TM
TAS5186
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SLES136 - 2005年5月
6通道， 210 -W ，数字放大器功率级
特点
总输出功率@ 10 ％ THD + N
– 5×30 W @ 6 + 1×60 W @ 3
105 dB的信噪比（A计权）
< 0.05 ％的THD + N @ 1 W
功率级效率> 90 ％进入
推荐负载（ SE ）
集成自保护电路
- 欠压
- 过热
- 超载
=短路
集成有源偏置控制，以避免DC
POP
耐热增强型44引脚HTSSOP封装
EMI兼容。当同时使用
推荐系统的设计
该TAS5186只需要简单的无源解调功能
其输出LATION过滤器，以提供高品质，
高效率的音频放大。效率
找到6 Ω的时TAS5186是大于90％
卫星和3 Ω低音炮音箱。
该TAS5186具有创新保护系统
片上集成，维护设备对一个
宽范围的故障情况下，可能会损坏
系统。这些保障措施都是短路保护，
过载保护，欠压保护，
过热保护。该TAS5186有一个新的
专有的电流限制电路，降低了
器件关断时的高层次的音乐可能性
瞬变。一种新的可编程过流检测器
允许在所述解调功能的使用成本更低的电感器
LATION输出滤波器。
总谐波失真+噪声
vs
输出功率
20
THD + N - 总谐波失真+噪声 - ％
10
PVDD = 40 V
T
C
= 75°C
应用
DVD接收器
家庭影院在一个盒子
1
6
卫星
描述
该TAS5186是一个高性能， 6声道，
具有改进的保护数字放大器功率级
化系统。该TAS5186是能够驱动的
6 Ω ，单端负载高达30瓦每元
前/卫星频道和一个3 Ω ，单端
低音炮大于60瓦， 10 ％ THD + N per-
性能。
低成本，高保真音响系统，可以建
使用的TI芯片组包括一个调制器（例如
TAS5086 ）和TAS5186 。该器件不
需要的，因为内部上电排序
上电复位。
0.1
3
低音炮
0.01
1
10
P
O
- 输出功率 - 含
70
G012
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad ，的PurePath数字是德州仪器的商标。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
一般信息
端子分配
该TAS5186是采用耐热增强型44引脚HTSSOP使用PowerPad 封装。该散热片是
位于该装置的顶侧，以方便热耦合到散热片。
DDV包装
（ TOP VIEW ）
PGND_EF
PWM_F
GVDD_DEF
VDD
PWM_E
PWM_D
RESET
M3
M2
M1
GND
AGND
VREG
OC_ADJ
SD
OTW
PWM_C
PWM_B
PWM_A
GVDD_ABC
BST_BIAS
OUT_BIAS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
BST_F
PVDD_F
OUT_F
PGND_EF
OUT_E
PVDD_E
BST_E
BST_D
PVDD_D
OUT_D
PGND_D
PGND_C
OUT_C
PVDD_C
BST_C
BST_B
PVDD_B
OUT_B
PGND_AB
OUT_A
PVDD_A
BST_A
P0016-01
2
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一般信息（续）
终端功能
终奌站
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_BIAS
BST_C
BST_D
BST_E
BST_F
GND
GVDD_ABC
GVDD_DEF
M1
M2
M3
OC_ADJ
OTW
OUT_A
OUT_B
OUT_BIAS
OUT_C
OUT_D
OUT_E
OUT_F
PGND_AB
PGND_C
PGND_D
PGND_EF
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PVDD_D
PVDD_E
PVDD_F
PWM_A
PWM_B
PWM_C
PWM_D
PWM_E
PWM_F
RESET
SD
VDD
VREG
(1)
号
12
23
29
21
30
37
38
44
11
20
3
10
9
8
14
16
25
27
22
32
35
40
42
26
33
34
1, 41
24
28
31
36
39
43
19
18
17
6
5
2
7
15
4
13
TYPE
(1)
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
O
O
O
O
O
O
O
O
O
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
I
O
P
O
模拟地
HS自举电源（ BST ） ，电容OUT_A要求
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_B要求
BIAS自举电源，外接电容OUT_BIAS要求
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_C要求
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_D要求
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_E要求
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_F要求
芯片地
栅极驱动电压供给
栅极驱动电压供给
模式选择引脚
模式选择引脚
模式选择引脚
过流门限编程引脚，接地电阻要求
过温警告漏极开路输出信号，低电平有效
输出，半桥A，卫星
输出，半桥B，卫星
BIAS半桥输出引脚
输出，半桥C，低音炮
输出，半桥D，卫星
输出，半桥E，卫星
输出，半桥楼卫星
电源地
电源地
电源地
电源地
电源输入半桥一个
电源输入半桥B
电源输入半桥
电源输入端的半桥式D
电源输入半桥é
电源输入半桥F
PWM输入信号的半桥式一个
PWM输入信号为半桥B
PWM输入信号为半桥
PWM输入信号的半桥式D
PWM输入信号为半桥é
PWM输入信号为半桥F
复位信号（低电平有效逻辑）
关闭漏极开路输出信号，低电平有效
电源的数字电压调节器
数字式稳压电源滤波器引脚，输出
描述
I =输入; O =输出; P =电源
3
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表1.模式选择引脚
模式引脚
(1)
M2
0
0
1
(1)
M3
0
1
0/1
2.1模式
5.1模式
版权所有
名字
所有通道启用
模式
描述
通道A，B和C启用;渠道D， E和F禁用
M1必须始终连接到地。 0表示连接到GND引脚; 1表示连接到VREG引脚。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
θJC
（ ° C / W） -1卫星只（饱和） FET
R
θJC
只有（ ° C / W ） -1低音炮（子） FET
R
θJC
（ ° C / W） -1饱和半桥
R
θJC
（ ° C / W） -1分。半桥
R
θJC
（ ° C / W） -5饱和半桥+ 1次。
典型的焊盘面积
(2)
(1)
(2)
TAS5186DDV
10.3
5.2
5.2
2.6
1.74
34.9 mm
2
JC是结到外壳， CH的情况下对散热器。
R
θch
是一个重要的考虑因素。假设的焊盘区域和散热器之间的典型导热油脂2密耳的厚度。该
R
θch
与此条件通常为2 ℃/此包W的
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
TAS5186
VDD到AGND
GVDD_X到AGND
PVDD_X到PGND_X
OUT_x到PGND_x
BST_x到PGND_x
VREG到AGND
PGND_X到GND
PGND_X到AGND
GND到AGND
PWM_X ， OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3至AGND
RESET ， SD ， OTW到AGND
最大工作结温范围（T
J
)
储存温度
铅的温度 - 1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
最小PWM脉冲的持续时间，低
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至50 V
0.3 V至50 V
0.3 V至63.2 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
0至125℃的
-40_C到125_C
260°C
30纳秒
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
4
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