TAS5630

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SLES220 - 2009年6月

300W立体声/单声道600W的PurePath HD模拟输入功率级

1

特点

应用

迷你组合系统

AV接收器

DVD接收机

有源音箱

的PurePath HD启用了集成反馈

规定：

- 信号带宽高达80kHz的高

频率内容从高清片源

- 超低0.03 ％的THD为1W到4Ω

- 平THD在所有频率自然

声音

- 80dB的PSRR （ BTL ，无输入信号）

- >100分贝（ A计权）信噪比

- 咔嗒免费启动

可能在同一多种配置

PCB带馅的选项：

- 单声道并行桥接负载（ PBTL ）

- 立体声桥接负载（BTL ）

- 2.1单端立体声对和桥

连接负载低音炮

- 四通道单端输出

10 ％ THD + N总输出功率

- 600W单声道PBTL配置

- 在立体声BTL每通道300W

CON组fi guration

- 在四单每通道145W截止

CON组fi guration

高效率功率级（ >88 ％ ）用

60毫欧的MOSFET输出

两个热增强型封装选项：

- PHD （ 64引脚QFP ）

- DKD （ 44引脚PSOP3 ）

自保护设计（包括

欠压，过热，削波和

短路保护）错误报告

EMI符合当同时使用

推荐系统的设计

23

描述

该TAS5630是一款高性能的模拟输入

D类放大器，集成闭环

反馈技术（俗称的PurePath HD）与

驱动高达300W的能力

(1)

立体声成48

演讲者从单一的50V电源。

的PurePath HD技术使传统

AB放大器的性能（ <0.03 ％THD ），而水平

提供传统的D类的功率效率

放大器器。

不同于传统的D类放大器，失真

曲线只增加一次，输出电平进入

剪裁。

总理的PurePath Pro的电源PAD

的PurePath HD技术可实现更低的闲置亏损

使得设备更加高效。再加上

TI的G类电源参考设计

TAS563x ，效率行业领先水平的可

实现的。

3× OPA1632

类似物

音频

输入

的PurePath高清

TM

TAS5630

TAS5630

（ 2.1 CON组fi guration ）

±15V

+12V

+ 25V至+ 50V

的PurePath高清

TM

G类电源

参考设计

110VAC->240VAC

(1)

可实现的输出功率电平是依赖于热

目标应用程序的配置。高性能

露出的包之间的热界面材料

heatslug和热沉应该用于实现高

输出功率电平。

1

2

3

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

总理的PurePath临，电力PAD是德州仪器的商标。

所有其他商标均为其各自所有者的财产。

版权所有 2009年，德州仪器

除非另有说明这个文件包含

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

设备信息

端子分配

该TAS5630是两种散热增强型封装可供选择：

64引脚QFP （ PHD ）功率封装

44引脚PSOP3包（ DKD ）

封装类型包含热蛞蝓，它们位于该装置的顶侧，以方便热

耦合至热沉。

PHD包装

（ TOP VIEW ）

VDD

PSU_REF

NC

NC

NC

NC

GND

GND

GVDD_B

GVDD_A

BST_A

OUT_A

OUT_A

PVDD_A

PVDD_A

GND_A

DKD套餐

（ TOP VIEW ）

电针1

引脚1标记

白点

2

提交文档反馈

产品文件夹链接（ S） ：

TAS5630

OTW2

夹

准备

M1

M2

M3

GND

GND

GVDD_C

GVDD_D

BST_D

OUT_D

OUT_D

PVDD_D

PVDD_D

GND_D

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

OC_ADJ

RESET

C_STARTUP

INPUT_A

INPUT_B

VI_CM

GND

AGND

VREG

INPUT_C

INPUT_D

FREQ_ADJ

OSC_IO +

OSC_IO-

SD

OTW1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

64引脚QFP封装

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

GND_A

GND_B

GND_B

OUT_B

OUT_B

PVDD_B

PVDD_B

BST_B

BST_C

PVDD_C

PVDD_C

OUT_C

OUT_C

GND_C

GND_C

GND_D

PSU_REF

VDD

OC_ADJ

RESET

C_STARTUP

INPUT_A

INPUT_B

VI_CM

GND

AGND

VREG

INPUT_C

INPUT_D

FREQ_ADJ

OSC_IO +

OSC_IO-

SD

OTW

准备

M1

M2

M3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

GVDD_AB

BST_A

PVDD_A

PVDD_A

OUT_A

OUT_A

GND_A

GND_B

OUT_B

PVDD_B

BST_B

BST_C

PVDD_C

OUT_C

GND_C

GND_D

OUT_D

OUT_D

PVDD_D

PVDD_D

BST_D

GVDD_CD

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

44引脚封装

（ TOP VIEW ）

PIN一个位置PHD包装

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模式选择引脚

模式引脚

M3

0

0

0

0

1

1

1

1

(1)

M2

0

0

1

1

0

0

1

1

M1

0

1

0

1

0

1

0

1

模拟量输入

迪FF erential

—

迪FF erential

差分单

结束

单端

迪FF erential

产量

CON组fi guration

2 × BTL

—

2 × BTL

1 × BTL 2 × SE

4 × SE

1 × PBTL

AD模式

版权所有

BD模式

BD模式， BTL差

AD模式

INPUT_C

0

1

版权所有

(1)

描述

INPUT_D

0

0

(1)

AD模式

BD模式

INPUT_C和D用于AD和BD模式操作中PBTL模式（1 = VREG和0 = AGND）的一个子集之间进行选择。

封装的热耗散额定值

(1)

参数

R

θJC

（℃ / W ） - 2- BTL或4 SE的通道

R

θJC

（ ℃/ W） - 1 BTL或2 SE的信道（多个）

R

θJC

（ ° C / W） - 1 SE通道

垫区

(1)

(2)

(2)

TAS5630PHD

2.63

4.13

6.45

64 mm

2

TAS5630DKD

1.4

2.04

3.45

80 mm

2

J

C

是结到外壳， CH是区分到散热器

R

θch

是一个重要的考虑因素。假定导热油脂的2密耳厚度为2.5 W之间的热导率/ mK的

垫区和散热片和两个通道的活性。第r

θch

这个条件对于PHD包和0.44 ° C / W 1.1 ° C / W

在DKD包。

订购信息

(1)

T

A

0°C–70°C

0°C–70°C

(1)

(2)

包

TAS5630PHD

(2)

描述

64引脚HTQFP

44针PSOP3

TAS5630DKD

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

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产品预览

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3

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绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明

VDD到AGND

GVDD到AGND

PVDD_X到GND_X

OUT_X到GND_X

(2)

(2)

(1)

价值

-0.3至13.2

-0.3至13.2

-0.3至69

-0.3至69

-0.3 82.2

-0.3至69

-0.3 4.2

-0.3 0.3

-0.3 0.3

-0.3 4.2

-0.3 5

-0.3 7

9

0至150

-40至150

人体模型

(3)

单位

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

mA

°C

°C

kV

V

BST_X到GND_X

(2)

BST_X到GVDD_X

VREG到AGND

GND_X到GND

GND_X到AGND

OC_ADJ ，M1， M2，M3， OSC_IO + OSC_IO- ， FREQ_ADJ ， VI_CM ， C_STARTUP ， PSU_REF

到AGND

INPUT_X

RESET ， SD ， OTW1 ， OTW2 ， CLIP ，准备AGND

连续灌电流（SD ， OTW1 ， OTW2 ， CLIP ，就绪）

工作结温范围，T

J

贮藏温度，T

英镑

静电放电

(1)

(2)

(3)

（所有引脚）

带电器件模型

(3)

（所有引脚）

(2)

±2

±500

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。

未能在制造过程中遵循良好的防静电ESD处理和返工，将有助于设备故障。请确保

运营商处理装置通过使用接地母线或替代ESD保护的充分接地。

推荐工作条件

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

闽喃

PVDD_x

GVDD_X

VDD

R

L

（ BTL ）

R

L

（ SE ）

R

L

（ PBTL ）

L

产量

（ BTL ）

L

产量

（ SE ）

L

产量

（ PBTL ）

F

PWM

PWM帧速率选择为AM

避免干扰; 1 ％的电阻

耐受性。

公称

AM1

AM2

名义;主模式

R

FREQ_ADJ

PWM帧率编程电阻

FREQ_ADJ引脚从模式上的电压

手术

结温

AM1 ;主模式

AM2 ;主模式

V

FREQ_ADJ

T

J

从模式

0

输出滤波电感

最小输出电感的我

OC

负载阻抗

根据在图表输出滤波器

应用信息部分

半桥电源

供应逻辑稳压器和栅极驱动器

电路

数字式稳压电源电压

直流电源电压

直流电源电压

直流电源电压

25

10.8

10.8

3.5

1.8

1.6

7

7

7

350

310

250

9.5

19.8

29.7

50

12

12

4

2

2

10

15

10

400

340

300

10

20

30

3.3

150

450

350

320

10.5

20.2

30.3

V

°C

k

千赫

H

最大

52.5

13.2

13.2

单位

V

V

V

4

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SLES220 - 2009年6月

引脚功能

针

名字

AGND

BST_A

BST_B

BST_C

BST_D

夹

C_STARTUP

FREQ_ADJ

GND

GND_A

GND_B

GND_C

GND_D

GVDD_A

GVDD_B

GVDD_C

GVDD_D

GVDD_AB

GVDD_CD

INPUT_A

INPUT_B

INPUT_C

INPUT_D

M1

M2

M3

NC

OC_ADJ

OSC_IO +

OSC_IO-

OTW

OTW1

OTW2

OUT_A

OUT_B

OUT_C

OUT_D

PSU_REF

PVDD_A

PVDD_B

PVDD_C

PHD NO 。

8

54

41

40

27

18

3

12

7, 23, 24, 57,

58

48, 49

46, 47

34, 35

32, 33

55

56

25

26

—

—

4

5

10

11

20

21

22

59–62

1

13

14

—

16

17

52, 53

44, 45

36, 37

28, 29

63

50, 51

42, 43

38, 39

DKD NO 。

10

43

34

33

24

—

5

14

9

38

37

30

29

—

—

—

—

44

23

6

7

12

13

20

21

22

–

3

15

16

18

—

—

39, 40

36

31

27, 28

1

41, 42

35

32

功能

(1)

P

P

P

P

P

O

O

I

P

P

P

P

P

P

P

P

P

P

P

I

I

I

I

I

I

I

—

O

I / O

I / O

O

O

O

O

O

O

O

P

P

P

P

描述

模拟地

HS自举电源（ BST ） ，外部0.033

F

电容OUT_A要求。

HS自举电源（ BST ） ，外部0.033

F

以OUT_B所需的电容。

HS自举电源（ BST ） ，外部0.033

F

电容OUT_C要求。

HS自举电源（ BST ） ，外部0.033

F

以OUT_D所需的电容。

裁剪警告;漏极开路;低电平有效

启动斜坡需要4.7 nF的充电电容BTL模式AGND

PWM帧率编程引脚需要电阻到AGND

地

电源地为半桥一个

电源地为半桥B

电源地为半桥

电源地的半桥式D

栅极驱动电源需要0.1

F

电容GND_A

栅极驱动电源需要0.1

F

电容GND_B

栅极驱动电源需要0.1

F

电容GND_C

栅极驱动电源需要0.1

F

电容GND_D

栅极驱动电源需要0.22

F

电容GND_A / GND_B

栅极驱动电源需要0.22

F

电容GND_C / GND_D

输入信号为半桥一个

输入信号为半桥B

输入信号为半桥

输入信号的半桥式D

模式选择

模式选择

模式选择

无连接，引脚可接地。

模拟过电流编程引脚需要电阻到AGND。 64针

包（ PHD ）= 22kOhm 。 44引脚PSOP3 （ DKD ） = 24kOhm

振荡器主/从机输出/输入。

振荡器主/从机输出/输入。

超温预警信号，漏极开路，低电平有效。

超温预警信号，漏极开路，低电平有效。

超温预警信号，漏极开路，低电平有效。

输出，半桥一个

输出，半桥B

输出，半桥

输出，半桥式D

PSU参考需要330 pF的接近去耦至AGND

对于半桥电源输入端A需要0.01接近脱钩

F

电容与2.2并行

F

电容GND_A

对于半桥电源输入B要求的0.01接近脱钩

F

电容与2.2并行

F

电容GND_B

电源输入半桥C要求的0.01接近脱钩

F

电容与2.2并行

F

电容GND_C

(1)

I =输入， O =输出， P =电源

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5

版权所有 2009年，德州仪器

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300 -W立体声/ 600 -W单声道的PurePath HD模拟输入功率级

检查样品：

TAS5630

1

特点

的PurePath HD启用了集成反馈

规定：

- 信号带宽可达80千赫

高频率内容从高清片源

- 超低0.03 ％的THD为1 W到4

- 平THD在所有频率自然

声音

- 80 dB的电源抑制比（ BTL ，无输入信号）

- >100 - 分贝（ A加权）信噪比

- 点击 - 和波普免费入门

可能在同一多种配置

PCB带馅的选项：

- 单声道并行桥接负载（ PBTL ）

- 立体声桥接负载（ BTL ）

- 2.1单端立体声对和

桥接负载低音炮

- 四通道单端输出

10 ％ THD + N总输出功率

- 在单PBTL配置600瓦

- 300瓦每立体声BTL通道

CON组fi guration

- 145 W可持续的四通道单端

CON组fi guration

高效率功率级（ >88 ％ ）用

60毫欧的MOSFET输出

两个热增强型封装选项：

- PHD （ 64引脚QFP ）

- DKD （ 44引脚PSOP3 ）

自保护设计（包括

欠压，过热，削波和

短路保护）错误报告

EMI符合当同时使用

推荐系统的设计

应用

迷你组合系统

AV接收器

DVD接收机

有源音箱

23

描述

该TAS5630是一款高性能的模拟输入

D类放大器与集成闭环

反馈技术（俗称的PurePath高清

技术）一起开车到300瓦的能力

(1)

立体声为4 Ω至8 Ω扬声器由一个单一的50 -V

供应量。

的PurePath高清技术使传统

AB放大器的性能（ <0.03 ％THD ），而水平

提供传统的D类的功率效率

放大器器。

不同于传统的D类放大器中，失真

曲线只增加一次，输出电平进入

剪裁。

的PurePath HD

的PurePath高清技术实现更低的闲置损失，

使得设备更加高效。再加上

TI的G类电源参考设计

TAS563x ，效率行业领先水平的可

实现的。

3

OPA1632

类似物

音频

输入

的PurePath高清

TAS5630

（ 2.1 CON组fi guration ）

TM

±15

V

12 V

25 V–50 V

的PurePath高清

G类电源

参考文献。设计

TM

110 VAC

240 VAC

(1)

可实现的输出功率电平是依赖于热

目标应用程序的配置。高性能

暴露的封装散热的热界面材料

蛞蝓和散热器应该用于实现高输出

功率电平。

1

2

3

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

的PurePath高清是德州仪器的商标。

所有其他商标均为其各自所有者的财产。

版权所有2009-2010，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

TAS5630

SLES220B - 2009年6月 - 修订2010年2月

www.ti.com

这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

设备信息

端子分配

该TAS5630是两种散热增强型封装可供选择：

64引脚QFP （ PHD ）功率封装

44引脚PSOP3包（ DKD ）

封装类型包含热蛞蝓，它们位于该装置的顶侧，以方便热

耦合至热沉。

PHD包装

（ TOP VIEW ）

VDD

PSU_REF

NC

NC

NC

NC

GND

GND

GVDD_B

GVDD_A

BST_A

OUT_A

OUT_A

PVDD_A

PVDD_A

GND_A

DKD套餐

（ TOP VIEW ）

电针1

引脚1标记

白点

2

提交文档反馈

产品文件夹链接（ S） ：

TAS5630

OTW2

夹

准备

M1

M2

M3

GND

GND

GVDD_C

GVDD_D

BST_D

OUT_D

OUT_D

PVDD_D

PVDD_D

GND_D

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

OC_ADJ

RESET

C_STARTUP

INPUT_A

INPUT_B

VI_CM

GND

AGND

VREG

INPUT_C

INPUT_D

FREQ_ADJ

OSC_IO +

OSC_IO-

SD

OTW1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

64引脚QFP封装

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

GND_A

GND_B

GND_B

OUT_B

OUT_B

PVDD_B

PVDD_B

BST_B

BST_C

PVDD_C

PVDD_C

OUT_C

OUT_C

GND_C

GND_C

GND_D

PSU_REF

VDD

OC_ADJ

RESET

C_STARTUP

INPUT_A

INPUT_B

VI_CM

GND

AGND

VREG

INPUT_C

INPUT_D

FREQ_ADJ

OSC_IO +

OSC_IO-

SD

OTW

准备

M1

M2

M3

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

GVDD_AB

BST_A

PVDD_A

PVDD_A

OUT_A

OUT_A

GND_A

GND_B

OUT_B

PVDD_B

BST_B

BST_C

PVDD_C

OUT_C

GND_C

GND_D

OUT_D

OUT_D

PVDD_D

PVDD_D

BST_D

GVDD_CD

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

44引脚封装

（ TOP VIEW ）

PIN一个位置PHD包装

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TAS5630

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模式选择引脚

模式引脚

M3

0

0

0

0

1

1

1

1

(1)

M2

0

0

1

1

0

0

1

1

M1

0

1

0

1

0

1

0

1

模拟量输入

迪FF erential

—

迪FF erential

迪FF erential

单端

单端

迪FF erential

产量

CON组fi guration

2 × BTL

—

2 × BTL

1 × BTL 2 × SE

4 × SE

1 × PBTL

AD模式

版权所有

BD模式

BD模式， BTL差

AD模式

INPUT_C

0

1

版权所有

(1)

描述

INPUT_D

0

0

(1)

AD模式

BD模式

INPUT_C和D用于AD和BD模式操作中PBTL模式（1 = VREG和0 = AGND）的一个子集之间进行选择。

封装的热耗散额定值

(1)

参数

R

QJC

（℃ / W ） - 2- BTL或4 SE的通道

R

QJC

（ ℃/ W） - 1 BTL或2 SE的信道（多个）

R

QJC

（ ° C / W） - 1 SE通道

垫区

(1)

(2)

(2)

TAS5630PHD

2.63

4.13

6.45

64 mm

2

TAS5630DKD

1.4

2.04

3.45

80 mm

2

R

QJC

是结到外壳，R

QCH

区分到散热器

R

QCH

是一个重要的考虑因素。假定导热油脂的2密耳（ 0.051毫米）的厚度为2.5瓦/ mK的热导率

焊盘区域和散热器和两个通道活性之间。第r

QCH

这个条件对于PHD包1.1 ° C / W和

0.44 ° C / W的DKD包。

表1.订购信息

(1)

T

A

0°C–70°C

0°C–70°C

(1)

包

TAS5630PHD

TAS5630DKD

描述

64引脚HTQFP

44针PSOP3

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

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绝对最大额定值

在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明

VDD到AGND

GVDD到AGND

PVDD_X到GND_X

BST_X到GND_X

VREG到AGND

GND_X到GND

GND_X到AGND

OC_ADJ ，M1， M2，M3， OSC_IO + OSC_IO- ， FREQ_ADJ ， VI_CM ， C_STARTUP ，

PSU_REF到AGND

INPUT_X

RESET ， SD ， OTW1 ， OTW2 ， CLIP ，准备AGND

连续灌电流（SD ， OTW1 ， OTW2 ， CLIP ，就绪）

工作结温范围，T

J

贮藏温度，T

英镑

静电放电

(1)

(2)

(3)

人体模型

(3)

（所有引脚）

带电器件模型

(3)

(2)

(1)

价值

-0.3至13.2

-0.3至13.2

-0.3至69

-0.3至69

-0.3 82.2

-0.3至69

-0.3 4.2

-0.3 0.3

-0.3 0.3

-0.3 4.2

-0.3 5

-0.3 7

9

0至150

-40至150

±2

±500

（所有引脚）

单位

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

V

mA

°C

°C

kV

V

OUT_X到GND_X

(2)

(2)

BST_X到GVDD_X

(2)

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。

未能在制造过程中遵循良好的防静电ESD处理和返工有贡献的设备故障。确保运营商

处理装置通过使用接地母线或替代ESD保护的充分接地。

推荐工作条件

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）

闽喃

PVDD_x

GVDD_X

VDD

R

L

（ BTL ）

R

L

（ SE ）

R

L

（ PBTL ）

L

产量

（ BTL ）

L

产量

（ SE ）

L

产量

（ PBTL ）

f

PWM

PWM帧速率选择为AM

避免干扰; 1 ％的电阻

耐受性。

公称

AM1

AM2

名义;主模式

R

FREQ_ADJ

PWM帧率编程电阻

FREQ_ADJ引脚从模式上的电压

手术

结温

AM1 ;主模式

AM2 ;主模式

V

FREQ_ADJ

T

J

从模式

0

输出滤波电感

最小输出电感的我

OC

负载阻抗

根据在图表输出滤波器

应用信息部分

半桥电源

供应逻辑稳压器和栅极驱动器

电路

数字式稳压电源电压

直流电源电压

直流电源电压

直流电源电压

25

10.8

10.8

3.5

1.8

1.6

7

7

7

385

315

260

9.9

19.8

29.7

50

12

12

4

2

2

10

15

10

400

333

300

10

20

30

3.3

150

415

350

335

10.1

20.2

30.3

V

°C

k

千赫

mH

最大

52.5

13.2

13.2

单位

V

V

V

4

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引脚功能

针

名字

AGND

BST_A

BST_B

BST_C

BST_D

夹

C_STARTUP

FREQ_ADJ

GND

GND_A

GND_B

GND_C

GND_D

GVDD_A

GVDD_B

GVDD_C

GVDD_D

GVDD_AB

GVDD_CD

INPUT_A

INPUT_B

INPUT_C

INPUT_D

M1

M2

M3

NC

OC_ADJ

OSC_IO +

OSC_IO-

OTW

OTW1

OTW2

OUT_A

OUT_B

OUT_C

OUT_D

PSU_REF

PVDD_A

PVDD_B

PVDD_C

PHD NO 。

8

54

41

40

27

18

3

12

7, 23, 24, 57,

58

48, 49

46, 47

34, 35

32, 33

55

56

25

26

—

—

4

5

10

11

20

21

22

59–62

1

13

14

—

16

17

52, 53

44, 45

36, 37

28, 29

63

50, 51

42, 43

38, 39

DKD NO 。

10

43

34

33

24

—

5

14

9

38

37

30

29

—

—

—

—

44

23

6

7

12

13

20

21

22

–

3

15

16

18

—

—

39, 40

36

31

27, 28

1

41, 42

35

32

功能

(1)

P

P

P

P

P

O

O

I

P

P

P

P

P

P

P

P

P

P

P

I

I

I

I

I

I

I

—

O

I / O

I / O

O

O

O

O

O

O

O

P

P

P

P

描述

模拟地

HS自举电源（ BST ） ，外部0.033 -MF电容OUT_A要求。

以OUT_B需要HS自举电源（ BST ） ，外部0.033 -MF电容。

以OUT_C需要HS自举电源（ BST ） ，外部0.033 -MF电容。

以OUT_D需要HS自举电源（ BST ） ，外部0.033 -MF电容。

裁剪警告;漏极开路;低电平有效

起动加速需要4.7 nF的充电电容BTL模式AGND

PWM帧率编程引脚需要电阻到AGND

地

电源地为半桥一个

电源地为半桥B

电源地为半桥

电源地的半桥式D

栅极驱动电压供给需要0.1 μF的电容GND_A

栅极驱动电源需要0.1 μF的电容GND_B

栅极驱动电源需要0.1 μF的电容GND_C

栅极驱动电源需要0.1 μF的电容GND_D

栅极驱动电源需要0.22 μF的电容GND_A / GND_B

栅极驱动电源需要0.22 μF的电容GND_C / GND_D

输入信号为半桥一个

输入信号为半桥B

输入信号为半桥

输入信号的半桥式D

模式选择

模式选择

模式选择

无连接;引脚可接地。

模拟过流编程引脚需要电阻到AGND。 64针

包（ PHD ） = 22 kΩ的。 44针PSOP3 （ DKD ） = 24 kΩ的

振荡器主/从机输出/输入

振荡器主/从机输出/输入

超温预警信号，漏极开路，低电平有效

超温预警信号，漏极开路，低电平有效

超温预警信号，漏极开路，低电平有效

输出，半桥一个

输出，半桥B

输出，半桥

输出，半桥式D

PSU参考需要330 pF到AGND接近去耦。

电源输入半桥A需要0.01 -MF接近脱钩

电容与2.2 μF的电容GND_A平行。

电源输入半桥B要求的0.01 -MF接近脱钩

电容并联2.2 μF的电容GND_B 。

电源输入半桥C要求的0.0紧密脱钩

mF

电容与2.2 μF的电容GND_C平行。

(1)

I =输入， O =输出， P =电源

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