TM
TAS5162
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SLES194C - 2006年10月 - 修订2007年5月
2× 210瓦立体声数字放大器功率级
特点
2 × 160瓦， 10 ％ THD + N为8 Ω BTL
2 × 210瓦， 10 ％ THD + N为6 - Ω BTL
1 × 300瓦， 10 ％ THD + N为4 Ω PBTL
(1)
>110分贝信噪比（ A加权， TAS5518
调制器）
<0.09 ％ THD + N为1 W
两个热增强型封装选项：
- DKD （ 36引脚PSOP3 ）
- DDV （ 44引脚HTSSOP ）
高效率功率级（ >90 ％ ）用
80毫欧的MOSFET输出
上电复位的保护将开机
无需任何电源排序
集成自保护电路，包括
欠压，过热，过载，
短路
错误报告
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
智能门极驱动
中秋节-Z匝道兼容减少"pop
noise"
该系统只需要一个简单的无源LC
解调
滤波器
to
交付
高品质，
高效率的音频放大与成熟的EMI
合规性。该设备需要两个电源
耗材，在12 V的GVDD和VDD ，并在50V的
PVDD 。该TAS5162不需要电
测序由于内部上电复位。该
该数字放大器的效率大于90％的
进入6
,
这使得能够使用更小的功率的
电源和散热器。
该TAS5162具有创新保护系统
片上集成，维护设备对一个
宽范围的故障情况下，可能会损坏
系统。这些保障措施都是短路
保护，过流保护，欠压
保护和过温保护。该
TAS5162有一个新的专有限流
电路，其减少设备停机的可能性
在高层次的音乐瞬间。新
可编程的过电流检测器允许使用
在解调输出滤波器成本更低的电感器。
BTL输出功率与电源电压
220
200
180
T
C
= 75°C
6
W
P
O
- 输出功率 - 含
160
140
120
100
80
60
8
W
4
W
应用
小型/微型音响系统
DVD接收器
家庭影院
描述
该TAS5162是一个高性能，集成
具有改进的立体声数字放大器功率级
保护系统。该TAS5162能够
在高达210 W找到一个6 Ω桥接负载（BTL）
每通道THD = 10 ％ ，低综合噪声
输出，低THD + N性能，而无需裁剪，
而低怠速功耗。
低成本，高保真音响系统，可以建
使用的TI的芯片组，其包括一个调制器（例如
TAS5508 ）和TAS5162 。
的PurePath 数字
40
20
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
PV
DD
- 电源电压（ BTL ） - Vrms的
50
(1)
该DDV包将提供规定的最大功率
水平;然而，这依赖于系统
配置。较小的焊盘区域也使得
热界面的散热器更重要。为
这需要两个通道的多通道系统是
在全功率下使用DDV封装选项驱动，它是
建议来设计系统，使得两个
通道是在两个独立的设备。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的PurePath数字，使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
2006-2007 ，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
一般信息
端子分配
该TAS5162是两种散热增强型封装可供选择：
36引脚封装PSOP3 （ DKD ）
44引脚HTSSOP使用PowerPad 封装（ DDV ）
两包类型包含位于该装置的顶侧，以方便热一热片
耦合到散热器。
DKD套餐
（ TOP VIEW ）
DDV包装
（ TOP VIEW ）
GVDD_B
OTW
SD
PWM_A
RESET_AB
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_CD
PWM_D
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
PVDD_D
BST_D
GVDD_D
P0018-01
GVDD_B
OTW
NC
NC
SD
PWM_A
RESET_AB
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_CD
PWM_D
NC
NC
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GVDD_A
BST_A
NC
PVDD_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
NC
BST_D
GVDD_D
P0016-02
2
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一般信息（续）
模式选择引脚的两个软件包
模式引脚
M3
0
0
0
0
M2
0
0
1
1
M1
0
1
0
1
2N
2N
(1)
(1)
PWM输入
AD / BD调制
AD / BD调制
(1)
(1)
输出CON组fi guration
2声道BTL输出
2声道BTL输出
2声道BTL输出
1路输出PBTL
保障计划
BTL模式，充分保护
BTL模式，充分保护
(2)
(2)
BTL模式，锁存关断
(2)
1N
1N
AD调制
AD调制
PBTL模式，全面的保护。只有PWM_A输入
被使用。
保护的工作方式类似于BTL模式
(2)
。只
在SE模式不同的是， OUT_X为Hi -Z
而不是通过内部下拉下拉
电阻器。
保护的工作方式类似于SE模式
(2)
（ 1,0,0 ） ;然而， PWM输入保护是
禁用。此外，过流检测，如果将锁存
发生错误。
1
1
0
0
0
1
1N
(1)
AD调制
4通道SE输出
1N
1
1
(1)
(2)
1
1
0
1
(1)
AD调制
4通道SE输出 - 无
PWM输入保护，闭锁
关闭
版权所有
在1N和2N命名约定是用来表示在一个特定的PWM线到每信道功率级所需要的数
模式。
过载保护（ OLP ）在A或B发生的导致两个通道关闭。在C或D的OLP原理相似。全局错误
喜欢过温错误（ OTE ） ，欠压保护（ UVP ） ，和上电复位（ POR ）会影响所有通道。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
θJC
（℃ / W ）-2 BTL或4 SE的通道（ 8晶体管）
R
θJC
（ ℃/ W） -1 BTL或2 SE的信道（多个） （4晶体管）
R
θJC
（℃ / W ） - （ 1晶体管）
PAD
(1)
(2)
区域
(2)
TAS5162DKD
1.0
1.5
5.0
80
mm
2
TAS5162DDV
1.1
2.2
7.4
34 mm
2
JC是结到外壳， CH的情况下对散热器。
R
θch
是一个重要的考虑因素。假设典型的导热硅脂垫区和散热片以及两者之间的2密耳厚度
渠道活跃。第r
θch
这个条件是2.6 ° C /为DKD包和W的DDV包4.0 ° C / W 。
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
VDD到AGND
GVDD_X到AGND
PVDD_X到GND_X
OUT_X到GND_X
BST_X到GND_X
VREG到AGND
GND_X到GND
GND_X到AGND
GND到AGND
PWM_X ， OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3至AGND
RESET_X ， SD ， OTW到AGND
最大连续灌电流（ SD ， OTW ）
最大工作结温范围，T
J
储存温度
铅的温度， 1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
最小脉冲持续时间，低
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
(1)
TAS5162
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至71 V
-0.3 V至71V
0.3 V至79.7 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
9毫安
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
260°C
50纳秒
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
订购信息
T
A
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
包
TAS5162DKD
TAS5162DDV
描述
36引脚PSOP3
44引脚HTSSOP
对于最新的规格和包装的信息，请参见TI网站www.ti.com 。
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终端功能
终奌站
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
BST_D
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GND_D
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
GVDD_D
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
OTW
OUT_A
OUT_B
OUT_C
OUT_D
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PVDD_D
PWM_A
PWM_B
PWM_C
PWM_D
RESET_AB
RESET_CD
SD
VDD
VREG
(1)
DKD NO 。
9
35
28
27
20
8
32
31
24
23
36
1
18
19
13
12
11
–
7
2
33
30
25
22
34
29
26
21
4
6
14
16
5
15
3
17
10
DDV NO 。
11
43
34
33
24
10
38
37
30
29
44
1
22
23
15
14
13
3, 4, 19, 20, 25,
42
9
2
39
36
31
28
40, 41
35
32
26, 27
6
8
16
18
7
17
5
21
12
功能
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
–
O
O
O
O
O
O
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
O
P
P
(1)
描述
模拟地
HS自举电源（ BST ） ，外部.033 - μF电容OUT_A
需要
HS自举电源（ BST ） ，外部.033 - μF电容OUT_B
需要
HS自举电源（ BST ） ，外部.033 - μF电容OUT_C
需要
HS自举电源（ BST ） ，外部.033 - μF电容OUT_D
需要
地
电源地为半桥一个
电源地为半桥B
电源地为半桥
电源地的半桥式D
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
模式选择引脚
模式选择引脚
模式选择引脚
无连接。引脚可接地。
模拟过电流编程引脚要求接地电阻
超温预警信号，漏极开路，低电平有效
输出，半桥一个
输出，半桥B
输出，半桥
输出，半桥式D
电源输入半桥A需要密切脱钩
0.01 μF的电容与一个1.0 μF电容并联GND_A 。
电源输入半桥B需要密切脱钩
0.01 μF的电容与一个1.0 μF电容并联GND_B 。
电源输入半桥C要求的紧密脱钩
0.01 μF的电容与一个1.0 μF电容并联GND_C 。
电源输入端的半桥式D需要密切脱钩
0.01 μF的电容与一个1.0 μF电容并联GND_D 。
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
输入信号的半桥式D
复位和信号半桥半桥B，低电平有效
复位信号的半桥C和半桥D，低电平有效
关机信号，漏极开路，低电平有效
电源的数字电压调节器需要一个47 μF
电容与一个0.1 μF的电容并联至GND去耦。
数字式稳压电源滤波器引脚需要0.1 μF电容
AGND 。
I =输入， O =输出， P =电源
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