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初步speci fi cation
NPN硅晶体管RF
SOT323
TBN6301系列
以毫米单位
2.1±0.1
1.25±0.05
应用
- UHF和VHF宽频带放大器
2.0±0.2
1.30±0.1
1
3
2
0.30±0.1
0.1分钟。
特点
- 高增益带宽积
f
T
= 6 GHz的@ V
CE
= 3 V,I
C
= 10毫安
f
T
= 7.5 GHz的@ V
CE
= 5 V,I
C
= 20毫安
- 高功率增益
|S
21
|
2
= 9分贝@ V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 1 GHz的
- 低噪声系数
NF = 1.4 dB的V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 1 GHz的
0.90±0.1
引脚配置
(TBN6301U)
1.基地
2.辐射源
3.收集
绝对最大额定值
(T
A
= 25
℃)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
工作结温
储存温度
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
评级
20
8
3
75
150
150
-65 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
小心
:
静电放电
敏感设备
http://www.tachyonics.co.kr
2005年12月。
0~0.1
第1页6
1.0版
0.15±0.05
初步speci fi cation
电气特性
(T
A
= 25
℃)
参数
集电极截止电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积
I
EBO
h
FE
f
T
测试条件
V
CB
= 15 V,I
E
= 0毫安
V
CE
= 8 V,I
B
= 0毫安
V
EB
= 2 V,I
C
= 0毫安
V
CE
= 3 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 3 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 20毫安
插入功率增益
|S
21
|
2
V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 1 GHz的
V
CE
= 5 V,I
C
= 20 mA时, F = 1 GHz的
噪声系数
反向传输电容
NF
C
re
V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 1 GHz的
V
CB
= 3 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
50
5
6
7
7
TBN6301系列
分钟。
典型值。
马克斯。
0.5
10
0.5
250
单位
6
7.5
9
9.5
1.4
1.1
1.8
GHz的
GHz的
dB
dB
pF
h
FE
分类
记号
h
FE
价值
SB2
50 - 160
SB1
125 - 250
可用软件包
产品
TBN6301S
TBN6301U
TBN6301E
TBN6301KF
SOT23
SOT323
SOT523
SOT623F
以毫米单位
2.9
1.3, 1.2t
2.0
1.25, 1.0t
1.6
0.8, 0.8t
1.4
0.8, 0.6t
http://www.tachyonics.co.kr
2005年12月。
第2 6
1.0版
初步speci fi cation
TBN6301系列
典型特征(T
A
= 25
除非另有规定编)
功耗
- 环境温度
200
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容,C
re
(PF )
1.4
F = 1 MHz的
集电极耗散功率,P
C
( mW)的
150
1.2
100
1.0
50
0
0
25
50
75
100
o
125
150
0.8
0
1
2
3
4
5
6
7
环境温度,T
A
( C)
集电极 - 基极电压,V
CB
(V)
直流电流增益
与集电极电流
400
350
300
V
CE
= 3 V
30
25
20
15
10
5
集电极电流
与基地发射极电压
V
CE
= 3 V
250
200
150
100
50
0
0.1
集电极电流,I
C
(MA )
1
10
100
直流电流增益,H
FE
0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
集电极电流,I
C
(MA )
基地发射极电压,V
BE
(V)
http://www.tachyonics.co.kr
2005年12月。
第3页6
1.0版
初步speci fi cation
TBN6301系列
基极电流,集电极电流
与基地发射极电压
基极电流,我
B
或集电极电流,I
C
(A)
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0
集电极电流
与集电极到发射极电压
70
I
B
步= 50
A
-1
-2
集电极电流,I
C
(MA )
V
CE
= 3 V
60
50
40
30
20
10
-3
-4
-5
-6
-7
-8
10
-9
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.0
0
1
2
3
4
5
6
基地发射极电压,V
BE
(V)
集电极到发射极电压,V
CE
(V)
增益带宽积
与集电极电流
14
30
插入功率增益
与频率的关系
V
CE
= 3 V
I
C
= 10毫安
增益带宽积,女
T
(千兆赫)
12
10
8
6
4
2
0
1
插入功率增益| S
21
| ( dB)的
V
CE
= 3 V
V
CE
= 5 V
V
CE
= 7 V
25
20
15
10
5
0
0.1
2
10
100
1
集电极电流,I
C
(MA )
频率(GHz )
http://www.tachyonics.co.kr
三月。 2005年。
第4 6
1.0版
初步speci fi cation
TBN6301系列
插入功率增益
与集电极电流
16
20
最大可用增益
与集电极电流
最大可用增益, MAG (分贝)
V
CE
= 3 V
V
CE
= 5 V
V
CE
= 7 V
F = 1 GHz的
插入功率增益| S
21
| ( dB)的
14
12
10
8
6
4
2
0
1
V
CE
= 3 V
V
CE
= 5 V
V
CE
= 7 V
F = 1 GHz的
2
15
10
5
0
10
100
1
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
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三月。 2005年。
分页: 5 6
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