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TAS5182
SLES045E - 2002年6月 - 修订2004年5月
100W立体声数字放大器功率级控制器
特点
D
D
D
D
立体声H桥控制器
效率> 95 ％
2×100瓦（ RMS） 6
（ BTL ）
THD + N < 0.15 ％ （典型值在6 100瓦
,
1千赫）
D
功率放大器
D
家庭影院
D
低音炮驱动程序
描述
该TAS5182设备是一个高性能，立体声数字
放大器功率级控制器。它被设计用来驱动两个
离散的桥接负载（BTL ） MOSFET输出级在
高达100瓦每通道6
.
该TAS5182器件，
结合德州仪器的PurePatht技术，
时配合使用的数字音频PWM处理器
（ TAS50XX ）和两个分立MOSFET H桥
（每4个MOSFET的H桥），以提供高功率，真
数字音频放大。这个数字的效率
放大器可以是大于95％ ，降低的大小
两个电源和散热片需要。该
TAS5182器件接收立体声PWM 3.3 V输入，并
它控制的离散H桥的开关。
过流，过热，欠压
防护被内置到TAS5182装置
维护H桥和扬声器输出对
短路情况下，温度过高的情况，和
其它故障状况，可能损坏系统。
D
半桥独立控制
D
无缝连接TAS50XX数字音频
PWM处理器
D
3.3 -V数字接口
D
故障检测
- 过流
- 过热
- 欠压保护外部
MOSFET的
D
薄型56 - TSSOP终端SMD封装
应用
D
AV接收器
D
高功率DVD接收机
典型的立体声音响系统使用TAS5182 H桥驱动器
左
数字
音频
TI DAP
TI DSP
TI SPD IF
TI 1394
L
L
负载
TAS50XX
R
R
TAS5182
右
负载
德州仪器
DIGITAL AUDIO
解决方案
PWM调制器
H桥驱动器
分立式MOSFET
H桥
当使用合适的MOSFET的。
当使用推荐的设计。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的PurePath和使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2003年，德州仪器
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订购信息
T
A
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
包
TAS5182DCA
TAS5182IDCA
这些器件具有有限的内置ESD保护。该
引线应短接在一起或设备放置在
存储或处理，以防止在导电泡沫
静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围（T
A
） ，除非另有说明
(1)
TAS5182
电源电压范围
GV
DD
为GV
SS
DV
DD
以DV
SS
0.3 V至15 V
0.3 V至3.6 V
-0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
-0.3 V到DV
DD
+ 0.3 V
63 V
1500千赫
150°C
-65 ℃150 ℃的
AP ， AM ，BP ， BM ， CP ， CM ， DP ， DM
RESET ， SHUTDOWN
BST_A ， BST_B ， BST_C ， BST_D为GV
SS
脉冲宽度<100 NS
开关频率
工作结温范围，T
J
存储温度范围，T
英镑
(1)
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
电源电压范围
高端自举电源电压范围
高侧漏连接电压范围
高边源连接电压范围
GV
DD
为GV
SS
DV
DD
以DV
SS
BST_A ， BST_B ， BST_C ， BST_D
DHS_A ， DHS_B ， DHS_C ， DHS_D
SHS_A ， SHS_B ， SHS_C ， SHS_D
9
3
喃
12
3.3
50
40
40
最大
12.6
3.6
52.6
42
42
单位
V
V
V
V
V
2
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电气特性
T
C
= 25 ° C， DV
DD
= 3.3 V ， GV
DD
= 12 V ，频率= 384千赫
参数
输入端子： AM ， AP ， BM ，BP ， CM ， CP ， DM ， DP
V
IH
V
IL
R
I
R
DTP
V
IH （ RESET ）
V
白细胞介素（ RESET ）
I
OSO
I
OSI
BST二极管
V
d
I
DVDD
I
DVDDQ
I
GVDD
I
GVDDQ
V
UVP ，G
正向电流的电压降
工作电源电流
静态电源电流
工作电源电流
静态电源电流
欠压保护限制， GV
DD
I
d
= 100毫安
在栅极驱动输出空载
无开关
在栅极驱动输出空载
无开关
2
3
3
15
2
8.3
V
mA
mA
mA
mA
V
电源电流
高输入电压
低输入电压
输入阻抗
死区时间电阻范围
高输入电压
低输入电压
源电流，峰值
灌电流，峰值
V
O
= 2 V
V
O
= 8 V
-1.2
1.6
0
2
0.8
50
100
2
0.8
V
V
k
k
V
V
A
A
测试条件
民
典型值
最大
单位
输入端口： RESET_X
栅极驱动输出： GHS_A ， GHS_B ， GHS_C ， GHS_D ， GLS_A ， GLS_B ， GLS_C ， GLS_D
电压保护
开关特性
T
C
= 25 ° C， DV
DD
= 3.3 V ， GV
DD
= 12 V
参数
时序，输出端子
f
op
t
PD （ IF- O）
t
PD （ IR - O）
t
DTP
t
R（ GD ）
t
F（ GD ）
t
概率pd （R- SD）的
t
概率pd （R- LH）的
t
概率pd （R- OP）的
t
PD （ E- L）
t
PD （ E- SD ）
(1)
测试条件
民
喃
最大
1500
单位
千赫
ns
ns
工作频率
积极投入下降到GHS_x下降
积极投入上升到GLS_x下降
死区时间的编程范围
(1)
上升时间，栅极驱动器输出（0.5至3V）
下降时间，栅极驱动输出（ 9 3 V ）
延迟， RESET低到高SHUTDOWN
延迟， RESET低到高GLS_x
延迟， RESET高运转状态
延迟，错误事件给所有门低
延迟，错误事件关机低
C
L
= 1 nF的
C
L
= 1 nF的
R
DFP广告管理系统
= 100 k
C
L
= 1 nF的
C
L
= 1 nF的
4.5
7
40
44
50
180
170
45
45
110
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
时序，保护和控制
死区时间编程定义：从AP （ BP ， CP或DP）可调延迟的上升沿到GHS_A （ GHS_B ， GHS_C ，或GHS_D ）上升沿，
和AM （ BM ， CM或DM）的上升沿到GLS_A （ GLS_B ， GLS_C ，或GLS_D ）上升沿。
3
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引脚分配
DCA包装
（ TOP VIEW ）
NC
NC
DV
DD
DV
SS
NC
DTC_HS
DTC_LS
OC_HIGH
VRFILT
AP
AM
RESET_AB
BM
BP
CP
CM
RESET_CD
DM
DP
关闭
ERR0
ERR1
LOW / HIZ
DV
SS
NC
NC
OC_LOW
温度
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
GV
SS
GV
DD
GLS_A
SLS_A
SHS_A
GHS_A
BST_A
DHS_A
GLS_B
SLS_B
SHS_B
GHS_B
BST_B
DHS_B
GLS_C
SLS_C
SHS_C
GHS_C
BST_C
DHS_C
GLS_D
SLS_D
SHS_D
GHS_D
BST_D
DHS_D
GV
DD
GV
SS
NC - 无内部连接
裸露焊盘尺寸为106 X 204密耳
终端功能
终奌站
名字
AM
AP
BM
BP
BST_A
BST_B
BST_C
BST_D
CM
CP
DM
DP
4
号
11
10
13
14
50
44
38
32
16
15
18
19
I / O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
PWM输入信号（负） ，半桥甲
PWM输入信号（正） ，半桥甲
PWM输入信号（负） ，半桥乙
PWM输入信号（正） ，半桥乙
高边自举电源（ BST ） ，外部电容SHS_A要求
以SHS_B需要高侧自举电源（ BST ） ，外接电容
以SHS_C需要高侧自举电源（ BST ） ，外接电容
以SHS_D需要高侧自举电源（ BST ） ，外接电容
PWM输入信号（负） ，半桥
PWM输入信号（正） ，半桥
PWM输入信号（负的） ，半桥式D
PWM输入信号（正） ，半桥式D
描述
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终端功能（续）
终奌站
名字
DHS_A
DHS_B
DHS_C
DHS_D
DTC_HS
DTC_LS
DV
DD
DV
SS
ERR0
ERR1
GHS_A
GHS_B
GHS_C
GHS_D
GLS_A
GLS_B
GLS_C
GLS_D
GV
DD
GV
SS
LOW / HIZ
号
49
43
37
31
6
7
3
4, 24
21
22
51
45
39
33
54
48
42
36
30, 55
29, 56
23
I / O
I
I
I
I
I
I
P
P
O
O
O
O
O
O
O
O
O
O
P
P
I
描述
高侧漏连接，用于高侧V
DS
传感
高侧漏连接，用于高侧V
DS
传感
高侧漏连接，用于高侧V
DS
传感
高侧漏连接，用于高侧V
DS
传感
高侧死区时间编程，外部电阻来DV
SS
需要
低端死区时间编程，外部电阻来DV
SS
需要
逻辑电源电压
数字地，输入参考信号
逻辑输出，信号芯片工作模式/状态。该输出为漏极开路，内部上拉电阻。
逻辑输出，信号芯片工作模式/状态。该输出为漏极开路，内部上拉电阻。
为高边MOSFET栅极驱动输出，半桥一个
对于高边MOSFET ，半桥B栅极驱动输出
对于高边MOSFET ，半网桥C栅极驱动输出
栅极驱动输出，高侧MOSFET ，半桥式D
低边MOSFET栅极驱动输出，半桥一个
对于低边MOSFET ，半桥B栅极驱动输出
对于低边MOSFET ，半网桥C栅极驱动输出
栅极驱动输出为低边MOSFET ，半桥式D
栅极驱动电压提供端
栅极驱动电压电源地线
一个复位期间决定变频器的输出逻辑状态的信号。当RESET_AB或RESET_CD低，
低/ HIZ = 1表示的输出为低阻抗
低/ HIZ = 0表示该输出为高阻抗
未连接。端1,2 ，5， 25和26可以连接到的DV
SS
.
I
I
I
I
O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
高端过流跳闸值编程。 OC配置电路（见图5）是必需的。
低压侧的过电流脱扣值编程。 OC配置电路（见图5）是必需的。
复位信号半桥A和B，活性低
复位信号半桥C和D ，低电平有效
错误/警告报告的指标。该输出为漏极开路，内部上拉电阻。
高边源连接，用于BST浮动接地（和高端V
DS
感应）
高边源连接，用于BST浮动接地（和高端V
DS
感应）
高边源连接，用于BST浮动接地（和高端V
DS
感应）
高边源连接，用于BST浮动接地（和高端V
DS
感应）
源连接的低边MOSFET ，接地回路端子，半桥一个
源连接的低边MOSFET ，接地回路端子，半桥B
源连接的低边MOSFET ，接地回路端子，半桥
源连接的低边MOSFET ，接地回路端子，半桥式D
外部温度传感器的连接
带隙基准= 1.8 V.电容必须连接从VRFILT到DV
SS
.
NC
OC_HIGH
OC_LOW
RESET_AB
RESET_CD
关闭
SHS_A
SHS_B
SHS_C
SHS_D
SLS_A
SLS_B
SLS_C
SLS_D
温度
VRFILT
1, 2, 5,
25, 26
8
27
12
17
20
52
46
40
34
53
47
41
35
28
9
5
QQ：2880707522 复制
