TM
TAS5186A
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SLES156 - 2005年10月
6通道， 210 -W ，数字放大器功率级
特点
总输出功率@ 10 ％ THD + N
– 5×30 W @ 6
+ 1×60 W @ 3
105 dB的信噪比（A计权）
0.07 ％的THD + N @ 1 W
功率级效率> 90 ％进入
推荐负载（ SE ）
集成自保护电路
- 欠压
- 过热
- 超载
=短路
集成有源偏置控制，以避免DC
POP
耐热增强型44引脚HTSSOP封装
EMI兼容。当同时使用
推荐系统的设计
该TAS5186A只需要简单的被动
在其输出端提供解调过滤器
高品质，高效率的音频放大。该
该TAS5186A的设备效率大于
90％的驾驶6 Ω卫星和3 Ω低音炮时
扬声器。
该TAS5186A有一个创新的保护系统
片上集成，维护设备对一个
宽范围的故障情况下，可能会损坏
系统。这些保障措施都是短路保护，
过载保护，欠压保护，
过热保护。该TAS5186A有
新的专有的电流限制电路，降低
的装置停止运转期间高水平的可能性
音乐瞬变。新的可编程过流
检测器可以在使用成本较低的电感器
解调输出滤波器。
总谐波失真+噪声
vs
输出功率
20
THD + N - 总谐波失真+噪声 - ％
10
PVDD = 40 V
T
C
= 75°C
应用
DVD接收器
家庭影院在一个盒子
描述
该TAS5186A是一个高性能， 6通道，
用一种改进的数字放大器功率级
保护系统。该TAS5186A能够
驾驶6 Ω ，
singleended
装载高达每个30瓦
前/卫星频道和一个3 Ω ，单端
低音炮大于60瓦， 10 ％ THD + N
性能。
低成本，高保真音响系统，可以建
使用的TI芯片组包括一个调制器（例如
TAS5086 ）和TAS5186A 。该器件不
需要的，因为内部上电排序
上电复位。
1
6 Ω卫星
0.1
3 - Ω低音炮
0.01
0.1
1
10
70
G012
P
O
- 输出功率 - 含
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
一般信息
端子分配
该TAS5186A是采用耐热增强型44引脚HTSSOP使用PowerPad 封装。该散热片是
位于该装置的顶侧，以方便热耦合到散热片。
DDV包装
（ TOP VIEW ）
保护地
PWM_F
GVDD_DEF
VDD
PWM_E
PWM_D
RESET
M3
M2
M1
GND
AGND
VREG
OC_ADJ
SD
OTW
PWM_C
PWM_B
PWM_A
GVDD_ABC
BST_BIAS
OUT_BIAS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
BST_F
PVDD_F
OUT_F
保护地
OUT_E
PVDD_E
BST_E
BST_D
PVDD_D
OUT_D
保护地
保护地
OUT_C
PVDD_C
BST_C
BST_B
PVDD_B
OUT_B
保护地
OUT_A
PVDD_A
BST_A
P0016-03
2
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一般信息（续）
终端功能
终奌站
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_BIAS
BST_C
BST_D
BST_E
BST_F
GND
GVDD_ABC
GVDD_DEF
M1
M2
M3
OC_ADJ
OTW
OUT_A
OUT_B
OUT_BIAS
OUT_C
OUT_D
OUT_E
OUT_F
号
12
23
29
21
30
37
38
44
11
20
3
10
9
8
14
16
25
27
22
32
35
40
42
1,
26,
33,
34,
41
24
28
31
36
39
43
19
18
17
6
5
2
7
15
4
13
TYPE
(1)
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
O
O
O
O
O
O
O
O
O
模拟地
HS自举电源（ BST ） ，电容OUT_A要求
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_B要求
BIAS自举电源，外接电容OUT_BIAS要求
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_C要求
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_D要求
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_E要求
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_F要求
芯片地
栅极驱动电压供给
栅极驱动电压供给
模式选择引脚
模式选择引脚
模式选择引脚
过流门限编程引脚，接地电阻要求
过温警告漏极开路输出信号，低电平有效
输出，半桥A，卫星
输出，半桥B，卫星
BIAS半桥输出引脚
输出，半桥C，低音炮
输出，半桥D，卫星
输出，半桥E，卫星
输出，半桥楼卫星
描述
保护地
P
电源地
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PVDD_D
PVDD_E
PVDD_F
PWM_A
PWM_B
PWM_C
PWM_D
PWM_E
PWM_F
RESET
SD
VDD
VREG
(1)
P
P
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
I
O
P
O
电源输入半桥一个
电源输入半桥B
电源输入半桥
电源输入端的半桥式D
电源输入半桥é
电源输入半桥F
PWM输入信号的半桥式一个
PWM输入信号为半桥B
PWM输入信号为半桥
PWM输入信号的半桥式D
PWM输入信号为半桥é
PWM输入信号为半桥F
复位信号（低电平有效逻辑）
关闭漏极开路输出信号，低电平有效
电源的数字电压调节器
数字式稳压电源滤波器引脚，输出
I =输入; O =输出; P =电源
3
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表1.模式选择引脚
模式引脚
(1)
M2
0
0
1
(1)
M3
0
1
0/1
2.1模式
5.1模式
版权所有
名字
所有通道启用
模式
描述
通道A，B和C启用;渠道D， E和F禁用
M1必须始终连接到GND 。 0表示连接到GND引脚; 1表示连接到VREG引脚。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
θJC
（ ° C / W） -1卫星只（饱和） FET
R
θJC
只有（ ° C / W ） -1低音炮（子） FET
R
θJC
（ ° C / W） -1饱和半桥
R
θJC
（ ° C / W） -1分。半桥
R
θJC
（ ° C / W） -5饱和半桥+ 1次。
典型的焊盘面积
(2)
(1)
(2)
TAS5186ADDV
10.3
5.2
5.2
2.6
1.74
34.9 mm
2
JC是结到外壳， CH的情况下对散热器。
R
θch
是一个重要的考虑因素。假设的焊盘区域和散热器之间的典型导热油脂2密耳的厚度。该
R
θch
与此条件通常为2 ℃/此包W的
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
TAS5186A
VDD到AGND
GVDD_X到AGND
PVDD_X到PGND_X
OUT_x到PGND_x
BST_x到PGND_x
VREG到AGND
PGND到GND
PGND到AGND
GND到AGND
PWM_X ， OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3至AGND
RESET ， SD ， OTW到AGND
最大工作结温范围（T
J
)
储存温度
铅的温度 - 1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
最小PWM脉冲的持续时间，低
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至50 V
0.3 V至50 V
0.3 V至63.2 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
0至125℃的
-40_C到125_C
260°C
30纳秒
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
4
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