TBB1004
双人内建偏置电路MOS FET IC
VHF / UHF射频放大器
ADE - 208-988H （ Z）
第9位。版
2000年12月
特点
小型SMD封装CMPAK - 6内置双BBFET ;为了减少使用零件成本& PC板空间。
适用于世界标准调谐器RF放大器。
非常有用的总量减少调谐器的成本。
承受静电放电;打造ESD吸收二极管。承受高达200V的C = 200pF的，卢比= 0
条件。
提供迷你模具包; CMPAK - 6
概要
CMPAK-6
6
5
4
2
1
3
1.漏（ 1 ）
2.源
3.栅- 1（1）
4.门- 1（2）
5.门- 2
6.漏（2）
注意事项：
1.
2.
标记为“DM” 。
TBB1004是日立TWIN BBFET个别型号。
TBB1004
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
GATE1至源极电压
GATE2至源极电压
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
PCH
*3
总胆固醇
TSTG
评级
6
+6
-0
+6
-0
30
250
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注： 3。价值上的玻璃环氧树脂板（ 49毫米
×
38mm
×
1mm).
电气特性
（ TA = 25°C ）
下面的说明适用于UHF单元（ FET1 ）
项
漏源击穿
电压
GATE1源击穿
电压
GATE2源击穿
电压
符号
V
（ BR ） DSS
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
民
6
+6
+6
—
—
0.5
0.5
13
21
1.4
1.0
—
16
典型值
—
—
—
—
—
0.7
0.7
17
26
1.8
1.4
0.02
21
最大
—
—
—
+100
+100
1.0
1.0
21
31
2.2
1.8
0.04
—
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
mA
mS
pF
pF
pF
dB
测试条件
I
D
= 200μA ，V
G1S
= V
G2S
= 0
I
G1
= + 10μA ，V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
= + 10μA ，V
G1S
= V
DS
= 0
V
G1S
= +5V, V
G2S
= V
DS
= 0
V
G2S
= +5V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 5V, V
G2S
= 4V ，我
D
= 100A
V
DS
= 5V, V
G1S
= 5V ，我
D
= 100A
V
DS
= 5V, V
G1
= 5V
V
G2S
= 4V ，R
G
= 100k
V
DS
= 5V, V
G1
= 5V, V
G2S
=4V
R
G
= 100kΩ的中，f = 1kHz时
V
DS
= 5V, V
G1
= 5V
V
G2S
= 4V ，R
G
= 100k
F = 1MHz的
V
DS
= V
G1
= 5V, V
G2S
= 4V
R
G
= 100kΩ的， F = 900MHz的
紫= S11 * ，莫宁= S22 * （ ： PG ）
紫= S11opt （ ： NF ）
GATE1到源截止电流I
G1SS
GATE2到源截止电流I
G2SS
GATE1源截止电压V
G1S(off)
GATE2源截止电压V
G2S(off)
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
功率增益
I
D（ OP ）
|y
fs
|
c
国际空间站
c
OSS
c
RSS
PG
噪声系数
NF
—
1.7
2.5
dB
2
TBB1004
测试电路
直流偏置电路的工作特色项目
(I
D（ OP ）
， | YFS | ，西塞，科斯，的Crss ， NF ， PG ）
FET1中的测算
门2
V
G2
开放
开放
I
D
V
D
A
漏
来源
门1
R
G
V
G1
FET 2中的测算
V
G2
门2
漏
I
D
V
D
A
门1
R
G
V
G1
开放
来源
开放
4
TBB1004
双内置偏置电路MOS FET IC
VHF / UHF射频放大器
REJ03G0842-1100
Rev.11.00
2006年8月22日
特点
小型SMD封装CMPAK - 6内置双BBFET ;为了减少使用零件成本& PC板空间。
适用于世界标准调谐器RF放大器。
非常有用的总量减少调谐器的成本。
承受静电放电;内置ESD吸收二极管。承受高达200V的C = 200pF的，卢比= 0的条件。
提供迷你模具包; CMPAK - 6
概要
瑞萨封装代码： PTSP0006JA -A
（包名称： CMPAK - 6 ）
6
5
4
2
1
3
1.漏（ 1 ）
2.源
3.栅- 1（1）
4.门- 1（2）
5.门- 2
6.漏（2）
注意事项：
1.标记为“DM” 。
2. TBB1004是RENESAS TWIN BBFET个别型号。
Rev.11.00 2006年8月22日第1页9
TBB1004
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
GATE1至源极电压
GATE2至源极电压
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
评级
6
+6
-0
+6
-0
30
250
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
漏电流
I
D
信道功率耗散
PCH
*3
通道温度
总胆固醇
储存温度
TSTG
注： 3。价值上的玻璃环氧树脂板（ 49毫米
×
38mm
×
1mm).
电气特性
（ TA = 25°C ）
下面的说明适用于UHF单元（ FET1 ）
项
漏源击穿电压
GATE1至源极击穿电压
GATE2至源极击穿电压
GATE1到源截止电流
GATE2到源截止电流
GATE1到源截止电压
GATE2到源截止电压
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
功率增益
噪声系数
符号
V
（ BR ） DSS
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
I
G1SS
I
G2SS
V
G1S(off)
V
G2S(off)
I
D（ OP ）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
PG
NF
民
6
+6
+6
—
—
0.5
0.5
13
21
1.4
1.0
—
16
—
典型值
—
—
—
—
—
0.7
0.7
17
26
1.8
1.4
0.02
21
1.7
最大
—
—
—
+100
+100
1.0
1.0
21
31
2.2
1.8
0.04
—
2.5
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
mA
mS
pF
pF
pF
dB
dB
测试条件
I
D
= 200
A,
V
G1S
= V
G2S
= 0
I
G1
= +10
A,
V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
= +10
A,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
G1S
= +5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
V
G2S
= +5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4 V
I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
G1S
= 5 V
I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V ，R
G
= 100 k
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V
R
G
= 100 kΩ的， F = 1千赫
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V ，R
G
= 100 k
F = 1 MHz的
V
DS
= V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V
R
G
= 100 kΩ的， F = 900兆赫
紫= S11 * ，莫宁= S22 * （ ： PG ）
紫= S11opt （ ： NF ）
Rev.11.00 2006年8月22日第2 9
TBB1004
测试电路
直流偏置电路的工作特色项目
(I
D（ OP ）
， | YFS | ，西塞，科斯，的Crss ， NF ， PG ）
FET1中的测算
门2
V
G2
开放
开放
I
D
V
D
A
漏
来源
门1
R
G
V
G1
FET 2中的测算
V
G2
门2
漏
I
D
V
D
A
门1
R
G
V
G1
开放
来源
开放
Rev.11.00 2006年8月22日第4页9
QQ：2880707522 复制
