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TAT7430B
CATV 75
pHEMT的高增益射频放大器
应用
单端和推挽式光接收器
低噪声放大器降
分配放大器器
多住户单元
单端增益模块
SOT- 89封装
产品特点
22分贝应用电路中典型的高增益
片上有源偏置为一致的偏置电流和
可重复的性能
50 - 1200 MHz带宽
低噪音:典型的NF < 2.2分贝至1000MHz
灵活的5 V至8 V偏置
I
DD
( 8V ) = 190 mA典型应用电路
+41 dBm的OIP3的典型
+65 dBm的典型OIP2
+22 dBm的P1dB的典型
低失真: CSO -61 dBc的, CTB -81 dBc的
( 10平dBmV / ch的输入端, 80通道NTSC平)
PHEMT器件的技术
SOT- 89封装
功能框图
在RF
GND
RFOUT
概述
该TAT7430B是一种低成本的RF放大器设计
应用程序从DC至1200兆赫。低的平衡
噪声和失真提供了一个宽的理想解决方案
应用于有线电视宽带放大器系列
应用程序。
它特别适于新的家庭网络
需要更高的增益为一个大的分割数。在
此外,高增益的TAT7430B的组合,低
噪音和良好的回波损耗,使其成为一个很好的选择
光接收器的应用和低噪声前端。
内部偏置电路减轻温度的影响
和过程的变化。偏置电流可调节
通过一个外部电阻。它能够在低噪声工作
应用程序从一个5 V电源。
该TAT7430B采用6英寸砷化镓pHEMT制制
技术来优化性能和成本。它提供
出色的增益和回波损耗的一致性固有
pHEMT工艺。
引脚配置
针#
1
2
3
4
符号
在RF
GND
RF OUT
GND焊盘
订购信息
产品型号
TAT7430B
TAT7430B-EB
75
高线性度放大器的pHEMT
(无铅/符合RoHS标准SOT- 89 PKG )
描述
放大器评估板
标准T / R的大小= 1000块一7“卷轴。
数据表: B版03/08/11
2011 TriQuint半导体
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1 7
-
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TAT7430B
CATV 75
pHEMT的高增益射频放大器
特定网络阳离子
绝对最大额定值
1
参数
储存温度
器件电压
推荐工作条件
o
等级
参数
V
cc
I
cc
T
J
(为>10
6
小时平均无故障时间)
5
典型值
190
最大单位
8
150
V
mA
o
C
-65 + 150℃
+10 V
1.操作此设备的特定参数范围之外
上面可能会造成永久性的损害。
电气规格
试验条件除非另有说明: 25℃温度的情况下, + 8V V供电, DC至1200 MHz的
参数
工作频率范围
收益
增益平坦度
噪声系数为1 GHz
输入回波损耗
输出回波损耗
P1dB
输出IP3
输出IP2
CSO
CTB
国际直拨电话
热阻( JNC ,以案例)
jc
条件
50
典型
22
+/- 0.5
2.0
-22
-18
+22
+41
+65
-61
-81
190
最大
1002
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dBc的
dBc的
mA
o
C / W
见注1 。
见注1 。
见注释2 。
见注释2 。
32
注意事项:
1.在-21 dBm的/音频输入端。
2. 10 dBmV的/ ch的输入端, 80通道NTSC平
3.电气规格是在特定试验条件下测得的。
4.技术指标不能保证在所有推荐的工作条件。
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2011 TriQuint半导体
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TAT7430B
CATV 75
pHEMT的高增益射频放大器
参考设计DC -1200 MHz的
注意事项:
1.
看到PC板布局,第5页了解更多信息
物料清单
参考编号值说明
U1
R1, R2
R3
R4
C1
C2
C3, C4, C6
C5
L1, L2
L3
L4
放大器, SOT- 89
20
厚膜水库, 1206 , 1 % , 1/4 W
15 k
厚膜水库, 0402 , 5 % , 1/10 W
5.1
厚膜水库, 0402 , 5 % , 1/10 W
150 pF的陶瓷电容, 0603 , COG , 16V , 5 %
220 pF的陶瓷电容, 0402 , COG , 16V , 5 %
0.01 uF的陶瓷电容, 0603 , X7R , 50V , 10 %
47 pF的
陶瓷帽, 0402 , COG , 16V , 5 %
500 nH的铁氧体印第安纳州,立式线绕, 1206年, 10 %
5.6 nH的陶瓷线绕工业, 0402 , 5 %
7.5 nH的陶瓷线绕工业, 0402 , 5 %
制造商零件编号
TriQuint公司
各个
各个
各个
各个
各个
各个
各个
各个
各个
各个
TAT7430B
数据表: B版03/08/11
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pHEMT的高增益射频放大器
应用电路板的典型表现
外壳温度注意到图。 V供电= 8V ,电流Icc = 190 mA的电流。
25
23
21
19
17
15
50
250
450
650
850
1050
1250
-40
°
C
+85
°
C
+25
°
C
收益
-6
-12
输入回波损耗
S21 ( dB)的
S11( dB)的
-18
-24
-30
-36
+85
°
C
+25
°
C
40
°
C
50
250
450
650
850
1050
1250
频率(MHz)
频率(MHz)
0
-6
-12
-18
-24
-30
50
250
输出回波损耗
+85
°
C
+25
°
C
40
°
C
-55
-60
CSO
+25
°
C
+85
°
C
40
°
C
CSO ( DBC)
1250
S22 ( dB)的
-65
-70
-75
-80
450
650
850
1050
60
160
260
360
460
560
频率(MHz)
频率(MHz)
-70
-74
CTB
+85
°
C
+25
°
C
40
°
C
4
噪声系数
3
CTB ( DBC)
NF( dB)的
-78
-82
-86
-90
60
160
260
360
2
1
+85
°
C
+25
°
C
40
°
C
50
250
450
650
850
1050
1250
0
460
560
频率(MHz)
频率(MHz)
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CATV 75
pHEMT的高增益射频放大器
应用信息
PC板布局
核心是0.062 “的FR-4 ,
r
= 4.7在1 MHz 。金属层是
1盎司铜。
所示的焊盘图案已经开发和测试
在TriQuint半导体优化的汇编。在PCB
土地的模式已经发展到适应和铅
包公差。由于表面贴装工艺各不相同
从公司到公司,精心的工艺开发
值得推荐。
进一步
技术
资料显示,
http://www.triquint.com/TAT7430B
参考
to
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