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TAS5152
SLES127A - 2005年2月 - 修订2005年11月
TM
立体声数字放大器功率级
特点
D
2 × 125瓦， 10 ％ THD + N为4 -W BTL
D
2 × 98瓦， 10 ％ THD + N为6 -W BTL
D
2 × 76瓦， 10 ％ THD + N为8 -W BTL
D
4 × 45瓦， 10 ％ THD + N为3个-W SE
D
4 × 35瓦， 10 ％ THD + N为4 -W SE
D
1 × 192瓦， 10 ％ THD + N为3个-W PBTL
D
1 × 240瓦， 10 ％ THD + N进入2 -W PBTL
D
>100 dB的信噪比（A计权）
D
<0.1 ％ THD + N为1 W
D
耐热增强型封装选项：
- DKD （ 36引脚PSOP3 ）
低成本，高保真音响系统，可以使用内置
TI的芯片组，包括一个调制器（例如， TAS5508 ）
与TAS5152 。该系统只需要一个简单的
无源LC调制滤波器以提供高品质，
高效率的音频放大与成熟的EMI
合规性。该设备需要两个电源，
12 V的GVDD和VDD和35 V的PVDD 。该
TAS5152并不需要因加电排序
内部上电复位。这个数字的效率
放大器是大于90％到6
,
这使得
使用更小的电源和散热器。
该TAS5152具有创新保护系统
片上集成，维护设备对一个
宽范围的故障情况下，可能会损坏
系统。这些保障措施都是短路保护，
过流保护，欠压保护，
过热保护。该TAS5152有一个新的
专有的电流限制电路，降低了
器件关断时的高层次的音乐可能性
瞬变。一种新的可编程过流检测器
允许在使用成本更低的电感器
解调输出滤波器。
BTL输出功率与电源电压
130
120
110
100
PO - 输出功率 - 含
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
PVDD - 电源电压 - V
8
6
4
TC = 75℃
THD + N @ 10 ％
D
高效率功率级（ >90 ％ ）用
D
140 mW的输出MOSFET
上电复位的保护将开机
无需任何电源排序
欠压
过热
超载
短路
D
集成自保护电路，包括：
D
错误报告
D
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
D
智能门极驱动
应用
D
小型/微型音响系统
D
DVD接收器
D
家庭影院
描述
该TAS5152是第三代的，高性能的，
集成的立体声数字放大器功率级
完善的保护体系。该TAS5152能
在高达125瓦驱动4 Ω桥接负载（ BTL ）
每个具有低集成噪声信道的输出，低
THD + N性能，以及低闲置功耗。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的PurePath Digital和使用PowerPad是德州仪器的商标。
其他商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2005年，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
一般信息
该TAS5152可在一个36引脚PSOP3 （ DKD ）
散热增强型封装。该软件包包含了
该位于该装置的顶侧为散热片
方便的热耦合到散热器。
模式选择引脚
模式引脚
M3
0
M2
0
0
1
M1
0
1
0
2N （ 1 ） AD / BD
调制
版权所有
1N （ 1 ） AD
调制
1N （ 1 ） AD
调制
PWM输入
产量
CON连接gu-
配给
2通道
BTL输出
保护
方案
BTL模式（2）
DKD套餐
（ TOP VIEW ）
0
0
2通道
BTL输出
1路
PBTL输出
BTL模式（2）
PBTL模式。
只有PWM_A
输入被使用。
防护工程
类似于BTL
模式（2） 。只
在SE的区别
模式是
OUT_x为Hi -Z
代替
通过下拉
内部下拉
电阻器。
GVDD_B
OTW
SD
PWM_A
RESET_AB
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_CD
PWM_D
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
PVDD_D
BST_D
GVDD_D
0
1
1
1
0
0
1N （ 1 ） AD
调制
4个通道
SE输出
1
1
0
1
1
0
版权所有
1
1
1
（1）在1N和2N的命名约定用于指示所要求的
PWM的线为每信道的功率级中的一个特定的数
模式。
（ 2）过载保护（ OLP ）在A或B发生的导致两个
通道关闭。在C或D的OLP原理相似。全球
喜欢过温错误（ OTE ） ，欠压保护错误
（ UVP ）和上电复位（ POR ）会影响所有通道。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
θJC
（ ° C / W） -2 BTL或SE 4
通道（ 8个晶体管）
R
θJC \u003c ° C / W ） -1
BTL或2 SE
信道（多个） （4晶体管）
R
θJC
（℃ / W ） - （ 1晶体管）
垫区域（2）
TAS5152DKD
1.28
2.56
8.6
80 mm2
（ 1 ） JC是结到外壳， CH的情况下对散热器。
(2) R
θch
是一个重要的考虑因素。假定有2密耳的厚度
焊盘区域和散热器之间的典型导热油脂。该
R
θch
这种情况是针对DKD包0.8 ° C / W和
1.8 ° C / W的DDV包。
2
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明（ 1 ）
TAS5152
VDD到AGND
GVDD_X到AGND
PVDD_X到GND_X （2）
OUT_X到GND_X （2）
BST_X到GND_X （2）
VREG到AGND
GND_X到GND
GND_X到AGND
GND到AGND
PWM_X ， OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3 ，以
AGND
RESET_X ， SD ， OTW到AGND
最大连续灌电流（SD ，
OTW ）
最大工作结
温度范围，TJ
储存温度
铅的温度， 1.6毫米（ 1/16英寸）
从案例10秒
最小脉冲宽度低
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至50 V
0.3 V至50 V
0.3 V至63.2 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
9毫安
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
260_C
50纳秒
订购信息
TA
0 ° C至70℃
包
TAS5152DKD
描述
36引脚PSOP3
对于最新的规格和包装
信息，请参见TI网站www.ti.com 。
（ 1 ）强调超越“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。这些都是强调
唯一的评分，并且在这些或任何装置的功能操作
超越那些在表示其他条件“推荐
工作条件“是不是暗示。置身于absolute-
长时间会影响器件的最大额定条件
可靠性。
（2）这些电压表示直流电压+峰的交流波形
在该装置的各种情况下，终端测量。
3
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终端功能
终奌站
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
BST_D
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GND_D
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
GVDD_D
M1
M2
M3
OC_ADJ
OTW
OUT_A
OUT_B
OUT_C
OUT_D
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PVDD_D
PWM_A
PWM_B
PWM_C
PWM_D
RESET_AB
RESET_CD
SD
VDD
号
9
35
28
27
20
8
32
31
24
23
36
1
18
19
13
12
11
7
2
33
30
25
22
34
29
26
21
4
6
14
16
5
15
3
17
功能
功能（1）
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
O
O
O
O
O
O
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
O
P
P
模拟地
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_A要求
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_B要求
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_C要求
HS自举电源（ BST ） ，外部电容OUT_D要求
地
电源地为半桥一个
电源地为半桥B
电源地为半桥
电源地的半桥式D
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
模式选择引脚
模式选择引脚
模式选择引脚
模拟过电流编程引脚要求接地电阻
超温预警信号，漏极开路，低电平有效
输出，半桥一个
输出，半桥B
输出，半桥
输出，半桥式D
电源输入半桥A需要0.1 μF电容关闭脱钩
GND_A
电源输入半桥B需要0.1 μF电容关闭脱钩
GND_B
电源输入半桥C需要0.1 μF电容关闭脱钩
GND_C
电源输入端的半桥式D需要0.1 μF电容关闭脱钩
GND_D
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
输入信号的半桥式D
复位和信号半桥半桥B，低电平有效
复位信号的半桥C和半桥D，低电平有效
关机信号，漏极开路，低电平有效
电源的数字电压调节器需要0.1 μF的电容到GND 。
数字式稳压电源滤波器引脚需要0.1 μF的电容到AGND
描述
VREG
10
（ 1 ） I =输入， O =输出， P =电源
4
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系统框图
OTW
系统
微控制器
SD
OTW
SD
TAS5508
BST_A
BST_B
引导
电容器
有效
RESET_AB
RESET_CD
PWM_A
OUT_A
输入
H桥1
2-Channel
H- BRIDGE
BTL模式
产量
H桥1
OUT_B
左
通道
产量
PWM_B
2阶L-C
输出滤波器
每个
半桥
PWM_C
右
通道
产量
输入
H桥2
GVDD_A ， B，C ，D
OUT_C
产量
H桥2
OUT_D
PWM_D
M1
硬线
模式
控制
M2
M3
2阶L-C
输出滤波器
每个
半桥
PVDD_A ， B，C ，D
GND_A ， B，C ，D
BST_C
OC_ADJ
BST_D
引导
电容器
4
4
4
GVDD
VDD
VREG
电源
脱钩
35 V
系统
动力
供应
GND
PVDD
PVDD
电源 -
供应
脱钩
AGND
VREG
GND
VDD
硬线
OC极限
GND
12 V
GVDD （12V） / VDD （12V）
VAC
5
QQ：2880707522 复制
