TB62709N/F
东芝双CMOS集成电路硅单片
TB62709N,TB62709F
借助内置的解码器7段驱动器
(共阳极的性能,最大4位数字控制)
该TB62709N和TB62709F是多功能,结构紧凑,
7段LED显示驱动器。
这些IC可直接驱动7段显示器和个人
发光二极管,并可以控制任何一个4位数字显示,带小数点
点,涨幅为32个LED灯。
这些IC也可以使用具有共阳极显示器。其
输出恒定电流,安培水平处设置
使用外部电阻器。
同步串行端口的IC连接到CPU 。
控制由该装置包括设置在不同的模式下
占空比控制寄存器组数字集,解码设置和待机设置,
都是基于串行数据的每16位。
TB62709N
TB62709F
特点
控制电路的电源电压
: V
DD
= 4.5 5.5 V
数字输出额定值
: 17 V /
400
mA
解码器的额定输出功率
: 17 V / 50毫安
内置的解码器
:解码数字0到9 ,某些字母
字符,并且当然空白代码。
数字控制功能
:可以扫描数字输出DIG - 0挖- 3连接时,
到7段显示器的共阳极引脚。
最大传输次数
: f
CLK
= 15 MHz的
解码器输出( OUT -A与OUT -DP )
输出电流可以被设置为使用外部电阻器的40毫安最大。
恒流误差( TA = 25° C,V
DD
= 5.0 V)
:位之间变化为± 7 % ,设备之间的差异
(包括比特之间变化) = ± 15%在V
CE
≥
0.7 V
包
: 24针SDIP ( SDIP24 -P - 300-1.78 )
24引脚SSOP ( SSOP24 -P - 300-1.00 )
重量
SDIP24 -P - 300-1.78 1.62克(典型值)。
SSOP24 -P - 300-1.00 0.32克(典型值)。
1
2006-06-14
TB62709N/F
引脚功能
引脚数
1
2
3
引脚名称
V
DD
DATA- IN( DI)的
时钟(CK)
5 V电源引脚。
串行数据输入引脚。
时钟输入引脚。移位寄存器在时钟的上升沿转移的数据。
载荷信号的输入引脚。在D中的数据
8
到D
15
被读出的上升沿和当前
加载中注册自中当值寄存器,译码&位寄存器选择,或
数据寄存器0到3对D
0
到D
7
在16位移位寄存器的位包含数据对应
刚才描述的相同的寄存器中,读取的负荷信号的下降沿其中。
段驱动输出引脚。在A至Dp的输出对应于7段。这些
引脚输出恒定的灌电流。这些引脚连接到相应的LED的
阴极。
接地引脚,有两个可使用的对地输出OUT -A与OUT - Dp的引脚。
产品测试引脚。在正常使用时,一定要接地。
产品测试引脚。在正常使用时,一定要接地。
数字输出引脚。这些引脚可以控制在四个七段数字之一
显示。
这些引脚输出的V
CC
端子电压作为源的电流输出。这些引脚连接到
LED的阳极。
电源引脚的数字输出。
当前设置引脚为OUT -A与OUT -DP引脚。连接该引脚之间的电阻
当设定电流接地。
串行数据输出引脚。使用的时候TB62709N或TB62709F设备级联使用
连接。
接地引脚为逻辑电路和模拟电路。
功能
4
LOAD ( LD )
5~12
13, 21
14
15
OUT- A到
OUT -DP
P- GND
TESTIN2
TESTIN1
16, 17, 19, 20
DIG - 0挖- 3
18
22
23
24
V
CC
R- EXT
DATA -OUT ( DO)的
L = GND
3
2006-06-14
TB62709N/F
时序图
数据输入
将数据传送到每一个16位地址相结合的DATA- IN管脚(8比特)和数据(8比特) 。 16后
th
时钟信号输入下面这个数据传输的输入来自LD引脚负载信号。
投入使用Active高脉冲负载信号。寄存器地址被设置在负载脉冲的上升沿。
在随后的下降沿,数据被读出寄存器的模式的数据。
4
2006-06-14
TB62709N/F
操作描述
数据输入( SERIAL -IN ,时钟, LOAD )
这些数据是串行输入使用的串行输入引脚。数据输入接口一共有三个的
投入: SERIAL -IN ,负载和时钟。
存储在16位移位寄存器的二进制代码提供控制模式,包括占空比控制寄存器设置, Digitset ,
解码设置,并且待机设置,
的数据被移位在时钟的上升沿,从MSB开始。级联连接TB62709N或
TB62709F设备提供功能,用于控制的数字的数量较多。
在16位移位寄存器中的串行数据被使用如下:在4位
15
(MSB)到D
12
选择IC
操作模式(表1 ),而D11到D
8
选择对应于操作模式(表2)的寄存器。
位
7
到D
0
在16位移位寄存器( LSB)被用于详细设置,例如在使用中位数,
在每一个数字字符设置,光照强度。
的内部寄存器的LOAD信号的上升沿,从而使装载的数据从装载
外部源到D
15
(MSB)到移位寄存器中,操作模式和对应的D8的位
注册选择数据。在随后的下降沿,详细设置的D数据
7
至D0 ( LSB)被加载。
正常情况下负荷低。 16位的串行传输之后,一个高电平脉冲的输入端加载的数据。
请注意以下注意事项:使用D
15
到D
8
设置和D
7
到D
0
详细数据设定为一对。如果仅
D
7
到D
0
数据输入无需设置
15
到D
8
一个错误条件,可能导致在该装置不会
正常操作。如果当前模式是由一个新的信号重新设定为D中的数据
15
到D
8
还必须重新输入。
操作注意事项
在上电或清除模式(初始状态)操作之后,再次设置IC普通模式。否则,该
IC将不会驱动LED 。
操作IC的空白模式(所有的灯关闭) ,或在所有启动模式(所有的灯亮)不影响内部数据。
该IC设置为普通模式再次延续了LED照明所提出的设置所决定的状态
立即模式改变之前。
正常模式(没有关闭,清除,空白,或在所有模式)继续加载寄存器设置操作
模式。在正常模式下,操作是由在加载寄存器所做的任何新设置所决定,只要
更改后的设定值被加载。
5
2006-06-14
东芝双CMOS集成
电路硅单片
TB62709N/F
智能化,
恒定电流,
7段LED数字显示
解码器/驱动器。对于共阳极配置使用
数字显示。
该TB62709N / F是一个智能
恒流
LED显示屏
驱动程序专为七段LED显示器AP-设计
并发症。在独立的设备包括所有的译码,
复用和必要的驱动电路来控制多达4 7
段LED数字。所有的需要的信息的程序
多达四个LED数字输入串行包括16步bright-
岬控制。扩张超出四位有可能用一种
级联连接到第二设备。该器件automati-
美云刷新并保持所显示的信息。
TB62709N
SDIP24 -P - 300-1.78重量: 1.62克(典型值)
TB62709F
特点
恒流
段驱动器的显示一致
亮度。
单台设备节省了劳动力和电路板空间。
内部字符集简化了设计工作。
自动处理复用和显示器的刷新任务。
16级可编程亮度控制。
单台设备可控制多达四个数字。
可在通孔和表面贴装封装。
数据输出端口级联扩展超越四位数字。
SSOP24 -P - 300-1.00重量: 0.32克(典型值)
性能特点
V
DD
= 4.5V~5.5V
数位使能: 17V / 400毫安
段选择: 17V / 0-40mA
最大跃迁频率: 15MHz的
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东芝双CMOS集成
电路硅单片
TB62709N/F
框图:
最大额定值:
HAR AC TERISTIC S
电源电压
LED电源电压
源输出C光凭目前
igit 0 3
D段左岸光凭目前
段A |D P
输出C光凭目前
输入电压
锁定频率
总输出C光凭目前
符号
VD
VC
ID IG
IOUT
IOH / IOL
VIN
FC LK
IVD
ATIN摹
7.0
17
-400
50
+/- 5
-0.3 VD
~+0.3
15
400
TB62709N : 1.78
功率D issipation
PD
TB62709F : 0.62
工作温度
储存温度
TOPR
TSTG
-40 ~ +85
-55 ~+150
°C
°C
W
ü尼特
伏
伏
mA
mA
mA
伏
兆赫
mA
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东芝双CMOS集成
电路硅单片
TB62709N/F
推荐工作条件:
特征
符号
TEST
电路
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出级
电源电流
ICC1
1
设置正常操作模式下,
REXT = 760Ω ,走出了一条 DP ,全
ON VCC = 5V , TA = 25℃
设置正常操作模式下,
REXT = 760Ω ,走出了一条 DP ,全
ON VCC = 5V , TA = 25℃
正常工作模式下,
VDD = 4.5 - 5.5V
正常工作模式下,
VDD = 4.5 - 5.5V
所有的关闭模式, VCC = 17V
所有的关闭模式, VCC = 17V
正常工作模式
IDIG = 320毫安
—
300
—
mA
ICC2
1
—
320
—
mA
数字0 3扫描频率。
出来了 DP输出电流
数字0 3漏电流
出来了 DP漏电流
数字0 3输出电压
逻辑
FOSC
ISEG
ILEAK1
ILEAK2
VOUT
2
3
4
4
5
240
29
—
—
3.0
480
34
—
—
—
960
40
-20
20
—
Hz
mA
A
A
V
IDD1
电源电流
IDD2
工作电源电流
高电平输入电流
低电平输出电流
高电平输出电压
VOH2
VOL1
低电平输出电压
VOL2
时钟频率
FCLK
IDD3
IIH
IIL
VOH1
6
6
6
—
—
6
6
6
6
6
待机模式下, TA = 25℃
空白的模式, TA = 25℃
正常工作模式
FCLK = 10MHz时, TA = 25℃
输入数据:输出一个 DP上
数据中, Load&Clock VIN = 5V
数据中, Load&Clock VIN = 0V
数据出来, IOH = -1mA
数据输出, IOH = -1μA
数据出来, IOH = -1mA
数据输出, IOH = -1μA
串联的,
TA = -40 85℃
—
—
—
—
—
4.6
—
—
—
10
—
—
—
—
—
—
VDD
—
0.1
—
200
12.5
20.5
1
-1
—
—
0.4
—
—
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
兆赫
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东芝双CMOS集成
电路硅单片
TB62709N/F
开关特性:
特征
数据保持时间( D-时钟)
数据建立时间( D-时钟)
传播延迟(时钟D-出)
tPLH的-SO
高电平脉冲宽度时钟
低电平脉冲宽度时钟
脉冲宽度负荷
建立时间(时钟负载)
建立时间(负载时钟)
出来了 DP传播延迟
(负载位Outn )
出来了 DP上升时间( OUTn的)
出来了 DP下降时间( OUTn的)
数字0 3传播延迟
(负载DIGn )
数字0 3上升时间( DIGn )
数字0 3下降时间( DIGn )
TCLKH
TCLKL
TW LD
器tCLK -LD
TLD -CLK
的TPH1 -SEG
TPLH -SEG
trSEG
tfSEG
的TPH1 - DIG
TPLH - DIG
trDIG
tfDIG
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
—
—
0.4
0.4
25
30
30
100
50
50
—
—
1.0
1.0
—
—
2.0
2.0
—
—
—
—
—
—
5.0
5.0
—
—
10.0
10.0
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
s
s
符号
TDHO
TDST
的TPH1 -SO
CL=10pf
条件
分钟。
—
—
—
典型值。
10
20
25
马克斯。
—
—
—
单位
ns
ns
ns
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电路硅单片
TB62709N/F
推荐工作条件:
特征
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出级
电源电压
数字0 3输出电流
出来了 DP输出电流
逻辑
电源电压
高电平输入电流
低电平输入电流
高电平输入电压
低电平输入电压
交换条件
数据保持时间( D-时钟)
数据建立时间( D-时钟)
传播延迟(时钟D-出)
高电平脉冲宽度时钟
低电平脉冲宽度时钟
脉冲宽度负荷
建立时间(时钟负载)
建立时间(负载时钟)
TDHO
TDST
tPDSO
TCLKH
TCLKL
Twld
tCKLD
TLDCLK
CL=10pf
30
50
50
30
30
150
100
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
VDD
IIH
IIL
VIH
VIL
输入数据,
Load&Clock , VIN = VDD
输入数据, Load&Clock , VIN = 0V
4.5
—
—
0.7
VDD
—
—
—
—
—
—
5.5
1
-1
—
0.3
VDD
V
A
A
V
V
VCC
IDIG
ISEG
VOUT=3.0V
VCE=0.7V
4.0
—
—
—
—
—
6.0
-320
40
V
mA
mA
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东芝双CMOS集成
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TB62709N/F
智能化,
恒定电流,
7段LED数字显示
解码器/驱动器。对于共阳极配置使用
数字显示。
该TB62709N / F是一个智能
恒流
LED显示屏
驱动程序专为七段LED显示器AP-设计
并发症。在独立的设备包括所有的译码,
复用和必要的驱动电路来控制多达4 7
段LED数字。所有的需要的信息的程序
多达四个LED数字输入串行包括16步bright-
岬控制。扩张超出四位有可能用一种
级联连接到第二设备。该器件automati-
美云刷新并保持所显示的信息。
TB62709N
SDIP24 -P - 300-1.78重量: 1.62克(典型值)
TB62709F
特点
恒流
段驱动器的显示一致
亮度。
单台设备节省了劳动力和电路板空间。
内部字符集简化了设计工作。
自动处理复用和显示器的刷新任务。
16级可编程亮度控制。
单台设备可控制多达四个数字。
可在通孔和表面贴装封装。
数据输出端口级联扩展超越四位数字。
SSOP24 -P - 300-1.00重量: 0.32克(典型值)
性能特点
V
DD
= 4.5V~5.5V
数位使能: 17V / 400毫安
段选择: 17V / 0-40mA
最大跃迁频率: 15MHz的
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最大额定值:
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电源电压
LED电源电压
源输出C光凭目前
igit 0 3
D段左岸光凭目前
段A |D P
输出C光凭目前
输入电压
锁定频率
总输出C光凭目前
符号
VD
VC
ID IG
IOUT
IOH / IOL
VIN
FC LK
IVD
ATIN摹
7.0
17
-400
50
+/- 5
-0.3 VD
~+0.3
15
400
TB62709N : 1.78
功率D issipation
PD
TB62709F : 0.62
工作温度
储存温度
TOPR
TSTG
-40 ~ +85
-55 ~+150
°C
°C
W
ü尼特
伏
伏
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兆赫
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特征
符号
TEST
电路
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出级
电源电流
ICC1
1
设置正常操作模式下,
REXT = 760Ω ,走出了一条 DP ,全
ON VCC = 5V , TA = 25℃
设置正常操作模式下,
REXT = 760Ω ,走出了一条 DP ,全
ON VCC = 5V , TA = 25℃
正常工作模式下,
VDD = 4.5 - 5.5V
正常工作模式下,
VDD = 4.5 - 5.5V
所有的关闭模式, VCC = 17V
所有的关闭模式, VCC = 17V
正常工作模式
IDIG = 320毫安
—
300
—
mA
ICC2
1
—
320
—
mA
数字0 3扫描频率。
出来了 DP输出电流
数字0 3漏电流
出来了 DP漏电流
数字0 3输出电压
逻辑
FOSC
ISEG
ILEAK1
ILEAK2
VOUT
2
3
4
4
5
240
29
—
—
3.0
480
34
—
—
—
960
40
-20
20
—
Hz
mA
A
A
V
IDD1
电源电流
IDD2
工作电源电流
高电平输入电流
低电平输出电流
高电平输出电压
VOH2
VOL1
低电平输出电压
VOL2
时钟频率
FCLK
IDD3
IIH
IIL
VOH1
6
6
6
—
—
6
6
6
6
6
待机模式下, TA = 25℃
空白的模式, TA = 25℃
正常工作模式
FCLK = 10MHz时, TA = 25℃
输入数据:输出一个 DP上
数据中, Load&Clock VIN = 5V
数据中, Load&Clock VIN = 0V
数据出来, IOH = -1mA
数据输出, IOH = -1μA
数据出来, IOH = -1mA
数据输出, IOH = -1μA
串联的,
TA = -40 85℃
—
—
—
—
—
4.6
—
—
—
10
—
—
—
—
—
—
VDD
—
0.1
—
200
12.5
20.5
1
-1
—
—
0.4
—
—
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
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开关特性:
特征
数据保持时间( D-时钟)
数据建立时间( D-时钟)
传播延迟(时钟D-出)
tPLH的-SO
高电平脉冲宽度时钟
低电平脉冲宽度时钟
脉冲宽度负荷
建立时间(时钟负载)
建立时间(负载时钟)
出来了 DP传播延迟
(负载位Outn )
出来了 DP上升时间( OUTn的)
出来了 DP下降时间( OUTn的)
数字0 3传播延迟
(负载DIGn )
数字0 3上升时间( DIGn )
数字0 3下降时间( DIGn )
TCLKH
TCLKL
TW LD
器tCLK -LD
TLD -CLK
的TPH1 -SEG
TPLH -SEG
trSEG
tfSEG
的TPH1 - DIG
TPLH - DIG
trDIG
tfDIG
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
—
—
0.4
0.4
25
30
30
100
50
50
—
—
1.0
1.0
—
—
2.0
2.0
—
—
—
—
—
—
5.0
5.0
—
—
10.0
10.0
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
s
s
符号
TDHO
TDST
的TPH1 -SO
CL=10pf
条件
分钟。
—
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典型值。
10
20
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马克斯。
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587
东芝双CMOS集成
电路硅单片
TB62709N/F
推荐工作条件:
特征
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出级
电源电压
数字0 3输出电流
出来了 DP输出电流
逻辑
电源电压
高电平输入电流
低电平输入电流
高电平输入电压
低电平输入电压
交换条件
数据保持时间( D-时钟)
数据建立时间( D-时钟)
传播延迟(时钟D-出)
高电平脉冲宽度时钟
低电平脉冲宽度时钟
脉冲宽度负荷
建立时间(时钟负载)
建立时间(负载时钟)
TDHO
TDST
tPDSO
TCLKH
TCLKL
Twld
tCKLD
TLDCLK
CL=10pf
30
50
50
30
30
150
100
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
VDD
IIH
IIL
VIH
VIL
输入数据,
Load&Clock , VIN = VDD
输入数据, Load&Clock , VIN = 0V
4.5
—
—
0.7
VDD
—
—
—
—
—
—
5.5
1
-1
—
0.3
VDD
V
A
A
V
V
VCC
IDIG
ISEG
VOUT=3.0V
VCE=0.7V
4.0
—
—
—
—
—
6.0
-320
40
V
mA
mA
marktech
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588
东芝双CMOS集成
电路硅单片
TB62709N/F
智能化,
恒定电流,
7段LED数字显示
解码器/驱动器。对于共阳极配置使用
数字显示。
该TB62709N / F是一个智能
恒流
LED显示屏
驱动程序专为七段LED显示器AP-设计
并发症。在独立的设备包括所有的译码,
复用和必要的驱动电路来控制多达4 7
段LED数字。所有的需要的信息的程序
多达四个LED数字输入串行包括16步bright-
岬控制。扩张超出四位有可能用一种
级联连接到第二设备。该器件automati-
美云刷新并保持所显示的信息。
TB62709N
SDIP24 -P - 300-1.78重量: 1.62克(典型值)
TB62709F
特点
恒流
段驱动器的显示一致
亮度。
单台设备节省了劳动力和电路板空间。
内部字符集简化了设计工作。
自动处理复用和显示器的刷新任务。
16级可编程亮度控制。
单台设备可控制多达四个数字。
可在通孔和表面贴装封装。
数据输出端口级联扩展超越四位数字。
SSOP24 -P - 300-1.00重量: 0.32克(典型值)
性能特点
V
DD
= 4.5V~5.5V
数位使能: 17V / 400毫安
段选择: 17V / 0-40mA
最大跃迁频率: 15MHz的
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东芝双CMOS集成
电路硅单片
TB62709N/F
框图:
最大额定值:
HAR AC TERISTIC S
电源电压
LED电源电压
源输出C光凭目前
igit 0 3
D段左岸光凭目前
段A |D P
输出C光凭目前
输入电压
锁定频率
总输出C光凭目前
符号
VD
VC
ID IG
IOUT
IOH / IOL
VIN
FC LK
IVD
ATIN摹
7.0
17
-400
50
+/- 5
-0.3 VD
~+0.3
15
400
TB62709N : 1.78
功率D issipation
PD
TB62709F : 0.62
工作温度
储存温度
TOPR
TSTG
-40 ~ +85
-55 ~+150
°C
°C
W
ü尼特
伏
伏
mA
mA
mA
伏
兆赫
mA
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电路硅单片
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特征
符号
TEST
电路
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出级
电源电流
ICC1
1
设置正常操作模式下,
REXT = 760Ω ,走出了一条 DP ,全
ON VCC = 5V , TA = 25℃
设置正常操作模式下,
REXT = 760Ω ,走出了一条 DP ,全
ON VCC = 5V , TA = 25℃
正常工作模式下,
VDD = 4.5 - 5.5V
正常工作模式下,
VDD = 4.5 - 5.5V
所有的关闭模式, VCC = 17V
所有的关闭模式, VCC = 17V
正常工作模式
IDIG = 320毫安
—
300
—
mA
ICC2
1
—
320
—
mA
数字0 3扫描频率。
出来了 DP输出电流
数字0 3漏电流
出来了 DP漏电流
数字0 3输出电压
逻辑
FOSC
ISEG
ILEAK1
ILEAK2
VOUT
2
3
4
4
5
240
29
—
—
3.0
480
34
—
—
—
960
40
-20
20
—
Hz
mA
A
A
V
IDD1
电源电流
IDD2
工作电源电流
高电平输入电流
低电平输出电流
高电平输出电压
VOH2
VOL1
低电平输出电压
VOL2
时钟频率
FCLK
IDD3
IIH
IIL
VOH1
6
6
6
—
—
6
6
6
6
6
待机模式下, TA = 25℃
空白的模式, TA = 25℃
正常工作模式
FCLK = 10MHz时, TA = 25℃
输入数据:输出一个 DP上
数据中, Load&Clock VIN = 5V
数据中, Load&Clock VIN = 0V
数据出来, IOH = -1mA
数据输出, IOH = -1μA
数据出来, IOH = -1mA
数据输出, IOH = -1μA
串联的,
TA = -40 85℃
—
—
—
—
—
4.6
—
—
—
10
—
—
—
—
—
—
VDD
—
0.1
—
200
12.5
20.5
1
-1
—
—
0.4
—
—
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
兆赫
marktech
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东芝双CMOS集成
电路硅单片
TB62709N/F
开关特性:
特征
数据保持时间( D-时钟)
数据建立时间( D-时钟)
传播延迟(时钟D-出)
tPLH的-SO
高电平脉冲宽度时钟
低电平脉冲宽度时钟
脉冲宽度负荷
建立时间(时钟负载)
建立时间(负载时钟)
出来了 DP传播延迟
(负载位Outn )
出来了 DP上升时间( OUTn的)
出来了 DP下降时间( OUTn的)
数字0 3传播延迟
(负载DIGn )
数字0 3上升时间( DIGn )
数字0 3下降时间( DIGn )
TCLKH
TCLKL
TW LD
器tCLK -LD
TLD -CLK
的TPH1 -SEG
TPLH -SEG
trSEG
tfSEG
的TPH1 - DIG
TPLH - DIG
trDIG
tfDIG
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
—
—
0.4
0.4
25
30
30
100
50
50
—
—
1.0
1.0
—
—
2.0
2.0
—
—
—
—
—
—
5.0
5.0
—
—
10.0
10.0
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
s
s
符号
TDHO
TDST
的TPH1 -SO
CL=10pf
条件
分钟。
—
—
—
典型值。
10
20
25
马克斯。
—
—
—
单位
ns
ns
ns
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东芝双CMOS集成
电路硅单片
TB62709N/F
推荐工作条件:
特征
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出级
电源电压
数字0 3输出电流
出来了 DP输出电流
逻辑
电源电压
高电平输入电流
低电平输入电流
高电平输入电压
低电平输入电压
交换条件
数据保持时间( D-时钟)
数据建立时间( D-时钟)
传播延迟(时钟D-出)
高电平脉冲宽度时钟
低电平脉冲宽度时钟
脉冲宽度负荷
建立时间(时钟负载)
建立时间(负载时钟)
TDHO
TDST
tPDSO
TCLKH
TCLKL
Twld
tCKLD
TLDCLK
CL=10pf
30
50
50
30
30
150
100
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
VDD
IIH
IIL
VIH
VIL
输入数据,
Load&Clock , VIN = VDD
输入数据, Load&Clock , VIN = 0V
4.5
—
—
0.7
VDD
—
—
—
—
—
—
5.5
1
-1
—
0.3
VDD
V
A
A
V
V
VCC
IDIG
ISEG
VOUT=3.0V
VCE=0.7V
4.0
—
—
—
—
—
6.0
-320
40
V
mA
mA
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东芝双CMOS集成
电路硅单片
TB62709N/F
智能化,
恒定电流,
7段LED数字显示
解码器/驱动器。对于共阳极配置使用
数字显示。
该TB62709N / F是一个智能
恒流
LED显示屏
驱动程序专为七段LED显示器AP-设计
并发症。在独立的设备包括所有的译码,
复用和必要的驱动电路来控制多达4 7
段LED数字。所有的需要的信息的程序
多达四个LED数字输入串行包括16步bright-
岬控制。扩张超出四位有可能用一种
级联连接到第二设备。该器件automati-
美云刷新并保持所显示的信息。
TB62709N
SDIP24 -P - 300-1.78重量: 1.62克(典型值)
TB62709F
特点
恒流
段驱动器的显示一致
亮度。
单台设备节省了劳动力和电路板空间。
内部字符集简化了设计工作。
自动处理复用和显示器的刷新任务。
16级可编程亮度控制。
单台设备可控制多达四个数字。
可在通孔和表面贴装封装。
数据输出端口级联扩展超越四位数字。
SSOP24 -P - 300-1.00重量: 0.32克(典型值)
性能特点
V
DD
= 4.5V~5.5V
数位使能: 17V / 400毫安
段选择: 17V / 0-40mA
最大跃迁频率: 15MHz的
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电路硅单片
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框图:
最大额定值:
HAR AC TERISTIC S
电源电压
LED电源电压
源输出C光凭目前
igit 0 3
D段左岸光凭目前
段A |D P
输出C光凭目前
输入电压
锁定频率
总输出C光凭目前
符号
VD
VC
ID IG
IOUT
IOH / IOL
VIN
FC LK
IVD
ATIN摹
7.0
17
-400
50
+/- 5
-0.3 VD
~+0.3
15
400
TB62709N : 1.78
功率D issipation
PD
TB62709F : 0.62
工作温度
储存温度
TOPR
TSTG
-40 ~ +85
-55 ~+150
°C
°C
W
ü尼特
伏
伏
mA
mA
mA
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兆赫
mA
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TB62709N/F
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特征
符号
TEST
电路
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出级
电源电流
ICC1
1
设置正常操作模式下,
REXT = 760Ω ,走出了一条 DP ,全
ON VCC = 5V , TA = 25℃
设置正常操作模式下,
REXT = 760Ω ,走出了一条 DP ,全
ON VCC = 5V , TA = 25℃
正常工作模式下,
VDD = 4.5 - 5.5V
正常工作模式下,
VDD = 4.5 - 5.5V
所有的关闭模式, VCC = 17V
所有的关闭模式, VCC = 17V
正常工作模式
IDIG = 320毫安
—
300
—
mA
ICC2
1
—
320
—
mA
数字0 3扫描频率。
出来了 DP输出电流
数字0 3漏电流
出来了 DP漏电流
数字0 3输出电压
逻辑
FOSC
ISEG
ILEAK1
ILEAK2
VOUT
2
3
4
4
5
240
29
—
—
3.0
480
34
—
—
—
960
40
-20
20
—
Hz
mA
A
A
V
IDD1
电源电流
IDD2
工作电源电流
高电平输入电流
低电平输出电流
高电平输出电压
VOH2
VOL1
低电平输出电压
VOL2
时钟频率
FCLK
IDD3
IIH
IIL
VOH1
6
6
6
—
—
6
6
6
6
6
待机模式下, TA = 25℃
空白的模式, TA = 25℃
正常工作模式
FCLK = 10MHz时, TA = 25℃
输入数据:输出一个 DP上
数据中, Load&Clock VIN = 5V
数据中, Load&Clock VIN = 0V
数据出来, IOH = -1mA
数据输出, IOH = -1μA
数据出来, IOH = -1mA
数据输出, IOH = -1μA
串联的,
TA = -40 85℃
—
—
—
—
—
4.6
—
—
—
10
—
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—
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—
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VDD
—
0.1
—
200
12.5
20.5
1
-1
—
—
0.4
—
—
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
兆赫
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东芝双CMOS集成
电路硅单片
TB62709N/F
开关特性:
特征
数据保持时间( D-时钟)
数据建立时间( D-时钟)
传播延迟(时钟D-出)
tPLH的-SO
高电平脉冲宽度时钟
低电平脉冲宽度时钟
脉冲宽度负荷
建立时间(时钟负载)
建立时间(负载时钟)
出来了 DP传播延迟
(负载位Outn )
出来了 DP上升时间( OUTn的)
出来了 DP下降时间( OUTn的)
数字0 3传播延迟
(负载DIGn )
数字0 3上升时间( DIGn )
数字0 3下降时间( DIGn )
TCLKH
TCLKL
TW LD
器tCLK -LD
TLD -CLK
的TPH1 -SEG
TPLH -SEG
trSEG
tfSEG
的TPH1 - DIG
TPLH - DIG
trDIG
tfDIG
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
CL=10pf
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
—
—
0.4
0.4
25
30
30
100
50
50
—
—
1.0
1.0
—
—
2.0
2.0
—
—
—
—
—
—
5.0
5.0
—
—
10.0
10.0
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
s
s
符号
TDHO
TDST
的TPH1 -SO
CL=10pf
条件
分钟。
—
—
—
典型值。
10
20
25
马克斯。
—
—
—
单位
ns
ns
ns
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符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出级
电源电压
数字0 3输出电流
出来了 DP输出电流
逻辑
电源电压
高电平输入电流
低电平输入电流
高电平输入电压
低电平输入电压
交换条件
数据保持时间( D-时钟)
数据建立时间( D-时钟)
传播延迟(时钟D-出)
高电平脉冲宽度时钟
低电平脉冲宽度时钟
脉冲宽度负荷
建立时间(时钟负载)
建立时间(负载时钟)
TDHO
TDST
tPDSO
TCLKH
TCLKL
Twld
tCKLD
TLDCLK
CL=10pf
30
50
50
30
30
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100
100
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ns
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VDD
IIH
IIL
VIH
VIL
输入数据,
Load&Clock , VIN = VDD
输入数据, Load&Clock , VIN = 0V
4.5
—
—
0.7
VDD
—
—
—
—
—
—
5.5
1
-1
—
0.3
VDD
V
A
A
V
V
VCC
IDIG
ISEG
VOUT=3.0V
VCE=0.7V
4.0
—
—
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6.0
-320
40
V
mA
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