 mA时， F = 1 GHz的

0.90±0.1

引脚配置

1.基地

2.辐射源

3.收集

□

绝对最大额定值

= 25

℃)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

工作结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

评级

100

200

150

-65 ~ 150

单位

℃

小心

静电放电

敏感设备

0~0.1

0.15±0.05

TBN6501U

□

电气特性

= 25

℃)

参数

集电极截止电流

符号

CBO

首席执行官

发射极截止电流

直流电流增益

增益带宽积

EBO

测试条件

= 15 V，I

= 0毫安

= 8 V，I

= 0毫安

= 2 V，I

= 0毫安

= 3 V，I

= 10毫安

= 3 V，I

= 20毫安

= 5 V，I

= 30毫安

插入功率增益

= 3 V，I

= 20 mA时， F = 1 GHz的

= 5 V，I

= 30 mA时， F = 1 GHz的

噪声系数

反向传输电容

= 3 V，I

= 10 mA时， F = 1 GHz的

= 3 V，I

= 0 mA时， F = 1兆赫

分钟。

0.9

1.3

典型值。

1.1

1.5

3.0

4.0

1.8

2.0

马克斯。

0.5

250

GHz的

单位

□

分类

记号

价值

SD2

80 - 160

SD1

125 - 250

TBN6501U

□

典型特征（T

= 25

℃

除非另有规定编）

功耗

- 环境温度

300

3.0

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

反向传输电容，C

（PF ）

2.8

2.6

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

F = 1 MHz的

功耗，P

（ mW）的

250

200

150

100

125

150

环境温度，T

( C)

集电极 - 基极电压，V

(V)

直流电流增益

与集电极电流

300

= 3 V

250

集电极电流

与基地发射极电压

= 3 V

集电极电流，I

[马]

100

直流电流增益，H

200

150

100

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

0.1

集电极电流，I

（MA ）

基地发射极电压，V

[V]

TBN6501U

集电极电流

与集电极到发射极电压

增益带宽积

与集电极电流

3.0

增益带宽积，女

（千兆赫）

步= 50

集电极电流，I

（MA ）

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

= 3 V

= 5 V

集电极到发射极电压，V

(V)

集电极电流，I

（MA ）

插入功率增益

与集电极电流

最大可用增益

与集电极电流

最大可用增益， MAG （分贝）

插入功率增益| S

| （ dB）的

= 3 V

= 5 V

F = 1 GHz的

= 3 V

= 5 V

F = 1 GHz的

100

集电极电流，I

（MA ）

集电极电流，I

（MA ）

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