TAS5613A
的PurePath数字
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SLAS711 - 2010年6月
150W立体声/单声道300W的PurePath HD模拟输入功率级
检查样品：
TAS5613A
1
特点
主动启用集成的反馈提供：
（的PurePath HD）
- 信号带宽高达80kHz的高
频率内容从高清片源
- 超低0.03 ％的THD为1W到4Ω
- 平THD在所有频率自然
声音
- 80dB的PSRR （ BTL ，无输入信号）
- >100分贝（ A计权）信噪比
- 咔嗒免费的启动和停止
引脚与TAS5630 ， TAS5615兼容
TAS5611
可能在同一多种配置
PCB ：
- 单声道并行桥接负载（ PBTL ）
- 立体声桥接负载（BTL ）
- 2.1单端（ SE ）立体声对和
桥接负载低音炮
10 ％ THD + N总输出功率
- 300W单声道PBTL配置
- 在立体声BTL每通道150W
CON组fi guration
在BTL配置的总输出功率
1%THD+N
- 160W立体声为3Ω
- 125W立体声为4Ω
- 85W立体声为6Ω
- 65W立体声到8Ω
>90 ％高效功率级采用60毫欧
输出MOSFET
自保护设计（包括
欠压，过热，削波和
短路保护）错误报告
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
23
两个热增强型封装选项：
- PHD （ 64引脚QFP ）
- DKD （ 44引脚PSOP3 ）
应用
家庭影院系统
AV接收器
DVD /蓝光光盘接收器
迷你组合系统
有源音箱和低音扩音器
描述
该TAS5613A是一款高性能的模拟量输入
D类放大器，集成闭环
反馈技术（俗称的PurePath HD） 。它
有哄抬到150瓦的能力
(1)
立体声为4Ω
音箱由一个单一的36V电源。
的PurePath HD技术使传统
AB放大器的性能（ <0.03 ％THD ），而水平
提供传统的D类的功率效率
放大器器。
不同于传统的D类放大器中，失真
曲线只增加一次，输出电平进入
剪裁。
的PurePath HD技术可实现更低的闲置亏损
使得设备更加高效。
总谐波失真+噪声
VS
输出功率
10
4欧姆（ 6kHz的）
4欧姆（ 1kHz时）
TC = 75℃
CONFIG = BTL
THD + N - 总谐波失真 - ％
TAL
1
0,1
0,01
0,001
0,01
1
P
O
- 输出功率 - 含
100
(1)
可实现的输出功率电平是依赖于热
目标应用程序的配置。高性能
露出的包之间的热界面材料
heatslug和热沉应该用于实现高
输出功率电平
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
蓝光光盘是蓝光光盘协会的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
2010 ，德州仪器
除非另有说明这个文件包含
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TAS5613A
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
设备信息
端子分配
该TAS5613A有两种散热增强型封装可供选择：
64引脚QFP （ PHD ）功率封装
44引脚PSOP3包（ DKD ）
封装类型包含位于该装置的顶侧，以方便热的热蛞蝓
耦合至热沉。
PHD包装
（ TOP VIEW ）
VDD
PSU_REF
NC
NC
NC
NC
GND
GND
GVDD_B
GVDD_A
BST_A
OUT_A
OUT_A
PVDD_A
PVDD_A
GND_A
DKD套餐
（ TOP VIEW ）
64引脚QFP封装
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
电针1
引脚1标记
白点
2
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产品文件夹链接（ S） ：
TAS5613A
OTW2
夹
准备
M1
M2
M3
GND
GND
GVDD_C
GVDD_D
BST_D
OUT_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
GND_D
PIN一个位置PHD包装
PR
OD
U
OC_ADJ
RESET
C_STARTUP
INPUT_A
INPUT_B
VI_CM
GND
AGND
VREG
INPUT_C
INPUT_D
FREQ_ADJ
OSC_IO +
OSC_IO-
SD
OTW1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
GND_A
GND_B
GND_B
OUT_B
OUT_B
PVDD_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
PVDD_C
OUT_C
OUT_C
GND_C
GND_C
GND_D
AGND
VREG
INPUT_C
INPUT_D
FREQ_ADJ
OSC_IO +
OSC_IO-
SD
OTW
准备
M1
M2
M3
2010 ，德州仪器
CT
PR
EV
IE
W
PSU_REF
VDD
OC_ADJ
RESET
C_STARTUP
INPUT_A
INPUT_B
VI_CM
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44引脚封装
（ TOP VIEW ）
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GVDD_AB
BST_A
PVDD_A
PVDD_A
OUT_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
BST_D
GVDD_CD
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
TAS5613A
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模式选择引脚
模式引脚
M3
0
0
0
0
1
1
1
1
(1)
M2
0
0
1
1
0
0
1
1
M1
0
1
0
1
0
1
0
1
类似物
输入
迪FF erential
—
迪FF erential
迪FF erential
（ BTL ）
单端
（ SE ）
单端
迪FF erential
产量
CON组fi guration
2 × BTL
—
2 × BTL
1 × BTL + 2 × SE
4 × SE
1 × PBTL
AD模式
版权所有
BD模式
BTL = BD模式， SE = AD模式
AD模式
INPUT_C
(1)
0
1
版权所有
INPUT_D
(1)
0
0
AD模式
BD模式
描述
INPUT_C和D被用来在PBTL模式（1 = VREG和0 = GND）， AD和BD模式操作的子集之间进行选择。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
QJC
（℃ / W ） - 2- BTL或4 SE的通道
R
QJC
（ ℃/ W） - 1 BTL或2 SE的信道（多个）
R
QJC
（ ° C / W） - 1 SE通道
垫区
(1)
(2)
(2)
TAS5613APHD
3.2
5.4
7.9
64 mm
2
TAS5613ADKD
2.1
3.5
5.1
80 mm
2
J
C
是结到外壳， CH是区分到散热器
R
qH
是一个重要的考虑因素。假设典型的导热硅脂垫区和散热片和在两者之间有2密耳的厚度
渠道活跃。第r
QCH
这种情况是1.22 ° C /为PHD包和W的DKD包1.02 ° C / W 。
表1.订购信息
(1)
T
A
0°C–70°C
0°C–70°C
(1)
包
TAS5613APHD
TAS5613ADKD
描述
64引脚HTQFP
44针PSOP3
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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3
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
TAS5613A
VDD到GND
GVDD到GND
PVDD_X到GND_X
BST_X到GND_X
VREG到GND
GND_X到GND
GND到AGND
OC_ADJ ，M1， M2，M3， OSC_IO + OSC_IO- ， FREQ_ADJ ， VI_CM ， C_STARTUP ，
PSU_REF到GND
INPUT_X
RESET ， SD ， OTW1 ， OTW2 ， CLIP ，准备GND
连续灌电流（SD ， OTW1 ， OTW2 ， CLIP ，就绪）
工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
静电放电
(1)
(2)
(3)
人体模型
(3)
（所有引脚）
带电器件模型
(3)
(2)
(1)
单位
-0.3至13.2
-0.3至13.2
-0.3 53
-0.3 53
-0.3 66.2
-0.3 53
-0.3 4.2
-0.3 0.3
-0.3 0.3
-0.3 4.2
-0.3 7
-0.3 7
9
0至150
-40至150
±2
±500
（所有引脚）
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
kV
V
OUT_X到GND_X
(2)
(2)
BST_X到GVDD_X
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
未能在制造过程中遵循良好的防静电ESD处理和返工，将有助于设备故障。确保
运营商处理装置通过使用接地母线或替代ESD保护的充分接地。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
PVDD_x
GVDD_X
VDD
R
L
（ BTL ）
R
L
（ SE ）
R
L
（ PBTL ）
R
L
（ BTL ）
L
OUT
（ BTL ）
L
OUT
（ SE ）
L
OUT
（ PBTL ）
F
PWM
PWM帧速率选择为AM
避免干扰; 1 ％
电阻容差
PWM帧率编程
电阻器
PVDD接近去耦电容
过电流编程电阻
电阻容差= 5 ％
22
公称
AM1
AM2
名义;主模式
R
FREQ_ADJ
C
PVDD
R
OC
AM1 ;主模式
AM2 ;主模式
输出滤波电感
最小输出电感的我
OC
负载阻抗
根据输出滤波器
图12
+
肖特基，R
OC
= 22kΩ
负载阻抗
根据输出滤波器
图12
和
图13
半桥电源
供应逻辑和监管
门极驱动器
数字式稳压电源电压
直流电源电压
直流电源电压
直流电源电压
18
10.8
10.8
3.5
2.8
1.6
2.8
7
7
7
350
300
260
9.5
19.8
29.7
典型值
36
12
12
4
3
2
3
10
15
10
400
340
300
10
20
30
2.0
30
450
380
335
10.5
20.2
30.3
mF
k
k
千赫
mH
Ω
最大
38
13.2
13.2
单位
V
V
V
4
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