TAS5616
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SLAS596B - 2009年6月 - 修订2010年1月
160 -W立体声/ 300 -W单声道的PurePath HD数字输入功率级
检查样品：
TAS5616
1
特点
的PurePath HD启用了集成反馈
规定：
- 信号带宽可达80千赫
高频率内容从高清片源
- 超低0.03 ％的THD为1 W到8
- 平THD在所有频率自然
声音
- 80 dB的电源抑制比（ BTL ，无输入信号）
- >100 - 分贝（ A加权）信噪比
- 点击 - 和波普免费启动
- 相对于极少的外部元件
分立式解决方案
可能在同一多种配置
PCB带馅的选项：
- 单声道并行桥接负载（ PBTL ）
- 立体声桥接负载（ BTL ）
- 2.1单端立体声对和
桥接负载低音炮
- 四通道单端输出
10 ％ THD + N总输出功率
- 在单PBTL配置330 W
- 为160W每立体声BTL通道
CON组fi guration
- 在四路单端80瓦每通道
CON组fi guration
高效率功率级（ >90 ％ ）用
120毫欧的MOSFET输出
两个热增强型封装选项：
- PHD （ 64引脚QFP ）
- DKD （ 44引脚PSOP3 ）
自保护设计（包括
欠压，过热，削波和
短路保护）错误报告
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
应用
迷你组合系统
AV接收器
DVD接收机
有源音箱
23
描述
该TAS5616是一个高性能的PWM输入
D类放大器与集成闭环
反馈技术（俗称的PurePath HD
技术） 。它能够驱动多达160 -W的能力
(1)
立体声为8 Ω扬声器由一个50 -V
供应量。
的PurePath HD技术使传统
AB放大器的性能（ <0.03 ％THD ），而水平
提供传统的D类的功率效率
放大器器。
超低0.03 ％的THD + N为在所有频率持平，
确保放大器不加不平
失真特性，并有助于保持自然
声。
这种D类放大器的效率大于
90％。欠压保护，过温，
削波，短路和过电流保护是
全集成，维护设备和扬声器
针对故障状况，可能会损坏
系统。
的PurePath HD
类似物
音频
输入
数字
音频
输入
TAS3308
DIGITAL AUDIO
处理器
与模拟接口
的PurePath高清
TAS5616
TAS5630
（ 2.1 CON组fi guration ）
TM
12 V
25 V–50 V
+3.3V
注册。
的PurePath高清
电源
参考文献。设计
TM
110 VAC
240 VAC
(1)
可实现的输出功率电平是依赖于热
目标应用程序的配置。高性能
露出的包之间的热界面材料
散热垫与散热片应被用于实现高
输出功率电平。
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的PurePath高清是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2009-2010，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TAS5616
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
设备信息
端子分配
该TAS5616是两种散热增强型封装可供选择：
44引脚PSOP3包（ DKD ）
64引脚QFP （ PHD ）功率封装
两包类型包含位于该装置的顶侧，以方便热一热片
耦合至热沉。
PHD包装
（ TOP VIEW ）
VDD
PSU_REF
NC
NC
NC
NC
GND
GND
GVDD_B
GVDD_A
BST_A
OUT_A
OUT_A
PVDD_A
PVDD_A
GND_A
DKD套餐
（ TOP VIEW ）
电针1
引脚1标记
白点
2
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产品文件夹链接（ S） ： TAS5616
OTW2
夹
准备
M1
M2
M3
GND
GND
GVDD_C
GVDD_D
BST_D
OUT_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
GND_D
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
OC_ADJ
RESET
C_STARTUP
INPUT_A
INPUT_B
VI_CM
GND
AGND
VREG
INPUT_C
INPUT_D
TEST
NC
NC
SD
OTW1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
64引脚QFP封装
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
GND_A
GND_B
GND_B
OUT_B
OUT_B
PVDD_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
PVDD_C
OUT_C
OUT_C
GND_C
GND_C
GND_D
PSU_REF
VDD
OC_ADJ
RESET
C_STARTUP
INPUT_A
INPUT_B
VI_CM
GND
AGND
VREG
INPUT_C
INPUT_D
TEST
NC
NC
SD
OTW
准备
M1
M2
M3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GVDD_AB
BST_A
PVDD_A
PVDD_A
OUT_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
BST_D
GVDD_CD
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
44引脚封装
（ TOP VIEW ）
PIN一个位置PHD包装
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模式选择引脚
模式引脚
M3
0
0
0
0
1
1
1
1
(1)
(2)
M2
0
0
1
1
0
0
1
1
M1
0
1
0
1
0
1
0
1
类似物
输入
(1)
2N
—
2N
1N
1N
2N
产量
CON组fi guration
2 × BTL
—
2 × BTL
1 × BTL 2 × SE
4 × SE
1 × PBTL
AD模式
版权所有
BD模式
AD模式
AD模式
INPUT_C
(2)
0
1
版权所有
INPUT_D
(2)
0
0
AD模式
BD模式
描述
在1N和2N命名约定是用来表示在一个特定模式的PWM行至每个信道的功率级的数目。
INPUT_C和D用于AD和BD模式操作中PBTL模式（1 = VREG和0 = AGND）的一个子集之间进行选择..
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
QJC
（℃ / W ） - 2- BTL或4 SE的通道
R
QJC
（ ℃/ W） - 1 BTL或2 SE的信道（多个）
R
QJC
（ ° C / W） - 1 SE通道
垫区
(1)
(2)
(2)
TAS5616PHD
3.63
5.95
9.9
49 mm
2
TAS5616DKD
2.52
3.22
6.9
80 mm
2
J
C
是结到外壳，C
H
区分到散热器
R
QCH
是一个重要的考虑因素。假设典型的导热油脂的焊盘区域和热沉之间的2密耳的厚度
两个通道的活性。第r
QCH
这种情况是1.22 ° C /为PHD封装的DKD包W 1.02 ° C / W
表1.订购信息
(1)
T
A
0°C–70°C
0°C–70°C
(1)
包
TAS5616PHD
TAS5616DKD
描述
64引脚HTQFP
44针PSOP3
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
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3
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
TAS5616
VDD到AGND
GVDD到AGND
PVDD_X到GND_X
BST_X到GND_X
VREG到AGND
GND_X到GND
GND_X到AGND
GND到AGND
OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3 ， VI_CM ， C_STARTUP ， PSU_REF到AGND
INPUT_X
RESET ， SD ， OTW1 ， OTW2 ， CLIP ，准备AGND
最大连续灌电流（SD ， OTW1 ， OTW2 ， CLIP ，就绪）
最大工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
静电放电
(1)
(2)
(3)
人体模型
(3)
(2)
(1)
单位
-0.3至13.2
-0.3至13.2
-0.3 69.0
-0.3 69.0
-0.3 82.2
-0.3 69.0
-0.3 4.2
-0.3 0.3
-0.3 0.3
-0.3 0.3
-0.3 4.2
-0.3 5.0
-0.3 7.0
9
0至150
-40至150
（所有引脚）
(3)
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
kV
V
OUT_X到GND_X
(2)
(2)
BST_X到GVDD_X
(2)
±2
±500
带电器件模型
（所有引脚）
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
未能在制造过程中遵循良好的防静电ESD处理和返工，将有助于设备故障。请确保
运营商处理装置通过使用接地母线或替代ESD保护的充分接地。
推荐工作条件
闽喃
PVDD_x
GVDD_X
VDD
R
L
（ BTL ）
R
L
（ SE ）
R
L
（ PBTL ）
L
产量
（ BTL ）
L
产量
（ SE ）
L
产量
（ PBTL ）
F
PWM
T
J
PWM帧率
结温
输出滤波电感
根据最小输出电感
短路状态
负载阻抗
半桥电源
半桥式供电， BTL 4Ω负载
供应逻辑稳压器和栅极驱动器
电路
数字式稳压电源电压
直流电源电压
直流电源电压
直流电源电压
根据输出滤波器
在应用程序中的原理图
信息部分。
25
25
10.8
10.8
7
3.5
3.5
14
14
14
352
0
50
38
12
12
8
4
4
15
15
15
384
500
150
千赫
°C
mH
最大
52.5
40
13.2
13.2
单位
V
V
V
4
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终端功能
终奌站
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
BST_D
C_STARTUP
夹
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GND_D
GVDD_A
GVDD_AB
GVDD_B
GVDD_C
GVDD_CD
GVDD_D
INPUT_A
INPUT_B
INPUT_C
INPUT_D
M1
M2
M3
NC
NC
NC
OC_ADJ
PHD
号
8
54
41
40
27
3
18
7, 23,
24, 57,
58
48, 49
46, 47
34, 35
32, 33
55
—
56
25
—
26
4
5
10
11
20
21
22
59-62
13
14
1
DKD
号
10
43
34
33
24
5
—
9
38
37
30
29
—
44
—
—
23
—
6
7
12
13
20
21
22
—
15
16
3
功能
(1)
P
P
P
P
P
O
O
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
I
—
—
—
O
模拟地
HS自举电源（ BST ） ，外部0.033
mF
电容OUT_A要求。
HS自举电源（ BST ） ，外部0.033
mF
以OUT_B所需的电容。
HS自举电源（ BST ） ，外部0.033
mF
电容OUT_C要求。
HS自举电源（ BST ） ，外部0.033
mF
以OUT_D所需的电容。
启动斜坡需要4.7 nF的充电电容到AGND
裁剪警告;漏极开路;低电平有效
地
电源地为半桥一个
电源地为半桥B
电源地为半桥
电源地的半桥式D
栅极驱动电源需要0.1
mF
电容到AGND
栅极驱动电源需要0.22
mF
电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1
mF
电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1
mF
电容到AGND
栅极驱动电源需要0.22
mF
电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1
mF
电容到AGND
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
输入信号的半桥式D
模式选择
模式选择
模式选择
无连接，引脚可接地。
无连接，引脚可接地。
无连接，引脚可接地。
模拟过电流编程引脚要求接地电阻。
64引脚QFP封装（ PHD ） = 22 kΩ的
44引脚PSOP3包（ DKD ） = 24 kΩ的
超温预警信号，漏极开路，低电平有效。
超温预警信号，漏极开路，低电平有效。
超温预警信号，漏极开路，低电平有效。
输出，半桥一个
输出，半桥B
输出，半桥
输出，半桥式D
PSU需要参考4.7紧密脱钩
mF
到AGND
对于半桥电源输入端A需要2.2 μF的电容GND_A接近去耦
对于半桥电源输入B要求的2.2 μF的电容GND_B接近去耦
电源输入半桥C要求的2.2 μF的电容GND_C接近去耦
对于半桥电源输入端D需要2.2 μF的电容GND_D接近去耦
正常运行;漏极开路;高电平有效
器件复位输入;低电平有效
关机信号，漏极开路，低电平有效
连接到VREG节点
描述
OTW
OTW1
OTW2
OUT_A
OUT_B
OUT_C
OUT_D
PSU_REF
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PVDD_D
准备
RESET
SD
TEST
—
16
17
52, 53
44, 45
36, 37
28, 29
63
50, 51
42, 43
38, 39
30, 31
19
2
15
12
18
—
—
39, 40
36
31
27, 28
1
41, 42
35
32
25, 26
19
4
17
14
O
O
O
O
O
O
O
P
P
P
P
P
O
I
O
I
(1)
I =输入， O =输出， P =电源
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