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28F008SA

8 - MBIT （ 1 - MBIT ×8） FlashFile

内存

扩展温度规格包括

高密度对称阻止

架构

十六个64字节块

扩展循环能力

100000块擦除周期

1 6亿块擦除

每芯片的周期

自动字节写和块擦除

命令的用户界面

状态寄存器

系统性能增强

RY BY状态输出

擦除挂起功能

深度掉电模式

0 20

典型

极高性能的读取

85 ns最大访问时间

SRAM兼容写接口

硬件数据保护功能

擦除功率在写锁定

TRANSITIONS

行业标准包装

40引脚TSOP 44引脚PSOP

ETOX III非易失闪存技术

12V字节写块擦除

英特尔28F008SA 8兆位FlashFile

内存是溶胶最高密度非易失性读写解决方案

ID状态存储的28F008SA的扩展循环受阻对称架构的快速存取时间

写自动化和低功耗提供了更可靠的低功率更轻的重量和更高的

性能替代传统的旋转磁盘技术的28F008SA带来了新的功能，以porta-

存储在BLE计算应用程序和操作系统软件驻留闪存阵列提供

瞬时接通迅速通过在系统的软件更新执行就地和保护从过时

常驻软件还扩展系统电池寿命，并通过减少磁盘驱动器的访问增加了可靠性

对于高密度的数据采集应用的28F008SA提供了一个更具成本效益和可靠的alterna-

略去SRAM和电池传统的高密度嵌入式应用，如电信可以

采取灵活的28F008SA的非易失性阻塞和最小的系统规范要求的优势

固件和软件的模块化设计

该28F008SA提供40引脚TSOP （标准和反向）和44引脚PSOP封装的引脚赋值

在闪存阵列或子系统集成这多个设备时ments简化电路板布局

设备采用一体化指挥用户界面和状态机的简化块擦除和字节

写的28F008SA存储器映射包含16个可独立擦除的64字节块

英特尔28F008SA采用了先进的CMOS电路用于需要低功耗和噪音系统

当有磁性存储介质相比它的免疫力85 ns访问时间提供卓越的性能

深省电模式可降低耗电量为1

典型的直通V

在便携式计算关键

手持仪表等低功耗应用的RP电源控制输入也提供了

系统上电倒在绝对数据保护

英特尔的0 8微米ETOX工艺制造的28F008SA提供最高的质量水平

可靠性和成本效益

其他品牌和名称是其各自所有者的财产

本文档中的信息均与英特尔产品相关的英特尔概不承担任何责任，包括侵犯任何专利或

版权销售英特尔产品和使用，除非在英特尔的条款和条件出售此类产品的英特尔保留作出正确的规定

修改这些参数，恕不另行通知微电脑产品随时可能有轻微的变化，以本规范勘误表

版权

英特尔公司1995年

1995年11月

订单号290429-005

28F008SA

该

状态寄存器

显示的状态

WSM当WSM成功完成

所需的字节写入或块擦除操作

该

RY BY

输出给出了一个附加的指示器

WSM活动提供能力硬件

的状态（相对于软件轮询）和状态信号

屏蔽（中断背景擦除掩蔽

例如）状态轮询使用RY BY迷你

mizes两个CPU开销和系统功率变

当消耗低RY BY表明，

WSM正在执行块擦除或写入的字节能操作

ATION RY高表明WSM就绪

新的命令块擦除暂停或

设备处于深深的省电模式

最大存取时间

85纳秒（T

加

)

以上的COM

商用温度范围（0 ℃至

70 ℃）和过

电源电压范围（ 4 5V至5 5V和75V 4至

5 25V)

工作电流

（ CMOS读）是

20毫安

典型的35毫安最大频率为8 MHz

当CE和RP引脚在V

该

CMOS待机

模式被使能

深掉电

模式被激活时，

RP引脚为GND降低功耗

并提供写保护

当前

深

断电是

0 20

典型

复位400 ns的时间

从RP需要切换到较高的输出

有效的读取尝试等价的装置具有

醒来的时候1

从RP高，直到写到

命令的用户界面被认可

28F008SA随着RP在GND的WSM复位

和状态寄存器清零

产品概述

该28F008SA是一个高性能的

8-Mbit

（ 8 388 608位），存储器，如

1兆字节

（ 1 048 576字节）的每个8位

十六个64字节

（ 65 536字节）

块

被包含在28F008SA

存储器映射显示在这个规范中图6

和灰块擦除操作擦除六一

内存通常在青少年块

1 6秒

IN-

依赖于剩余的块中的每个块可以

独立擦除和写入

100000赛扬

克莱斯擦除挂起

模式允许系统软件

暂停块擦除读取数据或执行

从28F008SA的任何其他块的代码

该28F008SA处于可用

40引脚TSOP

（薄型小尺寸封装1 2毫米厚）和

44-

导致PSOP

（塑料小外形封装）封装引脚

奏示于图本规范的2,4

化

该

命令的用户界面

作为间

微处理器或微控制器之间的脸

和28F008SA的内部操作

字节写和块擦除自动化

允许

字节写和块擦除操作是execut-

使用双写入命令序列与编

命令用户界面的内部

写状态

机

（ WSM ）自动执行algo-

rithms和字节写入必要的时间，并

块擦除操作，包括核查

由此unburdening微处理器或微

在执行的内存中的数据写入控制器

字节通常在增量

80％ im-

证法在目前的闪存产品

字节写和块擦除电流

是

10毫安

典型的30毫安最大V

字节写和

块擦除电压

11 4V至6V 12

28F008SA

图1框图

290429– 1

28F008SA

表1引脚说明

符号

–A

-DQ

TYPE

输入

输入输出

名称和功能

地址输入

内存地址的地址是内部

在写周期期间锁存

DATA INPUT产出

输入的数据和命令在命令

用户界面的写周期期间存储阵列状态输出数据

注册和标识读周期的数据引脚为高电平有效，

浮到三态时关闭芯片取消或输出

禁用数据在写周期内锁定

芯片使能

激活装置的控制逻辑输入缓冲器

解码器和读出放大器CE为低电平有效CE高会取消

所述存储装置，并降低功耗待机水平

RESET深POWERDOWN

将器件置于断电深

RP模式为低电平有效RP高门正常运行RP也

锁定了块擦除或字节写操作时，低电平有效提供

在电源转换数据保护RP内部有源复位

从深度掉电自动退出设置设备来读取阵列模式

OUTPUT ENABLE

栅极器件的通过数据缓冲器输出的

在一个读周期OE为低电平有效

写使能

控制写入命令的用户界面和

阵列块WE为低电平有效的地址和数据锁存于

在WE脉冲的上升沿

准备好忙

表示内部写状态的状态

机时低，表明WSM正在执行块

擦除或字节写操作RY高表示该WSM是

准备新的命令块擦除悬浮或设备处于

深省电模式RY BY始终处于活动状态并执行

不

FL燕麦

为三态时关闭芯片取消或数据输出被禁止

块擦除字节写POWER SUPPLY

擦除块

数组或写入的字节每块

记

随着V

PPLMAX

存储器的内容不能被改变

设备电源（ 5V

10% 5V

5%)

地

输入

RY BY

产量

GND

28F008SA

标准引脚

290429 –2

反向引脚

290429 –3

图2 TSOP引线配置