TM
TAS5142
www.ti.com
SLES126B - 2004年12月 - 修订2005年5月
立体声数字放大器功率级
特点
2 × 100瓦, 10 % THD + N为4 Ω BTL
(1)
2 × 80瓦, 10 % THD + N为6 - Ω BTL
2 × 65瓦, 10 % THD + N为8 Ω BTL
4 × 40瓦, 10 % THD + N为3个- Ω SE
4 × 30瓦, 10 % THD + N为4 Ω SE
1 × 160瓦, 10 % THD + N为3个- Ω PBTL
1 × 200瓦, 10 % THD + N进入2 - Ω PBTL
(1)
>100分贝信噪比(A计权)
<0.1 % THD + N为1 W
两个热增强型封装选项:
- DKD ( 36引脚PSOP3 )
- DDV ( 44引脚HTSSOP )
高效率功率级( >90 % )用
140毫欧的MOSFET输出
上电复位的保护将开机
无需任何电源排序
集成自保护电路,包括
欠压,过热,过载,
短路
错误报告
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
智能门极驱动
提供高品质,高效率的音频放大
与成熟的EMI兼容性。该设备需要两个
电源供应器,在12 V的GVDD和VDD ,并在
32 V的PVDD 。该TAS5142不需要
上电顺序由于内部上电复位。
该数字放大器的效率大于
90 %到6
,
这使得能够使用更小的
电源和散热器。
该TAS5142具有创新保护系统
片上集成,维护设备对一个
宽范围的故障情况下,可能会损坏
系统。这些保障措施都是短路保护,
过流保护,欠压保护,
过热保护。该TAS5142有一个新的
专有的电流限制电路,降低了
器件关断时的高层次的音乐可能性
瞬变。一种新的可编程过流检测器
允许在所述解调功能的使用成本更低的电感器
LATION输出滤波器。
BTL输出功率与电源电压
120
110
100
90
P
O
- 输出功率 - 含
80
70
60
50
40
30
20
10
8
6
4
T
C
= 75°C
THD + N @ 10 %
应用
小型/微型音响系统
DVD接收器
家庭影院
描述
该TAS5142是第三代的,高perform-
ANCE ,集成立体声数字放大器功率级
具有改进的保护系统。该TAS5142是
可在高达驱动4 Ω桥接负载( BTL )的
100元与在低综合噪声信道W
输出,低THD + N性能和低待机功耗
耗散。
低成本,高保真音响系统,可以建
使用的TI的芯片组,其包括一个调制器(例如
TAS5508 )和TAS5142 。该系统不仅重新
张塌塌米一个简单的无源LC调制滤波器以
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
G002
PVDD - 电源电压 - V
( 1 )不建议开车200 W(总
电源)进入持续的DDV包。
对于需要两个多通道系统
频道以全功率与被驱动
DDV封装选项,则建议
设计系统,使得两个通道
是在两个独立的设备。
的PurePath 数字
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的PurePath数字,使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004-2005 ,德州仪器
TAS5142
www.ti.com
SLES126B - 2004年12月 - 修订2005年5月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
一般信息
端子分配
该TAS5142是两种散热增强型封装可供选择:
36引脚封装PSOP3 ( DKD )
44引脚HTSSOP使用PowerPad 封装( DDV )
两包类型包含位于该装置的顶侧,以方便热一热片
耦合到散热器。
DKD套餐
( TOP VIEW )
DDV包装
( TOP VIEW )
GVDD_B
OTW
SD
PWM_A
RESET_AB
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_CD
PWM_D
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
PVDD_D
BST_D
GVDD_D
P0018-01
GVDD_B
OTW
NC
NC
SD
PWM_A
RESET_AB
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_CD
PWM_D
NC
NC
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GVDD_A
BST_A
NC
PVDD_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
NC
BST_D
GVDD_D
P0016-02
2
TAS5142
www.ti.com
SLES126B - 2004年12月 - 修订2005年5月
一般信息(续)
模式选择引脚的两个软件包
模式引脚
M3
0
0
0
0
1
1
1
1
(1)
(2)
M2
0
0
1
1
0
0
1
1
M1
0
1
0
1
0
1
0
1
版权所有
2N
(1)
PWM输入
AD / BD调制
AD调制
AD调制
AD调制
输出CON组fi guration
2声道BTL输出
2声道BTL输出
1路输出PBTL
4通道SE输出
保障计划
BTL模式
BTL模式
(2)
版权所有
1N
1N
1N
(1)
(1)
(2)
PBTL模式。仅PWM_A输入被使用。
保护的工作方式类似于BTL模式
(2)
。只
在SE模式不同的是, OUT_X为Hi -Z
而不是通过内部下拉下拉
电阻器。
(1)
在1N和2N命名约定是用来表示在一个特定的PWM线到每信道功率级所需要的数
模式。
过载保护( OLP )在A或B发生的导致两个通道关闭。在C或D的OLP原理相似。全局错误
喜欢过温错误( OTE ) ,欠压保护( UVP ) ,和上电复位( POR )会影响所有通道。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
θJC
(℃ / W )-2 BTL或4 SE的通道( 8晶体管)
R
θJC
( ℃/ W) -1 BTL或2 SE的信道(多个) (4晶体管)
R
θJC
(℃ / W ) - ( 1晶体管)
垫区
(2)
(1)
(2)
TAS5142DKD
1.28
2.56
8.6
80 mm
2
TAS5142DDV
1.28
2.56
8.6
36 mm
2
JC是结到外壳, CH的情况下对散热器。
R
θch
是一个重要的考虑因素。假设的焊盘区域和散热器之间的典型导热油脂2密耳的厚度。该
R
θch
这个条件是0.8 ° C /为DKD包和W的DDV包1.8 ° C / W 。
3
TAS5142
www.ti.com
SLES126B - 2004年12月 - 修订2005年5月
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
VDD到AGND
GVDD_X到AGND
PVDD_X到GND_X
OUT_X到GND_X
BST_X到GND_X
VREG到AGND
GND_X到GND
GND_X到AGND
GND到AGND
PWM_X , OC_ADJ , M1 , M2 , M3至AGND
RESET_X , SD , OTW到AGND
最大连续灌电流( SD , OTW )
最大工作结温范围,T
J
储存温度
铅的温度, 1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
最小脉冲持续时间,低
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
(1)
TAS5142
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至50 V
0.3 V至50 V
0.3 V至63.2 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
9毫安
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
260°C
50纳秒
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下,终端测量的直流电压+峰的交流波形。
订购信息
T
A
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
包
TAS5146DKD
TAS5142DDV
描述
36引脚PSOP3
44引脚HTSSOP
对于最新的规格和包装的信息,请参见TI网站www.ti.com 。
4
TAS5142
www.ti.com
SLES126B - 2004年12月 - 修订2005年5月
终端功能
终奌站
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
BST_D
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GND_D
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
GVDD_D
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
OTW
OUT_A
OUT_B
OUT_C
OUT_D
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PVDD_D
PWM_A
PWM_B
PWM_C
PWM_D
RESET_AB
RESET_CD
SD
VDD
VREG
(1)
DKD NO 。
9
35
28
27
20
8
32
31
24
23
36
1
18
19
13
12
11
–
7
2
33
30
25
22
34
29
26
21
4
6
14
16
5
15
3
17
10
DDV NO 。
11
43
34
33
24
10
38
37
30
29
44
1
22
23
15
14
13
3, 4, 19, 20, 25,
42
9
2
39
36
31
28
40, 41
35
32
26, 27
6
8
16
18
7
17
5
21
12
功能
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
–
O
O
O
O
O
O
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
O
P
P
(1)
描述
模拟地
HS自举电源( BST ) ,外部电容OUT_A要求
HS自举电源( BST ) ,外部电容OUT_B要求
HS自举电源( BST ) ,外部电容OUT_C要求
HS自举电源( BST ) ,外部电容OUT_D要求
地
电源地为半桥一个
电源地为半桥B
电源地为半桥
电源地的半桥式D
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
模式选择引脚
模式选择引脚
模式选择引脚
无连接。引脚可接地。
模拟过电流编程引脚要求接地电阻
超温预警信号,漏极开路,低电平有效
输出,半桥一个
输出,半桥B
输出,半桥
输出,半桥式D
电源输入半桥A需要密切脱钩
0.1 μF电容GND_A 。
电源输入半桥B需要密切脱钩
0.1 μF电容GND_B 。
电源输入半桥C要求的紧密脱钩
0.1 μF电容GND_C 。
电源输入端的半桥式D需要密切脱钩
0.1 μF电容GND_D 。
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
输入信号的半桥式D
复位和信号半桥半桥B,低电平有效
复位信号的半桥C和半桥D,低电平有效
关机信号,漏极开路,低电平有效
电源的数字电压调节器需要0.1 μF电容
到GND 。
数字式稳压电源滤波器引脚需要0.1 μF的电容到AGND。
I =输入, O =输出, P =电源
5
TM
TAS5142
www.ti.com
SLES126B - 2004年12月 - 修订2005年5月
立体声数字放大器功率级
特点
2 × 100瓦, 10 % THD + N为4 Ω BTL
(1)
2 × 80瓦, 10 % THD + N为6 - Ω BTL
2 × 65瓦, 10 % THD + N为8 Ω BTL
4 × 40瓦, 10 % THD + N为3个- Ω SE
4 × 30瓦, 10 % THD + N为4 Ω SE
1 × 160瓦, 10 % THD + N为3个- Ω PBTL
1 × 200瓦, 10 % THD + N进入2 - Ω PBTL
(1)
>100分贝信噪比(A计权)
<0.1 % THD + N为1 W
两个热增强型封装选项:
- DKD ( 36引脚PSOP3 )
- DDV ( 44引脚HTSSOP )
高效率功率级( >90 % )用
140毫欧的MOSFET输出
上电复位的保护将开机
无需任何电源排序
集成自保护电路,包括
欠压,过热,过载,
短路
错误报告
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
智能门极驱动
提供高品质,高效率的音频放大
与成熟的EMI兼容性。该设备需要两个
电源供应器,在12 V的GVDD和VDD ,并在
32 V的PVDD 。该TAS5142不需要
上电顺序由于内部上电复位。
该数字放大器的效率大于
90 %到6
,
这使得能够使用更小的
电源和散热器。
该TAS5142具有创新保护系统
片上集成,维护设备对一个
宽范围的故障情况下,可能会损坏
系统。这些保障措施都是短路保护,
过流保护,欠压保护,
过热保护。该TAS5142有一个新的
专有的电流限制电路,降低了
器件关断时的高层次的音乐可能性
瞬变。一种新的可编程过流检测器
允许在所述解调功能的使用成本更低的电感器
LATION输出滤波器。
BTL输出功率与电源电压
120
110
100
90
P
O
- 输出功率 - 含
80
70
60
50
40
30
20
10
8
6
4
T
C
= 75°C
THD + N @ 10 %
应用
小型/微型音响系统
DVD接收器
家庭影院
描述
该TAS5142是第三代的,高perform-
ANCE ,集成立体声数字放大器功率级
具有改进的保护系统。该TAS5142是
可在高达驱动4 Ω桥接负载( BTL )的
100元与在低综合噪声信道W
输出,低THD + N性能和低待机功耗
耗散。
低成本,高保真音响系统,可以建
使用的TI的芯片组,其包括一个调制器(例如
TAS5508 )和TAS5142 。该系统不仅重新
张塌塌米一个简单的无源LC调制滤波器以
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
G002
PVDD - 电源电压 - V
( 1 )不建议开车200 W(总
电源)进入持续的DDV包。
对于需要两个多通道系统
频道以全功率与被驱动
DDV封装选项,则建议
设计系统,使得两个通道
是在两个独立的设备。
的PurePath 数字
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的PurePath数字,使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004-2005 ,德州仪器
TAS5142
www.ti.com
SLES126B - 2004年12月 - 修订2005年5月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
一般信息
端子分配
该TAS5142是两种散热增强型封装可供选择:
36引脚封装PSOP3 ( DKD )
44引脚HTSSOP使用PowerPad 封装( DDV )
两包类型包含位于该装置的顶侧,以方便热一热片
耦合到散热器。
DKD套餐
( TOP VIEW )
DDV包装
( TOP VIEW )
GVDD_B
OTW
SD
PWM_A
RESET_AB
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_CD
PWM_D
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
GVDD_A
BST_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
PVDD_D
BST_D
GVDD_D
P0018-01
GVDD_B
OTW
NC
NC
SD
PWM_A
RESET_AB
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_CD
PWM_D
NC
NC
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GVDD_A
BST_A
NC
PVDD_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
NC
BST_D
GVDD_D
P0016-02
2
TAS5142
www.ti.com
SLES126B - 2004年12月 - 修订2005年5月
一般信息(续)
模式选择引脚的两个软件包
模式引脚
M3
0
0
0
0
1
1
1
1
(1)
(2)
M2
0
0
1
1
0
0
1
1
M1
0
1
0
1
0
1
0
1
版权所有
2N
(1)
PWM输入
AD / BD调制
AD调制
AD调制
AD调制
输出CON组fi guration
2声道BTL输出
2声道BTL输出
1路输出PBTL
4通道SE输出
保障计划
BTL模式
BTL模式
(2)
版权所有
1N
1N
1N
(1)
(1)
(2)
PBTL模式。仅PWM_A输入被使用。
保护的工作方式类似于BTL模式
(2)
。只
在SE模式不同的是, OUT_X为Hi -Z
而不是通过内部下拉下拉
电阻器。
(1)
在1N和2N命名约定是用来表示在一个特定的PWM线到每信道功率级所需要的数
模式。
过载保护( OLP )在A或B发生的导致两个通道关闭。在C或D的OLP原理相似。全局错误
喜欢过温错误( OTE ) ,欠压保护( UVP ) ,和上电复位( POR )会影响所有通道。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
θJC
(℃ / W )-2 BTL或4 SE的通道( 8晶体管)
R
θJC
( ℃/ W) -1 BTL或2 SE的信道(多个) (4晶体管)
R
θJC
(℃ / W ) - ( 1晶体管)
垫区
(2)
(1)
(2)
TAS5142DKD
1.28
2.56
8.6
80 mm
2
TAS5142DDV
1.28
2.56
8.6
36 mm
2
JC是结到外壳, CH的情况下对散热器。
R
θch
是一个重要的考虑因素。假设的焊盘区域和散热器之间的典型导热油脂2密耳的厚度。该
R
θch
这个条件是0.8 ° C /为DKD包和W的DDV包1.8 ° C / W 。
3
TAS5142
www.ti.com
SLES126B - 2004年12月 - 修订2005年5月
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
VDD到AGND
GVDD_X到AGND
PVDD_X到GND_X
OUT_X到GND_X
BST_X到GND_X
VREG到AGND
GND_X到GND
GND_X到AGND
GND到AGND
PWM_X , OC_ADJ , M1 , M2 , M3至AGND
RESET_X , SD , OTW到AGND
最大连续灌电流( SD , OTW )
最大工作结温范围,T
J
储存温度
铅的温度, 1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
最小脉冲持续时间,低
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
(1)
TAS5142
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至50 V
0.3 V至50 V
0.3 V至63.2 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
9毫安
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
260°C
50纳秒
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只,而根据"recommended操作指示的装置,在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下,终端测量的直流电压+峰的交流波形。
订购信息
T
A
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
包
TAS5146DKD
TAS5142DDV
描述
36引脚PSOP3
44引脚HTSSOP
对于最新的规格和包装的信息,请参见TI网站www.ti.com 。
4
TAS5142
www.ti.com
SLES126B - 2004年12月 - 修订2005年5月
终端功能
终奌站
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
BST_D
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GND_D
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
GVDD_D
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
OTW
OUT_A
OUT_B
OUT_C
OUT_D
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PVDD_D
PWM_A
PWM_B
PWM_C
PWM_D
RESET_AB
RESET_CD
SD
VDD
VREG
(1)
DKD NO 。
9
35
28
27
20
8
32
31
24
23
36
1
18
19
13
12
11
–
7
2
33
30
25
22
34
29
26
21
4
6
14
16
5
15
3
17
10
DDV NO 。
11
43
34
33
24
10
38
37
30
29
44
1
22
23
15
14
13
3, 4, 19, 20, 25,
42
9
2
39
36
31
28
40, 41
35
32
26, 27
6
8
16
18
7
17
5
21
12
功能
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
–
O
O
O
O
O
O
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
O
P
P
(1)
描述
模拟地
HS自举电源( BST ) ,外部电容OUT_A要求
HS自举电源( BST ) ,外部电容OUT_B要求
HS自举电源( BST ) ,外部电容OUT_C要求
HS自举电源( BST ) ,外部电容OUT_D要求
地
电源地为半桥一个
电源地为半桥B
电源地为半桥
电源地的半桥式D
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND
模式选择引脚
模式选择引脚
模式选择引脚
无连接。引脚可接地。
模拟过电流编程引脚要求接地电阻
超温预警信号,漏极开路,低电平有效
输出,半桥一个
输出,半桥B
输出,半桥
输出,半桥式D
电源输入半桥A需要密切脱钩
0.1 μF电容GND_A 。
电源输入半桥B需要密切脱钩
0.1 μF电容GND_B 。
电源输入半桥C要求的紧密脱钩
0.1 μF电容GND_C 。
电源输入端的半桥式D需要密切脱钩
0.1 μF电容GND_D 。
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
输入信号的半桥式D
复位和信号半桥半桥B,低电平有效
复位信号的半桥C和半桥D,低电平有效
关机信号,漏极开路,低电平有效
电源的数字电压调节器需要0.1 μF电容
到GND 。
数字式稳压电源滤波器引脚需要0.1 μF的电容到AGND。
I =输入, O =输出, P =电源
5