TM
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
立体声数字放大器功率级
特点
2 × 20瓦， 10 ％ THD + N为8 Ω BTL
2 × 25瓦， 10 ％ THD + N为6 - Ω BTL
>100 dB的信噪比（A计权）
<0.1 ％ THD + N为1 W
热增强型封装：
- DDV （ 44引脚HTSSOP ）
高效率功率级（ >90 ％ ）用
140毫欧的MOSFET输出
上电复位的保护将开机
无需任何电源排序
集成自保护电路，包括
欠压，过热，过载，
短路
PWM活动检测器，检测停止PWM
投入和保护系统
错误报告
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
智能门极驱动
引脚兼容于TAS5142DDV
低成本，高保真音响系统，可以建
使用的TI的芯片组，其包括一个调制器（例如
TAS5086 ）和TAS5132 。只有这个系统
需要一个简单的无源LC调制滤波器以
交付
高品质，
高英法fi效率
音频
扩增证实EMI兼容性。这
设备需要两个电源，在12 V的
GVDD和VDD ，并在18 V的PVDD 。该
TAS5132并不需要因加电排序
内部上电复位。这样做的效率
数字放大器是大于90％为8个
,
哪
允许使用较小的电源和
散热器。
该TAS5132具有创新保护系统
片上集成，维护设备对一个
宽范围的故障情况下，可能会损坏
系统。这些保障措施都是短路
保护，过流保护，欠压
保护和过温保护。该
TAS5132有一个新的专有限流
电路，其减少设备停机的可能性
在高层次的音乐瞬间。
BTL输出功率与电源电压
30
T
C
= 75°C
THD + N @ 10 ％
25
P
O
- 输出功率 - 含
应用
电视
小型/微型音响系统
DVD接收机
家庭影院
20
15
6
描述
该TAS5132是一款集成的立体声数字放大器
功率级采用先进的防护系统。
该TAS5132能够驱动6 Ω桥接
负载（BTL）在每通道高达25W的低
在输出端集成噪声，低THD + N
高性能，低闲置功耗。
10
8
5
0
0
5
10
15
20
G002
PVDD - 电源电压 - V
的PurePath 数字
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的PurePath数字，使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
一般信息
端子分配
该TAS5132是采用热增强型封装：
44引脚HTSSOP使用PowerPad 封装（ DDV ）
这个包类型包含位于该装置的顶侧，以方便热一热片
耦合到散热器。
DDV包装
（ TOP VIEW ）
GVDD_B
OTW
NC
NC
SD
PWM_A
RESET_AB
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_CD
PWM_D
NC
NC
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GVDD_A
BST_A
NC
PVDD_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
NC
BST_D
GVDD_D
P0016-02
2
提交文档反馈
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
一般信息（续）
模式选择引脚
模式引脚
M3
0
0
0
0
1
1
M2
0
0
1
1
0
0
M1
0
1
0
1
0
1
2N
1
1
(1)
(2)
1
1
0
1
(1)
PWM输入
2N
(1)
输出CON组fi guration
2声道BTL输出
2声道BTL输出
1路输出PBTL
4通道SE输出
保障计划
BTL模式
BTL模式
(2)
AD / BD调制
AD调制
AD调制
AD调制
版权所有
1N
1N
1N
(1)
(1)
(2)
PBTL模式。仅PWM_A输入被使用。
保护的工作方式类似于BTL模式
(2)
。只
在SE模式不同的是， OUT_X为Hi -Z
而不是通过内部下拉下拉
电阻器。
保护系统的工作类似于BTL模式
(2)
（ 0，0 ，0）;然而PWM输入保护
被禁用。此外，过电流检测会
更敏感，如果发生错误，将锁存器。
(1)
AD / BD调制
2声道BTL输出
版权所有
在1N和2N命名约定是用来表示在一个特定的PWM线到每信道功率级所需要的数
模式。
过载保护（ OLP ）在A或B发生的导致两个通道关闭。在C或D的OLP原理相似。全局错误
喜欢过温错误（ OTE ） ，欠压保护（ UVP ） ，和上电复位（ POR ）会影响所有通道。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
θJC
（℃ / W ）-2 BTL或4 SE的通道（ 8晶体管）
R
θJC
（ ℃/ W） -1 BTL或2 SE的信道（多个） （4晶体管）
R
θJC
（℃ / W ） - （ 1晶体管）
PAD
(1)
(2)
区域
(2)
TAS5132DDV
1.4
2.6
8.7
15 mm
2
JC是结到外壳， CH的情况下对散热器。
R
θch
是一个重要的考虑因素。假设的焊盘区域和散热器之间的典型导热油脂2密耳的厚度。该
R
θch
这种情况是针对DDV包2.5 ° C / W 。
提交文档反馈
3
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
VDD到AGND
GVDD_X到AGND
PVDD_X到GND_X
OUT_X到GND_X
BST_X到GND_X
VREG到AGND
GND_X到GND
GND_X到AGND
GND到AGND
PWM_X ， OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3至AGND
RESET_X ， SD ， OTW到AGND
最大连续灌电流（ SD ， OTW ）
最大工作结温范围，T
J
存储温度范围
铅的温度， 1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
最小脉冲持续时间，低
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至30 V
0.3 V至30 V
0.3 V至43.2 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
9毫安
0℃ 150℃
-40_C到125_C
260°C
50纳秒
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
订购信息
T
A
0 ° C至70℃
包
TAS5132DDV
描述
44引脚HTSSOP
对于最新的规格和包装的信息，请参见TI网站www.ti.com 。
4
提交文档反馈
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
终端功能
终奌站
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
BST_D
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GND_D
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
GVDD_D
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
OTW
OUT_A
OUT_B
OUT_C
OUT_D
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PVDD_D
PWM_A
PWM_B
PWM_C
PWM_D
RESET_AB
RESET_CD
SD
VDD
VREG
(1)
号
11
43
34
33
24
10
38
37
30
29
44
1
22
23
15
14
13
3, 4, 19, 20,
25, 42
9
2
39
36
31
28
40, 41
35
32
26, 27
6
8
16
18
7
17
5
21
12
功能
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
–
O
O
O
O
O
O
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
O
P
P
(1)
描述
模拟地
HS自举电源（ BST ） 。外部电容OUT_A要求。
HS自举电源（ BST ） 。以OUT_B需要外部电容。
HS自举电源（ BST ） 。以OUT_C需要外部电容。
HS自举电源（ BST ） 。以OUT_D需要外部电容。
地
电源地为半桥一个
电源地为半桥B
电源地为半桥
电源地的半桥式D
栅极驱动电压供给。需要0.1μF的电容到GND 。
栅极驱动电压供给。需要0.1μF的电容到GND 。
栅极驱动电压供给。需要0.1μF的电容到GND 。
栅极驱动电压供给。需要0.1μF的电容到GND 。
模式选择1
模式选择2
模式选择3
无连接。引脚可接地。
模拟过电流编程。要求电阻连接到地。
超温预警信号，漏极开路，低电平有效
输出，半桥一个
输出，半桥B
输出，半桥
输出，半桥式D
电源输入半桥A.需要0.1 μF电容去耦接近
到GND_A 。
电源输入半桥B.需要0.1 μF电容去耦接近
到GND_B 。
电源输入半桥C.需要0.1 μF电容去耦接近
到GND_C 。
电源输入半桥D.需要0.1 μF电容去耦接近
到GND_D 。
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
输入信号的半桥式D
复位信号的半桥A和半桥B，低电平有效
复位信号的半桥C和半桥D，低电平有效
关机信号，漏极开路，低电平有效
电源为数字电压调节器。需要0.1 μF电容并联一个
10 μF的电容到GND 。
数字式稳压电源滤波器。需要0.1μF的电容到AGND。
I =输入， O =输出， P =电源
提交文档反馈
5
TM
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
立体声数字放大器功率级
特点
2 × 20瓦， 10 ％ THD + N为8 Ω BTL
2 × 25瓦， 10 ％ THD + N为6 - Ω BTL
>100 dB的信噪比（A计权）
<0.1 ％ THD + N为1 W
热增强型封装：
- DDV （ 44引脚HTSSOP ）
高效率功率级（ >90 ％ ）用
140毫欧的MOSFET输出
上电复位的保护将开机
无需任何电源排序
集成自保护电路，包括
欠压，过热，过载，
短路
PWM活动检测器，检测停止PWM
投入和保护系统
错误报告
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
智能门极驱动
引脚兼容于TAS5142DDV
低成本，高保真音响系统，可以建
使用的TI的芯片组，其包括一个调制器（例如
TAS5086 ）和TAS5132 。只有这个系统
需要一个简单的无源LC调制滤波器以
交付
高品质，
高英法fi效率
音频
扩增证实EMI兼容性。这
设备需要两个电源，在12 V的
GVDD和VDD ，并在18 V的PVDD 。该
TAS5132并不需要因加电排序
内部上电复位。这样做的效率
数字放大器是大于90％为8个
,
哪
允许使用较小的电源和
散热器。
该TAS5132具有创新保护系统
片上集成，维护设备对一个
宽范围的故障情况下，可能会损坏
系统。这些保障措施都是短路
保护，过流保护，欠压
保护和过温保护。该
TAS5132有一个新的专有限流
电路，其减少设备停机的可能性
在高层次的音乐瞬间。
BTL输出功率与电源电压
30
T
C
= 75°C
THD + N @ 10 ％
25
P
O
- 输出功率 - 含
应用
电视
小型/微型音响系统
DVD接收机
家庭影院
20
15
6
描述
该TAS5132是一款集成的立体声数字放大器
功率级采用先进的防护系统。
该TAS5132能够驱动6 Ω桥接
负载（BTL）在每通道高达25W的低
在输出端集成噪声，低THD + N
高性能，低闲置功耗。
10
8
5
0
0
5
10
15
20
G002
PVDD - 电源电压 - V
的PurePath 数字
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的PurePath数字，使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
一般信息
端子分配
该TAS5132是采用热增强型封装：
44引脚HTSSOP使用PowerPad 封装（ DDV ）
这个包类型包含位于该装置的顶侧，以方便热一热片
耦合到散热器。
DDV包装
（ TOP VIEW ）
GVDD_B
OTW
NC
NC
SD
PWM_A
RESET_AB
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_CD
PWM_D
NC
NC
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GVDD_A
BST_A
NC
PVDD_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
NC
BST_D
GVDD_D
P0016-02
2
提交文档反馈
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
一般信息（续）
模式选择引脚
模式引脚
M3
0
0
0
0
1
1
M2
0
0
1
1
0
0
M1
0
1
0
1
0
1
2N
1
1
(1)
(2)
1
1
0
1
(1)
PWM输入
2N
(1)
输出CON组fi guration
2声道BTL输出
2声道BTL输出
1路输出PBTL
4通道SE输出
保障计划
BTL模式
BTL模式
(2)
AD / BD调制
AD调制
AD调制
AD调制
版权所有
1N
1N
1N
(1)
(1)
(2)
PBTL模式。仅PWM_A输入被使用。
保护的工作方式类似于BTL模式
(2)
。只
在SE模式不同的是， OUT_X为Hi -Z
而不是通过内部下拉下拉
电阻器。
保护系统的工作类似于BTL模式
(2)
（ 0，0 ，0）;然而PWM输入保护
被禁用。此外，过电流检测会
更敏感，如果发生错误，将锁存器。
(1)
AD / BD调制
2声道BTL输出
版权所有
在1N和2N命名约定是用来表示在一个特定的PWM线到每信道功率级所需要的数
模式。
过载保护（ OLP ）在A或B发生的导致两个通道关闭。在C或D的OLP原理相似。全局错误
喜欢过温错误（ OTE ） ，欠压保护（ UVP ） ，和上电复位（ POR ）会影响所有通道。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
θJC
（℃ / W ）-2 BTL或4 SE的通道（ 8晶体管）
R
θJC
（ ℃/ W） -1 BTL或2 SE的信道（多个） （4晶体管）
R
θJC
（℃ / W ） - （ 1晶体管）
PAD
(1)
(2)
区域
(2)
TAS5132DDV
1.4
2.6
8.7
15 mm
2
JC是结到外壳， CH的情况下对散热器。
R
θch
是一个重要的考虑因素。假设的焊盘区域和散热器之间的典型导热油脂2密耳的厚度。该
R
θch
这种情况是针对DDV包2.5 ° C / W 。
提交文档反馈
3
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
VDD到AGND
GVDD_X到AGND
PVDD_X到GND_X
OUT_X到GND_X
BST_X到GND_X
VREG到AGND
GND_X到GND
GND_X到AGND
GND到AGND
PWM_X ， OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3至AGND
RESET_X ， SD ， OTW到AGND
最大连续灌电流（ SD ， OTW ）
最大工作结温范围，T
J
存储温度范围
铅的温度， 1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
最小脉冲持续时间，低
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至30 V
0.3 V至30 V
0.3 V至43.2 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
9毫安
0℃ 150℃
-40_C到125_C
260°C
50纳秒
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
订购信息
T
A
0 ° C至70℃
包
TAS5132DDV
描述
44引脚HTSSOP
对于最新的规格和包装的信息，请参见TI网站www.ti.com 。
4
提交文档反馈
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
终端功能
终奌站
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
BST_D
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GND_D
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
GVDD_D
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
OTW
OUT_A
OUT_B
OUT_C
OUT_D
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PVDD_D
PWM_A
PWM_B
PWM_C
PWM_D
RESET_AB
RESET_CD
SD
VDD
VREG
(1)
号
11
43
34
33
24
10
38
37
30
29
44
1
22
23
15
14
13
3, 4, 19, 20,
25, 42
9
2
39
36
31
28
40, 41
35
32
26, 27
6
8
16
18
7
17
5
21
12
功能
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
–
O
O
O
O
O
O
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
O
P
P
(1)
描述
模拟地
HS自举电源（ BST ） 。外部电容OUT_A要求。
HS自举电源（ BST ） 。以OUT_B需要外部电容。
HS自举电源（ BST ） 。以OUT_C需要外部电容。
HS自举电源（ BST ） 。以OUT_D需要外部电容。
地
电源地为半桥一个
电源地为半桥B
电源地为半桥
电源地的半桥式D
栅极驱动电压供给。需要0.1μF的电容到GND 。
栅极驱动电压供给。需要0.1μF的电容到GND 。
栅极驱动电压供给。需要0.1μF的电容到GND 。
栅极驱动电压供给。需要0.1μF的电容到GND 。
模式选择1
模式选择2
模式选择3
无连接。引脚可接地。
模拟过电流编程。要求电阻连接到地。
超温预警信号，漏极开路，低电平有效
输出，半桥一个
输出，半桥B
输出，半桥
输出，半桥式D
电源输入半桥A.需要0.1 μF电容去耦接近
到GND_A 。
电源输入半桥B.需要0.1 μF电容去耦接近
到GND_B 。
电源输入半桥C.需要0.1 μF电容去耦接近
到GND_C 。
电源输入半桥D.需要0.1 μF电容去耦接近
到GND_D 。
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
输入信号的半桥式D
复位信号的半桥A和半桥B，低电平有效
复位信号的半桥C和半桥D，低电平有效
关机信号，漏极开路，低电平有效
电源为数字电压调节器。需要0.1 μF电容并联一个
10 μF的电容到GND 。
数字式稳压电源滤波器。需要0.1μF的电容到AGND。
I =输入， O =输出， P =电源
提交文档反馈
5
TM
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
立体声数字放大器功率级
特点
2 × 20瓦， 10 ％ THD + N为8 Ω BTL
2 × 25瓦， 10 ％ THD + N为6 - Ω BTL
>100 dB的信噪比（A计权）
<0.1 ％ THD + N为1 W
热增强型封装：
- DDV （ 44引脚HTSSOP ）
高效率功率级（ >90 ％ ）用
140毫欧的MOSFET输出
上电复位的保护将开机
无需任何电源排序
集成自保护电路，包括
欠压，过热，过载，
短路
PWM活动检测器，检测停止PWM
投入和保护系统
错误报告
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
智能门极驱动
引脚兼容于TAS5142DDV
低成本，高保真音响系统，可以建
使用的TI的芯片组，其包括一个调制器（例如
TAS5086 ）和TAS5132 。只有这个系统
需要一个简单的无源LC调制滤波器以
交付
高品质，
高英法fi效率
音频
扩增证实EMI兼容性。这
设备需要两个电源，在12 V的
GVDD和VDD ，并在18 V的PVDD 。该
TAS5132并不需要因加电排序
内部上电复位。这样做的效率
数字放大器是大于90％为8个
,
哪
允许使用较小的电源和
散热器。
该TAS5132具有创新保护系统
片上集成，维护设备对一个
宽范围的故障情况下，可能会损坏
系统。这些保障措施都是短路
保护，过流保护，欠压
保护和过温保护。该
TAS5132有一个新的专有限流
电路，其减少设备停机的可能性
在高层次的音乐瞬间。
BTL输出功率与电源电压
30
T
C
= 75°C
THD + N @ 10 ％
25
P
O
- 输出功率 - 含
应用
电视
小型/微型音响系统
DVD接收机
家庭影院
20
15
6
描述
该TAS5132是一款集成的立体声数字放大器
功率级采用先进的防护系统。
该TAS5132能够驱动6 Ω桥接
负载（BTL）在每通道高达25W的低
在输出端集成噪声，低THD + N
高性能，低闲置功耗。
10
8
5
0
0
5
10
15
20
G002
PVDD - 电源电压 - V
的PurePath 数字
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的PurePath数字，使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
一般信息
端子分配
该TAS5132是采用热增强型封装：
44引脚HTSSOP使用PowerPad 封装（ DDV ）
这个包类型包含位于该装置的顶侧，以方便热一热片
耦合到散热器。
DDV包装
（ TOP VIEW ）
GVDD_B
OTW
NC
NC
SD
PWM_A
RESET_AB
PWM_B
OC_ADJ
GND
AGND
VREG
M3
M2
M1
PWM_C
RESET_CD
PWM_D
NC
NC
VDD
GVDD_C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GVDD_A
BST_A
NC
PVDD_A
PVDD_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
NC
BST_D
GVDD_D
P0016-02
2
提交文档反馈
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
一般信息（续）
模式选择引脚
模式引脚
M3
0
0
0
0
1
1
M2
0
0
1
1
0
0
M1
0
1
0
1
0
1
2N
1
1
(1)
(2)
1
1
0
1
(1)
PWM输入
2N
(1)
输出CON组fi guration
2声道BTL输出
2声道BTL输出
1路输出PBTL
4通道SE输出
保障计划
BTL模式
BTL模式
(2)
AD / BD调制
AD调制
AD调制
AD调制
版权所有
1N
1N
1N
(1)
(1)
(2)
PBTL模式。仅PWM_A输入被使用。
保护的工作方式类似于BTL模式
(2)
。只
在SE模式不同的是， OUT_X为Hi -Z
而不是通过内部下拉下拉
电阻器。
保护系统的工作类似于BTL模式
(2)
（ 0，0 ，0）;然而PWM输入保护
被禁用。此外，过电流检测会
更敏感，如果发生错误，将锁存器。
(1)
AD / BD调制
2声道BTL输出
版权所有
在1N和2N命名约定是用来表示在一个特定的PWM线到每信道功率级所需要的数
模式。
过载保护（ OLP ）在A或B发生的导致两个通道关闭。在C或D的OLP原理相似。全局错误
喜欢过温错误（ OTE ） ，欠压保护（ UVP ） ，和上电复位（ POR ）会影响所有通道。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
θJC
（℃ / W ）-2 BTL或4 SE的通道（ 8晶体管）
R
θJC
（ ℃/ W） -1 BTL或2 SE的信道（多个） （4晶体管）
R
θJC
（℃ / W ） - （ 1晶体管）
PAD
(1)
(2)
区域
(2)
TAS5132DDV
1.4
2.6
8.7
15 mm
2
JC是结到外壳， CH的情况下对散热器。
R
θch
是一个重要的考虑因素。假设的焊盘区域和散热器之间的典型导热油脂2密耳的厚度。该
R
θch
这种情况是针对DDV包2.5 ° C / W 。
提交文档反馈
3
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
VDD到AGND
GVDD_X到AGND
PVDD_X到GND_X
OUT_X到GND_X
BST_X到GND_X
VREG到AGND
GND_X到GND
GND_X到AGND
GND到AGND
PWM_X ， OC_ADJ ， M1 ， M2 ， M3至AGND
RESET_X ， SD ， OTW到AGND
最大连续灌电流（ SD ， OTW ）
最大工作结温范围，T
J
存储温度范围
铅的温度， 1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
最小脉冲持续时间，低
(1)
(2)
(2)
(2)
(2)
0.3 V至13.2 V
0.3 V至13.2 V
0.3 V至30 V
0.3 V至30 V
0.3 V至43.2 V
0.3 V至4.2 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至0.3 V
0.3 V至4.2 V
-0.3 V至7 V
9毫安
0℃ 150℃
-40_C到125_C
260°C
50纳秒
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
订购信息
T
A
0 ° C至70℃
包
TAS5132DDV
描述
44引脚HTSSOP
对于最新的规格和包装的信息，请参见TI网站www.ti.com 。
4
提交文档反馈
TAS5132
www.ti.com
SLES190 - 2006年12月
终端功能
终奌站
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
BST_D
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GND_D
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
GVDD_D
M1
M2
M3
NC
OC_ADJ
OTW
OUT_A
OUT_B
OUT_C
OUT_D
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PVDD_D
PWM_A
PWM_B
PWM_C
PWM_D
RESET_AB
RESET_CD
SD
VDD
VREG
(1)
号
11
43
34
33
24
10
38
37
30
29
44
1
22
23
15
14
13
3, 4, 19, 20,
25, 42
9
2
39
36
31
28
40, 41
35
32
26, 27
6
8
16
18
7
17
5
21
12
功能
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
–
O
O
O
O
O
O
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
O
P
P
(1)
描述
模拟地
HS自举电源（ BST ） 。外部电容OUT_A要求。
HS自举电源（ BST ） 。以OUT_B需要外部电容。
HS自举电源（ BST ） 。以OUT_C需要外部电容。
HS自举电源（ BST ） 。以OUT_D需要外部电容。
地
电源地为半桥一个
电源地为半桥B
电源地为半桥
电源地的半桥式D
栅极驱动电压供给。需要0.1μF的电容到GND 。
栅极驱动电压供给。需要0.1μF的电容到GND 。
栅极驱动电压供给。需要0.1μF的电容到GND 。
栅极驱动电压供给。需要0.1μF的电容到GND 。
模式选择1
模式选择2
模式选择3
无连接。引脚可接地。
模拟过电流编程。要求电阻连接到地。
超温预警信号，漏极开路，低电平有效
输出，半桥一个
输出，半桥B
输出，半桥
输出，半桥式D
电源输入半桥A.需要0.1 μF电容去耦接近
到GND_A 。
电源输入半桥B.需要0.1 μF电容去耦接近
到GND_B 。
电源输入半桥C.需要0.1 μF电容去耦接近
到GND_C 。
电源输入半桥D.需要0.1 μF电容去耦接近
到GND_D 。
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
输入信号的半桥式D
复位信号的半桥A和半桥B，低电平有效
复位信号的半桥C和半桥D，低电平有效
关机信号，漏极开路，低电平有效
电源为数字电压调节器。需要0.1 μF电容并联一个
10 μF的电容到GND 。
数字式稳压电源滤波器。需要0.1μF的电容到AGND。
I =输入， O =输出， P =电源
提交文档反馈
5
QQ：2881677436 复制
