TB6598FN/FNG
暂定
东芝双CMOS集成电路
硅单片
TB6598FN/FNG
双路全桥式驱动器，用于步进电机
该TB6598FN / FNG是2相双极步进电机驱动器
采用一种LDMOS结构具有低的导通电阻为
输出驱动晶体管。通过将四个输入信号（EN1 ，
EN2 ， IN1，IN2 ） ，所以能够控制旋转方向
2相/ 1-2相步进电机的（正向/反向） 。
另外，也可以实现恒流驱动器（PWM
斩波驱动） 。
特点
电机电源电压： V
M
≤
15 V （最大值）
控制电源电压： V
CC
= 2.7 V至6 V
输出电流：我
OUT
≤
0.8 A（最大值）
低导通电阻： 1.5
（上侧+下侧（典型值） @ V
M
= 5 V)
恒流控制（ PWM斩波驱动）
待机（节电）模式
芯片上的热关断电路（ TSD ）
紧凑的封装： SSOP- 16
TB6598FNG ：
TB6598FNG是无铅产品。
以下条件适用于焊性：
*可焊
1.使用的Sn- 37Pb焊料焊浴
*焊浴温度为230℃
*浸渍时间= 5秒
*次数=一次
*采用R型助焊剂
2.使用的Sn- 3.0Ag - 0.5Cu无铅焊锡浴
*焊浴温度= 245C
*浸渍时间= 5秒
*的次数=一次
*采用R型助焊剂
重量0.07克（典型值）。
本产品具有MOS结构，对静电放电很敏感。当处理产品，
确保环境受到保护，防止静电放电通过使用一个接地条，一
导电垫和离子发生器。确保也使环境温度和相对湿度分别为
保持在合理的水平。
正确安装产品。否则，击穿，在产品的损害和/或降解或
可能会导致设备。
1
2006-3-6
TB6598FN/FNG
框图
GND
5
EN1 8
9 EN2
IN1 10
IN2 11
定时
逻辑
预驱动器
控制
逻辑
3 AO1
H- BRIDGE
B
1 AO2
2 RFA
12
OSC
TSD
16 BO1
VLIM 7
定时
逻辑
VREF
0.6 V
BAND
GAP
预驱动器
H- BRIDGE
B
14 BO2
15 RFB
V
CC
6
13 V
M
OSC
VREF 4
一些功能块，电路或常量可以被省略或简化为说明的框图
的目的。
引脚功能
引脚名称
AO2
RFA
AO1
VREF
GND
V
CC
VLIM
EN1
EN2
IN1
IN2
OSC
V
M
BO2
RFB
BO1
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
功能说明
输出2（CH A）
绕组电流检测引脚
（章节A）
输出1 （通道A）
内部参考电压
接地引脚
小信号电源引脚
绕组电流设置引脚
使能输入1
使能输入2
控制输入1
控制输入2
内部的振荡频率
设置引脚
电机电源引脚
输出2（CH 。 B）
绕组电流检测引脚
（章节B）
输出1 （章节B）
CH 。 B电机绕组接线端子
连接振荡器外部电容
V
M（ OPE ）
=
4.5 V至13.5 V
CH 。 B电机绕组接线端子
V
CC （ OPE ）
=
2.7 V至5.5 V
ICOIL （ A）
=
VLIMIT （V ） /外部RF （ Ω ）
CH 。电机绕组接线端子
+0.6
V（ TYP 。 ）
备注
CH 。电机绕组接线端子
2
2006-3-6
TB6598FN/FNG
真值表1
EN1 （ EN2 ）
L
H
L
H
L
前锋
IN1 （ IN2 ）
*
H
AO1 （ BO1 ）
关闭
L
AO2 （ BO2 ）
关闭
H
模式
全部关闭
反向
“*”表示“不关心”。
真值表2
EN1
L
L
H
H
（注）
EN2
L
H
L
H
手术
（注）
模式
待机
注： VINL （ EN1
=
EN2)
＆ LT ;
0.5 V.
=
操作说明
的等效电路图，可以简化或出于解释的目的，可以省略其中的一些部分。
V
CC
115uA
20微安
t2
1.2 V
收费
ON
OSC
40 k
COSC
放电
ON
115微安
0.8 V
振荡器电路
20 k
t1
VOSC
波形
内部振荡频率由充电和放电的外部电容器（COSC）来确定。
VOSC
=
1
∫
I DT
,
COSC
ΔVosc =
I× （ T1
t2)/Cosc,
,
VOSC
½
COSC
1
I
FOSC
=
=
,
2 (t1
t2) 2
½
VOSC
½
COSC
1
1
（
理论公式
）
.
=
=
2
×
0.4/115
A
×
COSC
3
6.957
×
10
×
COSC
1
t1
t2
＝
I
3
2006-3-6
TB6598FN/FNG
斩波控制
绕组电流，而输出驱动晶体管导通。当V
RF
达到极限电压
电平（ V LIMIT的）时，比较器会检测到它，并关闭输出驱动器晶体管。
振荡器的输出进行平方，以产生一个内部时钟。关机定时器开始就在边上
内部时钟并活跃于两个内部时钟。当关闭计时器停止时，PWM变高。
OSC
内部时钟
关闭计时器
2位计数器
PWM输出
V极限
绕组电流
斩上
*2
*1
*2
*1
*2
*1
*2
*1
*1:
增加电流
*2:
斩波电流
PWM控制限制了绕组电流通过的电流值（I确定的电平
O
）中所表达的
下面的等式：
I
O
=
VLIMT / RNF 。
PWM控制功能
当被提供的PWM控制，在正常操作和短的制动操作被重复。
为了防止贯通电流，死区时间t2和t4的是在IC提供。
VM
M
M
M
RF
<PWM ON>
t1
<PWM ON
→
OFF>
t2
=
400纳秒（典型值）。
<PWM OFF>
t3
M
M
<PWM关闭
→
ON>
t4
=
400纳秒（典型值）。
<PWM ON>
t5
4
2006-3-6
TB6598FN/FNG
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
电源电压
符号
V
M
V
CC
输入电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
V
IN
I
OUT
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
15
6
0.2
6
0.8
0.78 （注1 ）
20
85
55
150
V
A
W
°C
°C
IN1，IN2 ， EN1和EN2
引脚
单位
V
备注
注1：当安装在玻璃环氧印刷电路板（50毫米
×
30 mm
×
1.6毫米，铜面积： 40 ％ ）
一种半导体器件的绝对最大额定值是一组必须不指定参数值的
操作过程中超标，甚至瞬间。
如果任何这些评级的操作期间被超过时，器件的电特性可以是
无可挽回的改变，在这种情况下，设备的可靠性和寿命不再能得到保证。
此外，任何超过运转时的收视率可能引起破裂，损坏和/或降解
其他设备。使用该设备的应用程序的设计应使没有最高评级将永远是
在任何操作条件下超标。
使用，创建和/或生产设计之前，请参阅并遵守规定的注意事项和条件
在此文档。
工作范围
（大
=
20
85
°C)
特征
电源电压（V
CC
)
电源电压（V
M
)
输出电流
限制电压
OSC频率
斩波频率
符号
V
CC
V
M
I
OUT
V
极限
中F OSC
f
CHOP
民
2.7
2.5
GND
20
典型值。
3
5
最大
5.5
13.5
0.6
VREF
1
250
单位
V
V
A
V
兆赫
千赫
5
2006-3-6
TB6598FN/FNG
暂定
东芝双CMOS集成电路硅单片
TB6598FN/FNG
双路全桥式驱动器，用于步进电机
该TB6598FN / FNG是2相双极步进电机驱动器
采用一种LDMOS结构具有低的导通电阻为
输出驱动晶体管。通过将四个输入信号（EN1 ，
EN2 ， IN1，IN2 ） ，所以能够控制旋转方向
2相/ 1-2相步进电机的（正向/反向） 。
另外，也可以实现恒流驱动器（PWM
斩波驱动） 。
特点
电机电源电压： V
M
≤
15 V （最大值）
控制电源电压： V
CC
= 2.7 V至6 V
输出电流：我
OUT
≤
0.8 A（最大值）
低导通电阻： 1.5
（上侧+下侧（典型值） @ V
M
= 5 V)
恒流控制（ PWM斩波驱动）
待机（节电）模式
芯片上的热关断电路（ TSD ）
紧凑的封装： SSOP- 16
TB6598FNG ：
TB6598FNG是无铅产品。
以下条件适用于焊性：
*可焊
1.使用的Sn- 63Pb焊浴
*焊浴温度为230℃
*浸渍时间= 5秒
*次数=一次
*采用R型助焊剂
2.使用的Sn- 3.0Ag - 0.5Cu无铅焊锡浴
*焊浴温度= 245C
*浸渍时间= 5秒
*的次数=一次
*采用R型助焊剂
重量0.07克（典型值）。
本产品具有MOS结构，对静电放电很敏感。当处理产品，
确保环境受到保护，防止静电放电通过使用一个接地条，一
导电垫和离子发生器。确保也使环境温度和相对湿度分别为
保持在合理的水平。
正确安装产品。否则，击穿，在产品的损害和/或降解或
可能会导致设备。
1
2005-01-19
TB6598FN/FNG
框图
GND
5
EN1 8
9 EN2
IN1 10
IN2 11
定时
逻辑
预驱动器
控制
逻辑
3 AO1
H- BRIDGE
B
1 AO2
2 RFA
12
OSC
TSD
16 BO1
VLIM 7
定时
逻辑
VREF
0.6 V
BAND
GAP
预驱动器
H- BRIDGE
B
14 BO2
15 RFB
V
CC
6
13 V
M
OSC
VREF 4
一些功能块，电路或常量可以被省略或简化为说明的框图
的目的。
引脚功能
引脚名称
AO2
RFA
AO1
VREF
GND
V
CC
VLIM
EN1
EN2
IN1
IN2
OSC
V
M
BO2
RFB
BO1
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
功能说明
输出2（CH A）
绕组电流检测引脚
（章节A）
输出1 （通道A）
内部参考电压
接地引脚
小信号电源引脚
绕组电流设置引脚
使能输入1
使能输入2
控制输入1
控制输入2
内部的振荡频率
设置引脚
电机电源引脚
输出2（CH 。 B）
绕组电流检测引脚
（章节B）
输出1 （章节B）
CH 。 B电机绕组接线端子
连接振荡器外部电容
V
M（ OPE ）
=
4.5 V至13.5 V
CH 。 B电机绕组接线端子
V
CC （ OPE ）
=
2.7 V至5.5 V
ICOIL （ A）
=
VLIMIT （V ） /外部RF （ Ω ）
CH 。电机绕组接线端子
+0.6
V（ TYP 。 ）
备注
CH 。电机绕组接线端子
2
2005-01-19
TB6598FN/FNG
真值表1
EN1 （ EN2 ）
L
H
L
H
L
前锋
IN1 （ IN2 ）
*
H
AO1 （ BO1 ）
关闭
L
AO2 （ BO2 ）
关闭
H
模式
全部关闭
反向
“*”表示“不关心”。
真值表2
EN1
L
L
H
H
（注）
EN2
L
H
L
H
手术
（注）
模式
待机
注： VINL （ EN1
=
EN2)
＆ LT ;
0.5 V.
=
操作说明
的等效电路图，可以简化或出于解释的目的，可以省略其中的一些部分。
V
CC
115uA
20微安
t2
1.2 V
收费
ON
OSC
40 k
COSC
放电
ON
115微安
0.8 V
振荡器电路
20 k
t1
VOSC波形
内部振荡频率由充电和放电的外部电容器（COSC）来确定。
VOSC
=
1
∫
I DT
,
COSC
VOSC
=
I× （ T1
t2)/Cosc,
,
VOSC
½
COSC
1
I
FOSC
=
=
,
2 (t1
t2) 2
½
VOSC
½
COSC
1
1
（
理论公式
）
.
=
=
2
×
0.4/115
A
×
COSC
3
6.957
×
10
×
COSC
1
t1
t2
＝
I
3
2005-01-19
TB6598FN/FNG
斩波控制
绕组电流，而输出驱动晶体管导通。当V
RF
达到极限电压
电平（ V LIMIT的）时，比较器会检测到它，并关闭输出驱动器晶体管。
振荡器的输出进行平方，以产生一个内部时钟。关机定时器开始就在边上
内部时钟并活跃于两个内部时钟。当关闭计时器停止时，PWM变高。
OSC
内部时钟
关闭计时器
2位计数器
PWM输出
V极限
绕组电流
斩上
*2
*1
*2
*1
*2
*1
*2
*1
*1:
增加电流
*2:
斩波电流
PWM控制限制了绕组电流通过的电流值（I确定的电平
O
）中所表达的
下面的等式：
I
O
=
VLIMT / RNF 。
PWM控制功能
当被提供的PWM控制，在正常操作和短的制动操作被重复。
为了防止贯通电流，死区时间t2和t4的是在IC提供。
VM
M
M
M
RF
<PWM ON>
t1
<PWM ON
→
OFF>
t2
=
400纳秒（典型值）。
<PWM OFF>
t3
M
M
<PWM关闭
→
ON>
t4
=
400纳秒（典型值）。
<PWM ON>
t5
4
2005-01-19
TB6598FN/FNG
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
电源电压
符号
V
M
V
CC
输入电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
V
IN
I
OUT
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
15
6
0.2
6
0.8
0.78 （注1 ）
20
85
55
150
V
A
W
°C
°C
IN1，IN2 ， EN1和EN2
引脚
单位
V
备注
注1：当安装在玻璃环氧印刷电路板（50毫米
×
30 mm
×
1.6毫米，铜面积： 40 ％ ）
一种半导体器件的绝对最大额定值是一组必须不指定参数值的
操作过程中超标，甚至瞬间。
如果任何这些评级的操作期间被超过时，器件的电特性可以是
无可挽回的改变，在这种情况下，设备的可靠性和寿命不再能得到保证。
此外，任何超过运转时的收视率可能引起破裂，损坏和/或降解
其他设备。使用该设备的应用程序的设计应使没有最高评级将永远是
在任何操作条件下超标。
使用，创建和/或生产设计之前，请参阅并遵守规定的注意事项和条件
在此文档。
工作范围
（大
=
20
85
°C)
特征
电源电压（V
CC
)
电源电压（V
M
)
输出电流
限制电压
OSC频率
斩波频率
符号
V
CC
V
M
I
OUT
V
极限
中F OSC
f
CHOP
民
2.7
2.5
GND
20
典型值。
3
5
最大
5.5
13.5
0.6
VREF
1
250
单位
V
V
A
V
兆赫
千赫
5
2005-01-19
TB6598FN/FNG
暂定
东芝双CMOS集成电路硅单片
TB6598FN/FNG
双路全桥式驱动器，用于步进电机
该TB6598FN / FNG是2相双极步进电机驱动器
采用一种LDMOS结构具有低的导通电阻为
输出驱动晶体管。通过将四个输入信号（EN1 ，
EN2 ， IN1，IN2 ） ，所以能够控制旋转方向
2相/ 1-2相步进电机的（正向/反向） 。
另外，也可以实现恒流驱动器（PWM
斩波驱动） 。
特点
电机电源电压： V
M
≤
15 V （最大值）
控制电源电压： V
CC
= 2.7 V至6 V
输出电流：我
OUT
≤
0.8 A（最大值）
低导通电阻： 1.5
（上侧+下侧（典型值） @ V
M
= 5 V)
恒流控制（ PWM斩波驱动）
待机（节电）模式
芯片上的热关断电路（ TSD ）
紧凑的封装： SSOP- 16
TB6598FNG ：
TB6598FNG是无铅产品。
以下条件适用于焊性：
*可焊
1.使用的Sn- 63Pb焊浴
*焊浴温度为230℃
*浸渍时间= 5秒
*次数=一次
*采用R型助焊剂
2.使用的Sn- 3.0Ag - 0.5Cu无铅焊锡浴
*焊浴温度= 245C
*浸渍时间= 5秒
*的次数=一次
*采用R型助焊剂
重量0.07克（典型值）。
本产品具有MOS结构，对静电放电很敏感。当处理产品，
确保环境受到保护，防止静电放电通过使用一个接地条，一
导电垫和离子发生器。确保也使环境温度和相对湿度分别为
保持在合理的水平。
正确安装产品。否则，击穿，在产品的损害和/或降解或
可能会导致设备。
1
2005-01-19
TB6598FN/FNG
框图
GND
5
EN1 8
9 EN2
IN1 10
IN2 11
定时
逻辑
预驱动器
控制
逻辑
3 AO1
H- BRIDGE
B
1 AO2
2 RFA
12
OSC
TSD
16 BO1
VLIM 7
定时
逻辑
VREF
0.6 V
BAND
GAP
预驱动器
H- BRIDGE
B
14 BO2
15 RFB
V
CC
6
13 V
M
OSC
VREF 4
一些功能块，电路或常量可以被省略或简化为说明的框图
的目的。
引脚功能
引脚名称
AO2
RFA
AO1
VREF
GND
V
CC
VLIM
EN1
EN2
IN1
IN2
OSC
V
M
BO2
RFB
BO1
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
功能说明
输出2（CH A）
绕组电流检测引脚
（章节A）
输出1 （通道A）
内部参考电压
接地引脚
小信号电源引脚
绕组电流设置引脚
使能输入1
使能输入2
控制输入1
控制输入2
内部的振荡频率
设置引脚
电机电源引脚
输出2（CH 。 B）
绕组电流检测引脚
（章节B）
输出1 （章节B）
CH 。 B电机绕组接线端子
连接振荡器外部电容
V
M（ OPE ）
=
4.5 V至13.5 V
CH 。 B电机绕组接线端子
V
CC （ OPE ）
=
2.7 V至5.5 V
ICOIL （ A）
=
VLIMIT （V ） /外部RF （ Ω ）
CH 。电机绕组接线端子
+0.6
V（ TYP 。 ）
备注
CH 。电机绕组接线端子
2
2005-01-19
TB6598FN/FNG
真值表1
EN1 （ EN2 ）
L
H
L
H
L
前锋
IN1 （ IN2 ）
*
H
AO1 （ BO1 ）
关闭
L
AO2 （ BO2 ）
关闭
H
模式
全部关闭
反向
“*”表示“不关心”。
真值表2
EN1
L
L
H
H
（注）
EN2
L
H
L
H
手术
（注）
模式
待机
注： VINL （ EN1
=
EN2)
＆ LT ;
0.5 V.
=
操作说明
的等效电路图，可以简化或出于解释的目的，可以省略其中的一些部分。
V
CC
115uA
20微安
t2
1.2 V
收费
ON
OSC
40 k
COSC
放电
ON
115微安
0.8 V
振荡器电路
20 k
t1
VOSC波形
内部振荡频率由充电和放电的外部电容器（COSC）来确定。
VOSC
=
1
∫
I DT
,
COSC
VOSC
=
I× （ T1
t2)/Cosc,
,
VOSC
½
COSC
1
I
FOSC
=
=
,
2 (t1
t2) 2
½
VOSC
½
COSC
1
1
（
理论公式
）
.
=
=
2
×
0.4/115
A
×
COSC
3
6.957
×
10
×
COSC
1
t1
t2
＝
I
3
2005-01-19
TB6598FN/FNG
斩波控制
绕组电流，而输出驱动晶体管导通。当V
RF
达到极限电压
电平（ V LIMIT的）时，比较器会检测到它，并关闭输出驱动器晶体管。
振荡器的输出进行平方，以产生一个内部时钟。关机定时器开始就在边上
内部时钟并活跃于两个内部时钟。当关闭计时器停止时，PWM变高。
OSC
内部时钟
关闭计时器
2位计数器
PWM输出
V极限
绕组电流
斩上
*2
*1
*2
*1
*2
*1
*2
*1
*1:
增加电流
*2:
斩波电流
PWM控制限制了绕组电流通过的电流值（I确定的电平
O
）中所表达的
下面的等式：
I
O
=
VLIMT / RNF 。
PWM控制功能
当被提供的PWM控制，在正常操作和短的制动操作被重复。
为了防止贯通电流，死区时间t2和t4的是在IC提供。
VM
M
M
M
RF
<PWM ON>
t1
<PWM ON
→
OFF>
t2
=
400纳秒（典型值）。
<PWM OFF>
t3
M
M
<PWM关闭
→
ON>
t4
=
400纳秒（典型值）。
<PWM ON>
t5
4
2005-01-19
TB6598FN/FNG
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
电源电压
符号
V
M
V
CC
输入电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
V
IN
I
OUT
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
15
6
0.2
6
0.8
0.78 （注1 ）
20
85
55
150
V
A
W
°C
°C
IN1，IN2 ， EN1和EN2
引脚
单位
V
备注
注1：当安装在玻璃环氧印刷电路板（50毫米
×
30 mm
×
1.6毫米，铜面积： 40 ％ ）
一种半导体器件的绝对最大额定值是一组必须不指定参数值的
操作过程中超标，甚至瞬间。
如果任何这些评级的操作期间被超过时，器件的电特性可以是
无可挽回的改变，在这种情况下，设备的可靠性和寿命不再能得到保证。
此外，任何超过运转时的收视率可能引起破裂，损坏和/或降解
其他设备。使用该设备的应用程序的设计应使没有最高评级将永远是
在任何操作条件下超标。
使用，创建和/或生产设计之前，请参阅并遵守规定的注意事项和条件
在此文档。
工作范围
（大
=
20
85
°C)
特征
电源电压（V
CC
)
电源电压（V
M
)
输出电流
限制电压
OSC频率
斩波频率
符号
V
CC
V
M
I
OUT
V
极限
中F OSC
f
CHOP
民
2.7
2.5
GND
20
典型值。
3
5
最大
5.5
13.5
0.6
VREF
1
250
单位
V
V
A
V
兆赫
千赫
5
2005-01-19
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