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T8514VB
威世半导体
GaAlAs的红外发光二极管芯片的规格
特点
包装类型:芯片
-
包装形式:单芯片
技术:双异质
芯片尺寸(单位:mm长x宽x高) : 0.37 X 0.37
x 0.17
峰值波长:
λ
= 850 nm的
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据WEEE指令2002/96 / EC
in
21594
描述
T8514VB是红外线, 850nm的发射中的GaAlAs二极管
双异质技术,具有较高的辐射功率和高
速度。阳极是在顶部的键合焊盘。
一般信息
数据表是基于一定的预定和假设的条件下, Vishay的光电子产品抽样检测,并
仅供说明之用。我们鼓励客户在实际执行测试提出了包装和使用
条件。 Vishay的光电子芯片产品都采用Vishay的光电子学为基础的质量保证程序测试,
使用Vishay的光电子成立工艺制造。估计,如在此所描述和阐述
数据表,半导体管芯会根据许多的包装,处理,使用和其它因素而变化。因此出售
模具可在同等基础标准封装的产品没有执行。
产品概述
部件
T8514VB
测试条件见表“基本特征”
I
e
(毫瓦/ SR)
3.3
(度)
-
λ
p
(纳米)
850
t
r
(纳秒)
25
订购信息
订购代码
T8514VB-SF-F
最小起订量:最小起订量
包装
晶片上锯箔
备注
最小起订量: 25000个
包装形式
芯片
绝对最大额定值
参数
正向电流
反向电压
正向电流浪涌
结温
工作温度范围
存储温度范围芯片
对铝箔存储温度范围
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
t
p
= 100 s
测试条件
符号
I
F
V
R
I
FSM
T
j
T
AMB
T
stg1
T
stg2
价值
100
5
1
125
- 40至+ 100
- 40至+ 100
- 40至+ 50
单位
mA
V
A
°C
°C
°C
°C
文档编号: 81129
修订版1.3 , 29 -MAR- 10
如有技术问题,请联系:
optochipsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
T8514VB
威世半导体
的GaAlAs红外发光规格
二极管芯片
基本特征
参数
正向电压
辐射功率
(2)
(3)
(1)
测试条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
I
R
= 10 A
I
F
= 1毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 100毫安
符号
V
F
φ
e
I
e
φ
e
φ
e
TK
φe
V
R
TK
VF
λ
p
λ
0.5
t
r
, t
f
分钟。
典型值。
1.44
23
3.3
52
马克斯。
单位
V
mW
毫瓦/ SR
mW
mW
%/K
V
毫伏/ K
nm
nm
辐射强度
辐射功率
(环氧树脂封装)
辐射功率芯片
(4)
的辐射温度系数
动力
反向电压
向前温度COEF网络cient
电压
半强度角
峰值波长
光谱带宽
上升时间/下降时间
4.5
5.9
- 0.35
5
18
- 1.8
> ± 80
850
34
25
50
ns
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
(2)
该测量是基于模具的它们安装在一个TO -18金头而不树脂涂布样品
(3)
的辐射强度,I是测得的在TO-18头的几何轴线
e
(4)
辐射功率,
φ
进行测量,以在裸盘和孔径角大约30°的芯片,因为每个晶片的标签上指示
e
基本特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
1.25
ê相对
- 相对辐射功率
- 70°
1.0
I
F
= 30毫安
0.75
- 50°
- 40°
- 30°
0.5
- 20°
- 10°
100
750
800
850
900
950
1000 1050
- 60°
-
80°
90°
80°
70°
60°
50°
40°
30°
20°
10°
0.25
0
700
21595
50
0
50
100
λ
-
波长
(纳米)
21596
相对角强度
图。 1 - 相对光谱发射
φ
ê相对
= f (λ)
图。 2 - 辐射特性
I
REL
= f()
尺寸
电极图案:
的P(正极)侧
意见
(示意图) :
N
(阴极)侧
P型砷化镓铝
P型砷化镓铝
阳极
TYP 。 140
m
n型
砷化镓铝
21597
图。 3
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2
如有技术问题,请联系:
optochipsupport@vishay.com
文档编号: 81129
修订版1.3 , 29 -MAR- 10
T8514VB
的GaAlAs红外发光规格
二极管芯片
威世半导体
机械尺寸
参数
芯片边缘的长度( x方向)
芯片边缘的长度( y方向)
发射区
模高
焊垫直径
符号
L
x
L
y
A
E
H
d
分钟。
典型值。
0.37
0.37
0.325 x 0.325
0.17
0.14
马克斯。
单位
mm
mm
mm
2
mm
mm
附加信息
正面金属化,阳极
背面金属化,阴极
切割
芯片粘接技术
(1)
金合金
锯切
环氧粘接
(1)
所有的芯片都按照Vishay的半导体,规范目视检查FVOV6870的检查。
目视检查应按照“规范目视检查所引用”制成。芯片的外观检查
背面与体视显微镜入射光和40倍到80倍的放大倍率进行。
质量检验(最终目测)由生产执行。另外一个目视检查步骤,因为特殊的释放过程
由QM未安装。
搬运和储存条件
在密封的装运大量应在温度和水分只能控制洁净室环境中打开。它
是强制遵守规则的材料配置,可以用于危害人类和环境。
产品必须只能在ESD安全的工作站处理。标准的ESD防范措施,安全的工作环境的定义
在MIL- HDBK -263 。
单片模具不应被用镊子处理。真空吸笔与非金属ESD保护的技巧可以使用。
填料
芯片被固定在粘合薄片。根据要求的箔片可安装在塑料框架或迪斯科帧。对于出货,晶圆
被安排成栈和密封在塑料袋中密封,以确保保护免受环境影响(如湿度和
污染) 。
使用仅用于回收利用可靠的运营商。我们可以帮助取得联系您最近的销售办事处。通过合作,我们将采取
背面填充材料,如果是排序。你必须承担的运输成本。我们将发票与您所发生的任何费用
这则返回无序或我们没有义务接受包装材料。
文档编号: 81129
修订版1.3 , 29 -MAR- 10
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3
法律免责声明
日前,Vishay
放弃
全部产品,产品规格及数据如有更改,恕不另行通知,以改善
可靠性,功能,设计或其他原因。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理商和雇员,和所有代表及其或其各自的(统称个人,
“威世” ) ,包含在任何数据或任何其他的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前,Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证,声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内, Vishay不承担( i)任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用, ( ii)任何及所有责任,包括但不限于特殊,
间接或附带损失,及(iii)任何和所有的暗示担保,包括适销性和针对特定担保
目的,非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求,常常放置在日前,Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任,以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性,适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异,而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数,包括典型参数,必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明,否则Vishay产品不用于医疗,救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险,并同意
充分赔偿并日前,Vishay及其分销商,免受任何和所有索赔,债务,费用和
引起或导致此类使用或销售,包括律师费方面,即使此类索赔称,赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 11 -MAR- 11
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