TM
TAS5342A
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SLAS623 - 2008年11月
100瓦立体声数字放大器功率级
1
特点
描述
该TAS5342A是一个高性能，集成
立体声数字放大器功率级设计用于驱动
4 Ω桥接负载（BTL）高达100瓦每
具有低谐波失真通道，低综合
噪声和低静态电流。
该TAS5342A拥有完整的保护系统
片上集成，维护设备对一个
宽范围的故障情况下，可能会损坏
系统。这些保护功能包括短路
保护，过电流保护，欠电压
保护，过温度保护，以及损失
的PWM信号（PWM活动检测器） 。
上电复位（POR ）电路来消除
这是最需要的电源排序
功率级的设计。
BTL输出功率
vs
电源电压
130
125
120
115
110
105
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
总输出功率（桥接负载）
- 2 × 100瓦， 10 ％ THD + N为4个
- 2 × 80瓦， 10 ％ THD + N为6
- 2 × 65瓦， 10 ％ THD + N为8
总输出功率（单端）
- 4 × 40瓦， 10 ％ THD + N为3个
- 4 × 30瓦， 10 ％ THD + N为4个
总输出功率（并行模式）
- 1 × 200瓦， 10 ％ THD + N 2成
- 1 × 160瓦， 10 ％ THD + N为3个
>110分贝信噪比（ A加权有了TAS5518
调制器）
<0.1 ％ THD + N（ 1 W ， 1千赫）
支持192 kHz的PWM帧速率
432 KHZ
电阻可编程电流限制
集成自保护电路，包括：
- 低电压保护
- 过热警告和错误
过载保护
短路保护
- PWM活动检测器
独立的保护恢复
上电复位（ POR ），以消除系统
电源排序
高效率功率级（ >90 ％ ）用
80毫欧的MOSFET输出
热增强型封装44引脚HTSSOP
（ DDV ）
错误报告， 3.3 V和5.0 V标准
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
23
T
C
= 75°C
THD + N在10％
P
O
–
输出功率
–
W
4
6
8
2
4
6
8
10
12 14 16
18
20
22
24 26
28 30
PVDD - 电源电压 - V
的PurePath 数字
应用
小型/微型音响系统
DVD接收器
家庭影院
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的PurePath数字，使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
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PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
一般信息
端子分配
该TAS5342A是采用热增强型封装44引脚HTSSOP使用PowerPad 封装（ DDV ）
这个软件包包含位于该装置的顶侧，以方便热耦合的热垫
到散热器。
DDV包装
（ TOP VIEW ）
GVDD_B
OTW
NC
NC
SD
PWM_A
RESET_AB
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_CD
PWM_D
NC
NC
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GVDD_A
BST_A
NC
PVDD_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
NC
BST_D
GVDD_D
P0016-02
2
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保护模式选择引脚
保护方式是通过短接M1 ， M2和M3到VREG和GND选择。
模式引脚
M3
0
0
0
0
1
1
1
1
(1)
(2)
(3)
M2
0
0
1
1
0
0
1
1
M1
0
1
0
1
0
1
0
1
模式名称
BTL模式1
BTL模式2
BTL模式3
PBTL模式
SE模式1
SE模式2
PWM输入
(1)
2N
2N
1N
1N / 2N
1N
1N
(2)
描述
使所有保护系统
对， PWM活动检测器和OLP禁用闭锁shudown
使所有保护系统
使所有保护系统
使所有保护系统
(3)
对， PWM活动检测器和OLP禁用闭锁shudown
(3)
版权所有
在1N和2N命名约定是用来表示在一个特定模式的PWM行至每个信道的功率级的数目。
PWM_D使用的1N和2N的界面中PBTL模式（低= 1N ;高= 2N）之间进行选择。 PWM_D内部拉低的
PBTL模式。 PWM_A用作1N模式和PWM_A和PWM_B被用作输入的2N模式PWM输入。
PPSC检测系统禁用。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
θJC
（ ° C / W） -2 BTL或SE 4通道
R
θJC
（ ℃/ W） -1 BTL或2 SE的信道（多个）
R
θJC
（ ° C / W） -1 SE通道
电源焊盘面积
(1)
(2)
(2)
TAS5342ADDV
1.3
2.6
5.0
36 mm
2
JC是结到外壳， CH的情况下对散热器。
R
θch
是一个重要的考虑因素。假设的高性能润滑脂2密耳的厚度与在2.5W / m·K的热导率
衬垫区和热沉之间。第r
θch
这种情况是针对DDV包0.6 ° C / W 。
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
VDD到AGND
GVDD_X到AGND
PVDD_X到GND_X
OUT_X到GND_X
BST_X到GND_X
VREG到AGND
GND_X到GND
GND_X到AGND
GND到AGND
PWM_X ， OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3至AGND
RESET_X ， SD ， OTW到AGND
最大连续灌电流（ SD ， OTW ）
最大工作结温范围，T
J
储存温度
铅的温度， 1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
最小脉冲持续时间，低
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(1)
TAS5342A
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至53 V
0.3 V至53 V
0.3 V至66.2 V
0.3 V至53 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
9毫安
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
260°C
30纳秒
BST_X到GVDD_X
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
订购信息
(1)
T
A
0 ° C至70℃
(1)
包
(1)
TAS5342ADDV
描述
44引脚HTSSOP
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
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终端功能
终奌站
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
BST_D
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GND_D
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
GVDD_D
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
OTW
OUT_A
OUT_B
OUT_C
OUT_D
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PVDD_D
PWM_A
PWM_B
PWM_C
PWM_D
RESET_AB
RESET_CD
SD
VDD
VREG
(1)
DDV NO 。
11
43
34
33
24
10
38
37
30
29
44
1
22
23
15
14
13
3, 4, 19, 20, 25, 42
9
2
39
36
31
28
40, 41
35
32
26, 27
6
8
16
18
7
17
5
21
12
功能
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
–
O
O
O
O
O
O
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
O
P
P
(1)
描述
模拟地
引导针， A面
引导针，B端
引导针，C端
引导针D-方
地
电源地为半桥一个
电源地为半桥B
电源地为半桥
电源地的半桥式D
栅极驱动电压源; A面
栅极驱动电压源; B面
栅极驱动电压源; C面
栅极驱动电压源; D-方
模式选择引脚（ LSB ）
模式选择引脚
模式选择引脚（ MSB ）
无连接。引脚可接地。
模拟过流编程引脚
超温预警信号，漏极开路，低电平有效
输出，半桥一个
输出，半桥B
输出，半桥
输出，半桥式D
电源输入半桥一个
电源输入半桥B
电源输入半桥
电源输入端的半桥式D
PWM输入信号的半桥式一个
PWM输入信号为半桥B
PWM输入信号为半桥
PWM输入信号的半桥式D
复位和信号半桥半桥B，低电平有效
复位信号的半桥C和半桥D，低电平有效
关机信号，漏极开路，低电平有效
输入电源
内部稳压器
I =输入， O =输出， P =电源
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