TAT7461
75
射频放大器
应用
分配放大器器
多住户单元
降放大器
单端增益模块
SOT- 89封装
产品特点
50-1000 MHz带宽
PHEMT器件的技术
片上负反馈，提供出色的增益
和回波损耗的一致性。
片上有源偏置为一致的偏置电流和
可重复的性能。
简单的外部调谐允许优秀的回波损耗。
6 V电源电压
130毫安典型电流消耗
16.1分贝典型增益
2.3分贝典型的NF和< 2.6分贝高达1000 MHz的
+39 dBm的OIP3的典型
+22 dBm的P1dB的典型
低失真： CSO -72 dBc的， CTB -88 dBc的
（ 26平dBmV /通道的输出， 80章）
SOT- 89封装
功能框图
4
在RF
GND
RFOUT
概述
该TAT7461是75
射频放大器设计用于CATV
应用到1000兆赫。低噪音的平衡，
优良的失真和高增益，适用于降
和其他分配放大器。
该TAT7461采用6英寸砷化镓pHEMT制制
技术来优化性能和成本。它提供
一致的增益和回波损耗从使用广泛
片上负反馈。该TAT7461还采用了导通
芯片有源偏置的一致偏置电流和可重复的
性能。简单的外部调谐允许TAT7461
以获得优良的回波损耗。
引脚配置
针＃
1
2
3
4
符号
在RF
GND
RF OUT
GND焊盘
订购信息
产品型号
TAT7461
TAT7461-EB
描述
75
高线性度放大器的pHEMT
（无铅/符合RoHS标准SOT- 89 PKG ）
放大器评估板
标准T / R的大小= 1000块一7“卷轴。
初步数据表： C版本10年4月30日
2010 TriQuint半导体
-
1第8
-
免责声明：如有更改，恕不noticee
连接数码世界，贯通全球网络
TAT7461
75
射频放大器
特定网络阳离子
绝对最大额定值
1
参数
储存温度
器件电压
热阻
2
（ JNT到的情况下）
θ
jc
推荐工作条件
参数
o
等级
-65 + 150℃
+10 V
42
o
C / W
民
100
典型值
6
130
最大单位
150
150
V
mA
o
C
V
DD
I
DD
T
J
（为> 10
6
小时平均无故障时间）
注意事项：
1.操作此设备的参数范围之外
上面给出可能造成永久性的损害。
2.参考热分析报告TAT7461 ，报告编号
30-0011版本B.
电气规格是在特定试验条件下测得的。
规格不能保证在所有推荐工作
条件。
电气规格
试验条件除非另有说明： 25 C ， 6 VV
DD
参数
工作频率范围
收益
增益平坦度
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
CSO
CTB
输出IP2
输出IP3
V供电
I
DD
条件
民
50
典型
16.1
+/- 0.3
2.3
23
23
-72
-88
+61
+39
+6
130
最大
1000
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
DBM
DBM
V
mA
见注1 。
见注1 。
见注释2 。
见注释2 。
100
150
注意事项：
1. 26平dBmV /通道的输出， 80通道平坦
2.在5 dBm的/音
3.电气规格是在特定试验条件下测得的。
4.技术指标不能保证在所有推荐的工作条件。
初步数据表： C版本10年4月30日
2010 TriQuint半导体
-
2第8
-
免责声明：如有更改，恕不noticee
连接数码世界，贯通全球网络
TAT7461
75
射频放大器
应用电路50-1000兆赫
应用
VDD
概要
+6v
C4
C1
RF
输入
L4
L2
L1
C3
TAT
7461
L3
C2
RF
OUT
1
注意事项：
1.请参阅PC板布局，以获取更多信息第6页。
物料清单
参考文献。 Desg 。
U1
L1, L2
L3
L4
C1
C2
C3, C4
J1, J2
注意事项：
1.或等效。
价值
880 nH的
5.1 nH的
2.7 nH的
1000 pF的
120 pF的
0.01 uF的
描述
75
高线性度放大器的pHEMT
芯片线圈，立式绕线铁氧体， 1206年， 30 ％
陶瓷芯片印第安纳州，绕线， 0402 ， 5 ％
陶瓷芯片印第安纳州，绕线， 0402 ， 5 ％
陶瓷芯片章， 0402 ， 50 V， 10 ％ ， X7R
陶瓷芯片章， 0402 ， 50 V， 5 ％ ， NPO
陶瓷芯片章， 0402 ， 16 V， 10 ％ ， X7R
75
F头
制造商零件编号
TriQuint公司
村田
1
Coilcraft公司
Coilcraft公司
AVX
1
AVX
1
AVX
1
轻骑兵
1
TAT7461
LQH31HNR88K
0402CS-5N1XJLW
0402CS-2N7XJLW
04025C102KAT2A
04025A121JAT2A
0402YC103KAT
FSF55MGT-P-10A
初步数据表： C版本10年4月30日
2010 TriQuint半导体
-
4 8
-
免责声明：如有更改，恕不noticee
连接数码世界，贯通全球网络
TAT7461
75
射频放大器
应用电路板的典型表现
V
DD
= 6 V，I
DD
= 130毫安
收益
17.0
16.8
16.6
16.4
-40
0
C
+25
0
C
+85
0
C
输入回波损耗
0
-5
-10
-40
0
C
+25
0
C
+85
0
C
S21 （ dB）的
16.2
16.0
15.8
15.6
15.4
15.2
15.0
0
325
650
频率（MHz ）
975
1300
S11（ dB）的
-15
-20
-25
-30
-35
-40
0
325
650
频率（MHz ）
975
1300
CSO & CTB
-50
-60
80通道NTSC @ 32 dBmV的/ CH平坦的输出
输出回波损耗
0
-5
-10
-40
0
C
+25
0
C
+85
0
C
CSO & CTB （ DBC）
CSO -40
0
C
CSO +25
0
C
CSO 85
0
C
S22 （ dB）的
CTB -40
0
C
CTB +25
0
C
CTB 85
0
C
-70
-80
-90
-100
0
100
200
300
频率（MHz ）
4
3.5
3
2.5
-40
0
C
+25
0
C
+85
0
C
-15
-20
-25
-30
-35
-40
400
500
600
0
325
650
频率（MHz ）
975
1300
噪声系数
NF（ dB）的
2
1.5
1
0.5
0
0
250
500
频率（MHz ）
750
1000
初步数据表： C版本10年4月30日
2010 TriQuint半导体
-
5 8
-
免责声明：如有更改，恕不noticee
连接数码世界，贯通全球网络
QQ：2880707522 复制
