【半导体TBN4228系列硅NPN晶体管SOT-323以毫米单位2.1±0.11.25±0.05□应用】,IC型号TBN4228,TBN4228 PDF资料,TBN4228经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

TBN4228系列

硅NPN晶体管

SOT-323

以毫米单位

2.1±0.1

1.25±0.05

□

应用

- VHF和UHF低噪声放大器

2.0±0.2

1.30±0.1

1

3

2

0.30±0.1

0.1分钟。

□

特点

- 高增益带宽积

f

T

= 9在V GHz的

CE

= 3 V，I

C

= 5毫安

- 高功率增益

|S

21

|

2

= 6.6分贝在V

CE

= 3 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz的

|S

21

|

2

= 12分贝V

CE

= 3 V，I

C

= 10 mA时， F = 1 GHz的

0.90±0.1

NF = 1.9分贝V

CE

= 3 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz的

NF = 1.2分贝V

CE

= 3 V，I

C

= 3 mA时， F = 1 GHz的

引脚配置

1.基地

2.辐射源

3.收集

□

绝对最大额定值

(T

A

= 25

℃)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

工作结温

储存温度

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

C

P

合计

T

j

T

英镑

评级

20

8

3

35

150

150

-65 ~ 150

单位

V

V

V

mA

mW

℃

℃

小心

:

静电放电

敏感设备

0~0.1

- 低噪声系数

0.15±0.05

1

TBN4228系列

□

电气特性

(T

A

= 25

℃)

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

增益带宽积

插入功率增益

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

f

T

|S

21

|

2

测试条件

V

CB

= 15 V，I

E

= 0毫安

V

EB

= 2 V，I

C

= 0毫安

V

CE

= 3 V，I

C

= 5毫安

V

CE

= 3 V，I

C

= 5毫安

V

CE

= 3 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz的

V

CE

= 3 V，I

C

= 10 mA时， F = 1 GHz的

噪声系数

反向传输电容

NF

C

re

V

CE

= 3 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz的

V

CB

= 3 V，I

E

= 0 mA时， F = 1兆赫

分钟。

-

-

70

6.0

5.0

10.0

-

-

典型值。

-

-

100

9.0

6.6

12.0

1.9

0.5

马克斯。

0.5

0.5

250

-

-

-

3.0

0.8

dB

pF

GHz的

dB

单位

□

h

FE

分类

记号

h

FE

价值

SO2

70 - 140

SO1

125 - 250

□

可用软件包

产品

TBN4228S

TBN4228U

TBN4228E

TBN4228KF

包

SOT-23

SOT-323

SOT-523

SOT-623F

以毫米单位

维

2.9

ⅹ

1.3, 1.2t

2.0

ⅹ

1.25, 1.0t

1.6

ⅹ

0.8, 0.8t

1.4

ⅹ

0.8, 0.6t

2

TBN4228系列

□

典型特征（T

A

= 25

℃

除非另有规定编）

总功耗

- 环境温度

250

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

0.8

反向传输电容，C

re

（PF ）

总功率耗散，P

合计

（ mW）的

自由的空气

200

F = 1 MHz的

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

150

100

50

0

0

25

50

75

100

o

125

150

0

2

4

6

8

10

12

环境温度，T

A

( C)

集电极 - 基极电压，V

CB

(V)

直流电流增益

与集电极电流

300

V

CE

= 3 V

集电极电流

与基地发射极电压

30

V

CE

= 3 V

25

100

集电极电流，I

C

（MA ）

1

10

50

直流电流增益，H

FE

20

15

10

5

0

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

50

10

0.5

集电极电流，I

C

（MA ）

基地发射极电压，V

BE

(V)

3

TBN4228系列

集电极电流

与集电极到发射极电压

14

14

增益带宽积

与集电极电流

V

CE

= 3 V

F = 2 GHz的

增益带宽积，女

T

（千兆赫）

12

12

10

8

6

4

2

0

集电极电流，I

C

（MA ）

10

8

6

4

2

0

80

A

60

A

40

A

I

B

= 20

A

0

1

2

3

4

5

1

10

50

集电极到发射极电压，V

CE

(V)

集电极电流，I

C

（MA ）

插入功率增益

与频率的关系

25

插入功率增益

与集电极电流

16

V

CE

= 3 V

F = 1 GHz的

插入功率增益| S

21

| （ dB）的

20

插入电源吉安， | S

21

| （ dB）的

V

CE

= 3 V

I

C

= 5毫安

14

12

10

8

6

4

2

0

1

2

15

2

F = 2 GHz的

10

5

0

0.1

1

5

10

50

频率（GHz ）

集电极电流，I

C

（MA ）

4

TBN4228系列

最大可用增益

与集电极电流

20

V

CE

= 3 V

F = 1 GHz的

5

V

CE

= 3 V

4

噪声系数

与集电极电流

最大可用增益， MAG （分贝）

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

1

噪声系数NF （ dB）的

3

F = 2 GHz的

2

F = 1 GHz的

F = 2 GHz的

1

10

50

0

0.5

1

10

50

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

噪声参数与频率的关系

（在V

CE

= 3 V，I

C

= 5 mA）的

频率

（千兆赫）

0.9

1

1.5

2

FMIN （ dB）的

1.579

1.465

1.745

1.984

rn

0.493

0.474

0.446

0.364

Γ

选择

MAG

0.5441

0.5147

0.4479

0.3423

相

24.21

30.26

38.57

47.01

公会增益

（ dB）的

11.591

11.087

8.4

6.902

G

最大

（ dB）的

15.517

14.827

10.687

8.926

5

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