添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第910页 > TAS5615PHDR
的PurePath数字
TAS5615
www.ti.com
......................................................................................................................................................................................................
SLAS595 - 2009年6月
为160W立体声/单声道300W的PurePath HD模拟输入功率级
1
特点
描述
该TAS5615是一款高性能的模拟量输入
D类放大器,集成闭环
反馈技术(俗称的PurePath HD) 。它
有能够驱动多达160 W上的能力
(1)
立体声为8Ω
演讲者从单一的50V电源。
的PurePath HD技术使传统
AB放大器的性能( <0.03 %THD ),而水平
提供传统的D类的功率效率
放大器器。
超低0.03 %的THD + N为在所有频率持平,
确保放大器不加不平
失真特性,并有助于保持自然
声。
这种D类放大器的效率大于
90%。欠压保护,过温,
裁剪,短路和过流保护
全集成,维护设备和扬声器
针对故障状况,可能会损坏
系统。
主动启用集成的反馈提供:
(的PurePath HD)
- 信号带宽高达80kHz的高
频率含量高清晰度
来源
- 超低0.03 %的THD为1W ,8Ω负载。
- 0.03 % THD在所有频率上的
在1W自然的声音
- 80dB的PSRR ( BTL ,无输入信号)
- >100分贝( A计权)信噪比
- 咔嗒免费启动
- 相对于极少的外部元件
分立式解决方案
可能在同一多种配置
PCB :
- 单声道并行桥接负载( PBTL )
- 2.1单端( SE )立体声对和
桥接负载(BTL )低音炮
- 四通道单端( SE )输出
10 % THD + N总输出功率
- 300W单声道PBTL配置
- 在立体声BTL每通道160W
- 80W每通道在四路单端
高效率功率级( > 90 % )用120
毫欧的MOSFET输出
两个热增强型封装选项:
- PHD ( 64引脚QFP )
- DKD ( 44引脚PSOP3 )
自保护设计(包括
欠压,过热,削波和
短路保护)错误报告
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
2
3× OPA1632
??
类似物
音频
输入
的PurePath高清
TM
TAS5615
TAS5630
( 2.1 CON组fi guration )
??
??
±15V
+12V
+ 25V至+ 50V
的PurePath高清
TM
G类电源
参考设计
110VAC->240VAC
应用
迷你组合系统
AV接收器
DVD接收机
有源音箱
(1)
可实现的输出功率电平是依赖于热
目标应用程序的配置。高性能
露出的包之间的热界面材料
heatslug和热沉应该用于实现高
输出功率电平
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2009年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TAS5615
SLAS595 - 2009年6月
......................................................................................................................................................................................................
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
设备信息
端子分配
该TAS5615是两种散热增强型封装可供选择:
64引脚QFP ( PHD )功率封装
44引脚PSOP3包( DKD )
封装类型包含位于该装置的顶侧,以方便热的热蛞蝓
耦合至热沉。
PHD包装
( TOP VIEW )
VDD
PSU_REF
NC
NC
NC
NC
GND
GND
GVDD_B
GVDD_A
BST_A
OUT_A
OUT_A
PVDD_A
PVDD_A
GND_A
DKD套餐
( TOP VIEW )
电针1
引脚1标记
白点
2
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) : TAS5615
OTW2
准备
M1
M2
M3
GND
GND
GVDD_C
GVDD_D
BST_D
OUT_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
GND_D
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
OC_ADJ
RESET
C_STARTUP
INPUT_A
INPUT_B
VI_CM
GND
AGND
VREG
INPUT_C
INPUT_D
FREQ_ADJ
OSC_IO +
OSC_IO-
SD
OTW1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
64引脚QFP封装
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
GND_A
GND_B
GND_B
OUT_B
OUT_B
PVDD_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
PVDD_C
OUT_C
OUT_C
GND_C
GND_C
GND_D
PSU_REF
VDD
OC_ADJ
RESET
C_STARTUP
INPUT_A
INPUT_B
VI_CM
GND
AGND
VREG
INPUT_C
INPUT_D
FREQ_ADJ
OSC_IO +
OSC_IO-
SD
OTW
准备
M1
M2
M3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GVDD_AB
BST_A
PVDD_A
PVDD_A
OUT_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
BST_D
GVDD_CD
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
44引脚封装
( TOP VIEW )
PIN一个位置PHD包装
版权所有 2009年,德州仪器
TAS5615
www.ti.com
......................................................................................................................................................................................................
SLAS595 - 2009年6月
模式选择引脚
模式引脚
M3
0
0
0
0
1
1
1
1
(1)
M2
0
0
1
1
0
0
1
1
M1
0
1
0
1
0
1
0
1
类似物
输入
迪FF erential
迪FF erential
迪FF erential
单端
单端
迪FF erential
产量
CON组fi guration
2 × BTL
2 × BTL
1 × BTL 2 × SE
4 × SE
1 × PBTL
AD模式
版权所有
BD模式
AD模式, BTL差
AD模式
INPUT_C
(1)
0
1
版权所有
INPUT_D
(1)
0
0
AD模式
BD模式
描述
INPUT_C和D用于AD和BD模式操作中PBTL模式(1 = VREG和0 = AGND)的一个子集之间进行选择。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
θJC
(℃ / W ) - 2- BTL或4 SE的通道
R
θJC
( ℃/ W) - 1 BTL或2 SE的信道(多个)
R
θJC
( ° C / W) - 1 SE通道
垫区
(1)
(2)
(2)
TAS5615PHD
3.63
5.95
9.9
49 mm
2
TAS5615DKD
2.52
3.22
6.9
80 mm
2
J
C
是结到外壳, CH是区分到散热器
R
θH
是一个重要的考虑因素。假设典型的导热硅脂垫区和散热片和在两者之间有2密耳的厚度
渠道活跃。第r
θch
这种情况是1.22 ° C /为PHD包和W并为DKD包1.02 ° C / W 。
订购信息
(1)
T
A
0°C–70°C
0°C–70°C
(1)
(2)
TAS5615PHD
(2)
描述
64引脚HTQFP
44针PSOP3
TAS5615DKD
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
产品预览
版权所有 2009年,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) : TAS5615
3
TAS5615
SLAS595 - 2009年6月
......................................................................................................................................................................................................
www.ti.com
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
TAS5615
VDD到AGND
GVDD到AGND
PVDD_X到GND_X
OUT_X到GND_X
(2)
(2)
(1)
单位
-0.3至13.2
-0.3至13.2
-0.3 69.0
-0.3 69.0
-0.3 82.2
-0.3 69.0
-0.3 4.2
-0.3 0.3
-0.3 0.3
-0.3 4.2
-0.3 5
-0.3 7.0
9
0至150
-40至150
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
kV
V
BST_X到GND_X
(2)
BST_X到GVDD_X
VREG到AGND
GND_X到GND
GND_X到AGND
OC_ADJ ,M1, M2,M3, OSC_IO + OSC_IO- , FREQ_ADJ , VI_CM , C_STARTUP ,
PSU_REF到AGND
INPUT_X
RESET , SD , OTW1 , OTW2 , CLIP ,准备AGND
连续灌电流(SD , OTW1 , OTW2 , CLIP ,就绪)
工作结温范围,T
J
贮藏温度,T
英镑
静电放电
(1)
(2)
(3)
人体模型
(3)
(2)
(所有引脚)
±2
±500
带电器件模型
(3)
(所有引脚)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下,终端测量的直流电压+峰的交流波形。
未能在制造过程中遵循良好的防静电ESD处理和返工,将有助于设备故障。确保
运营商处理装置通过使用接地母线或替代ESD保护的充分接地。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
闽喃
PVDD_x
GVDD_X
VDD
R
L
( BTL )
R
L
( SE )
R
L
( PBTL )
L
产量
( BTL )
L
产量
( SE )
L
产量
( PBTL )
F
PWM
公称
PWM帧速率选择调幅干扰
AM1
回避; 1 %电阻容差
AM2
名义;主模式
R
FREQ_ADJ
PWM帧率编程电阻
FREQ_ADJ引脚从模式上的电压
手术
结温
AM1 ;主模式
AM2 ;主模式
V
FREQ_ADJ
T
J
从模式
0
输出滤波电感
最小输出电感的我
OC
负载阻抗
根据在图表输出滤波器
应用信息部分。
半桥电源
供应逻辑稳压器和栅极驱动器
电路
数字式稳压电源电压
直流电源电压
直流电源电压
直流电源电压
25
10.8
10.8
7
3.5
3.5
14
14
14
350
310
260
9.5
19.8
29.7
50
12
12
8.0
4.0
4.0
15
15
15
400
340
300
10
20
30
3.3
150
°C
450
350
320
10.5
20.2
30.3
k
千赫
H
最大
52.5
13.2
13.2
单位
V
V
V
4
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) : TAS5615
版权所有 2009年,德州仪器
TAS5615
www.ti.com
......................................................................................................................................................................................................
SLAS595 - 2009年6月
引脚功能
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
BST_D
/ CLIP
C_STARTUP
FREQ_ADJ
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GND_D
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
GVDD_D
GVDD_AB
GVDD_CD
INPUT_A
INPUT_B
INPUT_C
INPUT_D
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
PHD NO 。
8
54
41
40
27
18
3
12
7, 23, 24, 57,
58
48, 49
46, 47
34, 35
32, 33
55
56
25
26
4
5
10
11
20
21
22
59-62
1
DKD NO 。
10
43
34
33
24
5
14
9
38
37
30
29
-
44
23
6
7
12
13
20
21
22
3
功能
(1)
P
P
P
P
P
O
O
I
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
I
O
模拟地
HS自举电源( BST ) ,外部0.033
F
电容OUT_A要求。
HS自举电源( BST ) ,外部0.033
F
以OUT_B所需的电容。
HS自举电源( BST ) ,外部0.033
F
电容OUT_C要求。
HS自举电源( BST ) ,外部0.033
F
以OUT_D所需的电容。
裁剪警告;漏极开路;低电平有效
启动斜坡需要4.7 nF的充电电容到AGND
PWM帧率编程引脚需要电阻到AGND
电源地为半桥一个
电源地为半桥B
电源地为半桥
电源地的半桥式D
栅极驱动电源需要0.1
F
电容GND_A
栅极驱动电源需要0.1
F
电容GND_B
栅极驱动电源需要0.1
F
电容GND_C
栅极驱动电源需要0.1 uF的电容GND_D
栅极驱动电源需要0.22
F
电容GND_A / GND_B
栅极驱动电源需要0.22
F
电容GND_C / GND_D
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
输入信号的半桥式D
模式选择
模式选择
模式选择
无连接,引脚可接地。
模拟过电流编程引脚要求接地电阻:
64引脚QFP封装( PHD ) = 22 kΩ的
44引脚PSOP3包( DKD ) = 24 kΩ的
Oscillaotor主/从机输出/输入。
Oscillaotor主/从机输出/输入。
超温预警信号,漏极开路,低电平有效。
超温预警信号,漏极开路,低电平有效。
超温预警信号,漏极开路,低电平有效。
输出,半桥一个
输出,半桥B
输出,半桥
输出,半桥式D
PSU参考需要330 pF的接近去耦至AGND
对于半桥电源输入端A需要2.2 μF去耦接近
电容GND_A 。
对于半桥电源输入B要求的2.2 μF去耦接近
电容GND_B 。
电源输入半桥C要求的2.2 μF去耦接近
电容GND_C 。
描述
OSC_IO +
OSC_IO-
/ OTW
/OTW1
/OTW2
OUT_A
OUT_B
OUT_C
OUT_D
PSU_REF
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
(1)
13
14
-
16
17
52, 53
44, 45
36, 37
28, 29
63
50, 51
42, 43
38, 39
15
16
18
39, 40
36
31
27, 28
1
41, 42
35
32
I / O
I / O
O
O
O
O
O
O
O
P
P
P
P
I =输入, O =输出, P =电源
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) : TAS5615
5
版权所有 2009年,德州仪器
的PurePath数字
www.ti.com
TAS5615
SLAS595B - 2009年6月 - 修订2010年2月
为160W立体声/单声道300W的PurePath HD模拟输入功率级
检查样品:
TAS5615
1
特点
主动启用集成的反馈提供:
(的PurePath HD技术)
- 信号带宽可达80千赫
高频含量从
高清源
- 超低0.03 %的THD为1 W到8
- 0.03 % THD在所有频率上的
在1 W自然的声音
- 80 dB的电源抑制比( BTL ,无输入信号)
- >100 - 分贝(A加权)信噪比
- 点击 - 和波普免费入门
- 相对于极少的外部元件
分立式解决方案
可能在同一多种配置
PCB :
- 单声道并行桥接负载( PBTL )
- 2.1单端( SE )立体声对和
桥接负载( BTL )低音炮
- 四通道单端( SE )输出
10 % THD + N总输出功率
- 在单PBTL配置300瓦
- 为160W每立体声BTL通道
- 在四路单端80瓦每通道
高效率功率级( > 90 % )用120
毫欧的MOSFET输出
两个热增强型封装选项:
- PHD ( 64引脚QFP )
- DKD ( 44引脚PSOP3 )
自保护设计(包括
欠压,过热,削波和
短路保护)错误报告
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
23
描述
该TAS5615是一款高性能的模拟量输入
D类放大器与集成闭环
反馈技术(俗称的PurePath HD
技术) 。它能够驱动多达160的能力
W
(1)
立体声为8 Ω扬声器由一个50 -V
供应量。
的PurePath高清技术使传统
AB放大器的性能( <0.03 %THD ),而水平
提供传统的D类的功率效率
放大器器。
超低0.03 %的THD + N为在所有频率持平,
确保放大器不加不平
失真特性,并有助于保持自然
声。
这种D类放大器的效率大于
90%。欠压保护,过温,
削波,短路和过电流保护是
全集成,维护设备和扬声器
针对故障状况,可能会损坏
系统。
3
OPA1632
类似物
音频
输入
的PurePath高清
TAS5615
( 2.1 CON组fi guration )
TM
±15
V
12 V
25 V–50 V
的PurePath高清
G类电源
参考文献。设计
TM
110 VAC
240 VAC
应用
1
迷你组合系统
AV接收器
DVD接收机
有源音箱
(1)
可实现的输出功率电平是依赖于热
目标应用程序的配置。高性能
露出的包之间的热界面材料
heatslug和热沉应该用于实现高
输出功率电平
2
3
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的PurePath高清是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2009-2010,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TAS5615
SLAS595B - 2009年6月 - 修订2010年2月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
设备信息
端子分配
该TAS5615是两种散热增强型封装可供选择:
的PurePath HD
64引脚QFP ( PHD )功率封装
44引脚PSOP3包( DKD )
封装类型包含位于该装置的顶侧,以方便热一热片
耦合至热沉。
PHD包装
( TOP VIEW )
VDD
PSU_REF
NC
NC
NC
NC
GND
GND
GVDD_B
GVDD_A
BST_A
OUT_A
OUT_A
PVDD_A
PVDD_A
GND_A
DKD套餐
( TOP VIEW )
电针1
引脚1标记
白点
2
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) : TAS5615
OTW2
准备
M1
M2
M3
GND
GND
GVDD_C
GVDD_D
BST_D
OUT_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
GND_D
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
OC_ADJ
RESET
C_STARTUP
INPUT_A
INPUT_B
VI_CM
GND
AGND
VREG
INPUT_C
INPUT_D
FREQ_ADJ
OSC_IO +
OSC_IO-
SD
OTW1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
64引脚QFP封装
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
GND_A
GND_B
GND_B
OUT_B
OUT_B
PVDD_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
PVDD_C
OUT_C
OUT_C
GND_C
GND_C
GND_D
PSU_REF
VDD
OC_ADJ
RESET
C_STARTUP
INPUT_A
INPUT_B
VI_CM
GND
AGND
VREG
INPUT_C
INPUT_D
FREQ_ADJ
OSC_IO +
OSC_IO-
SD
OTW
准备
M1
M2
M3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GVDD_AB
BST_A
PVDD_A
PVDD_A
OUT_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
BST_D
GVDD_CD
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
44引脚封装
( TOP VIEW )
PIN一个位置PHD包装
版权所有2009-2010,德州仪器
TAS5615
www.ti.com
SLAS595B - 2009年6月 - 修订2010年2月
模式选择引脚
模式引脚
M3
0
0
0
0
1
1
1
1
(1)
M2
0
0
1
1
0
0
1
1
M1
0
1
0
1
0
1
0
1
类似物
输入
迪FF erential
迪FF erential
迪FF erential
单端
单端
迪FF erential
产量
CON组fi guration
2 × BTL
2 × BTL
1 × BTL 2 × SE
4 × SE
1 × PBTL
AD模式
版权所有
BD模式
AD模式, BTL差
AD模式
INPUT_C
(1)
0
1
版权所有
INPUT_D
(1)
0
0
AD模式
BD模式
描述
INPUT_C和_D使用的AD和BD模式操作中PBTL模式(1 = VREG和0 = AGND)的一个子集之间进行选择。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
QJC
(℃ / W ) - 2- BTL或4 SE的通道
R
QJC
( ℃/ W) - 1 BTL或2 SE的信道(多个)
R
QJC
( ° C / W) - 1 SE通道
垫区
(1)
(2)
(2)
TAS5615PHD
3.63
5.95
9.9
49 mm
2
TAS5615DKD
2.52
3.22
6.9
80 mm
2
J
C
是结到外壳, CH是区分到散热器
R
qH
是一个重要的考虑因素。假设典型的导热硅脂垫区和散热片和在两者之间有2密耳的厚度
渠道活跃。第r
QCH
这种情况是1.22 ° C /为PHD包和W的DKD包1.02 ° C / W 。
表1.订购信息
(1)
T
A
0°C–70°C
0°C–70°C
(1)
TAS5615PHD
TAS5615DKD
描述
64引脚HTQFP
44针PSOP3
对于最新的封装和订购信息,请参阅封装选项附录本文档的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
版权所有2009-2010,德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) : TAS5615
3
TAS5615
SLAS595B - 2009年6月 - 修订2010年2月
www.ti.com
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
TAS5615
VDD到AGND
GVDD到AGND
PVDD_X到GND_X
BST_X到GND_X
VREG到AGND
GND_X到GND
GND_X到AGND
OC_ADJ ,M1, M2,M3, OSC_IO + OSC_IO- , FREQ_ADJ , VI_CM , C_STARTUP ,
PSU_REF到AGND
INPUT_X
RESET , SD , OTW1 , OTW2 , CLIP ,准备AGND
连续灌电流(SD , OTW1 , OTW2 , CLIP ,就绪)
工作结温范围,T
J
贮藏温度,T
英镑
静电放电
(1)
(2)
(3)
人体模型
(3)
(所有引脚)
带电器件模型
(3)
(2)
(1)
单位
-0.3至13.2
-0.3至13.2
-0.3 69.0
-0.3 69.0
-0.3 82.2
-0.3 69.0
-0.3 4.2
-0.3 0.3
-0.3 0.3
-0.3 4.2
-0.3 5
-0.3 7.0
9
0至150
-40至150
±2
±500
(所有引脚)
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
kV
V
OUT_X到GND_X
(2)
(2)
BST_X到GVDD_X
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下,终端测量的直流电压+峰的交流波形。
未能在制造过程中遵循良好的防静电ESD处理和返工有贡献的设备故障。确保
运营商处理装置通过使用接地母线或替代ESD保护的充分接地。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
闽喃
PVDD_x
GVDD_X
VDD
R
L
( BTL )
R
L
( SE )
R
L
( PBTL )
L
产量
( BTL )
L
产量
( SE )
L
产量
( PBTL )
f
PWM
公称
PWM帧速率选择调幅干扰
AM1
回避; 1 %电阻容差
AM2
名义;主模式
R
FREQ_ADJ
PWM帧率编程电阻
FREQ_ADJ引脚从模式上的电压
手术
结温
AM1 ;主模式
AM2 ;主模式
V
FREQ_ADJ
T
J
从模式
0
输出滤波电感
最小输出电感的我
OC
负载阻抗
根据在图表输出滤波器
应用信息部分。
半桥电源
供应逻辑稳压器和栅极驱动器
电路
数字式稳压电源电压
直流电源电压
直流电源电压
直流电源电压
25
10.8
10.8
7
3.5
3.5
14
14
14
385
315
260
9.9
19.8
29.7
50
12
12
8.0
4.0
4.0
15
15
15
400
333
300
10
20
30
3.3
150
°C
415
350
335
10.1
20.2
30.3
k
千赫
mH
最大
52.5
13.2
13.2
单位
V
V
V
4
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) : TAS5615
版权所有2009-2010,德州仪器
TAS5615
www.ti.com
SLAS595B - 2009年6月 - 修订2010年2月
引脚功能
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
BST_D
/ CLIP
C_STARTUP
FREQ_ADJ
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GND_D
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
GVDD_D
GVDD_AB
GVDD_CD
INPUT_A
INPUT_B
INPUT_C
INPUT_D
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
PHD NO 。
8
54
41
40
27
18
3
12
7, 23, 24, 57,
58
48, 49
46, 47
34, 35
32, 33
55
56
25
26
4
5
10
11
20
21
22
59–62
1
DKD NO 。
10
43
34
33
24
5
14
9
38
37
30
29
-
44
23
6
7
12
13
20
21
22
3
功能
(1)
P
P
P
P
P
O
O
I
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
I
O
模拟地
HS自举电源( BST ) ,外部0.033 -MF电容OUT_A要求
以OUT_B需要HS自举电源( BST ) ,外部0.033 -MF电容器
以OUT_C需要HS自举电源( BST ) ,外部0.033 -MF电容器
以OUT_D需要HS自举电源( BST ) ,外部0.033 -MF电容器
裁剪警告;漏极开路;低电平有效
启动斜坡需要4.7 nF的充电电容到AGND 。
PWM帧率编程引脚需要电阻到AGND。
电源地为半桥一个
电源地为半桥B
电源地为半桥
电源地的半桥式D
栅极驱动电压供给需要0.1 μF的电容GND_A 。
栅极驱动电压供给需要0.1 μF的电容GND_B 。
栅极驱动电压供给需要0.1 μF的电容GND_C 。
栅极驱动电源需要0.1 μF电容GND_D 。
栅极驱动电压供给需要0.22 μF的电容GND_A / GND_B 。
栅极驱动电压供给需要0.22 μF的电容GND_C / GND_D 。
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
输入信号的半桥式D
模式选择
模式选择
模式选择
无连接;引脚可接地。
模拟过电流编程引脚要求接地电阻:
64引脚QFP封装( PHD ) = 22 kΩ的
44引脚PSOP3包( DKD ) = 24 kΩ的
Oscillaotor主/从机输出/输入
Oscillaotor主/从机输出/输入
超温预警信号,漏极开路,低电平有效
超温预警信号,漏极开路,低电平有效
超温预警信号,漏极开路,低电平有效
输出,半桥一个
输出,半桥B
输出,半桥
输出,半桥式D
PSU参考需要330 pF到AGND接近去耦。
电源输入半桥A需要2.2 -MF接近脱钩
电容GND_A 。
电源输入半桥B要求的2.2 -MF接近脱钩
电容GND_B 。
电源输入半桥C要求的2.2 -MF接近脱钩
电容GND_C 。
描述
OSC_IO +
OSC_IO-
/ OTW
/OTW1
/OTW2
OUT_A
OUT_B
OUT_C
OUT_D
PSU_REF
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
(1)
13
14
16
17
52, 53
44, 45
36, 37
28, 29
63
50, 51
42, 43
38, 39
15
16
18
39, 40
36
31
27, 28
1
41, 42
35
32
I / O
I / O
O
O
O
O
O
O
O
P
P
P
P
I =输入, O =输出, P =电源
提交文档反馈
产品文件夹链接( S) : TAS5615
5
版权所有2009-2010,德州仪器
查看更多TAS5615PHDRPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TAS5615PHDR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:657995889 复制

电话:0755*83682918
联系人:林小姐
地址:深圳市福田区华强花园A座30E
TAS5615PHDR
TI/德州仪器
22+
16000
HTQFP64
原装正品自家库存
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:960030175 复制

电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
TAS5615PHDR
TI/德州仪器
23+
23000
64-TQFP
全新原装现货 优势库存
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
TAS5615PHDR
Texas Instruments
24+
10000
64-HTQFP(14x14)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
TAS5615PHDR
Texas Instruments
24+
10000
64-TQFP Exposed Pad
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TAS5615PHDR
TI
2443+
23000
HTQFP-64
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TAS5615PHDR
Texas Instruments
24+
30000
64-HTQFP(14x14)
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
TAS5615PHDR
TI/德州仪器
25+23+
36572
HTQFP-64
绝对原装进口渠道优势商!全新原包原盒现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
TAS5615PHDR
TI
22+
1000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
TAS5615PHDR
TI
24+
7200
HTQFP64
100%原装正品,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97671959 复制

电话:171-4729-9698(微信同号)
联系人:周小姐,171-4729-9698,无线联通更快捷!
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
TAS5615PHDR
TI
24+
932
QFP-64
100¥/片,★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:100元
查询更多TAS5615PHDR供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!