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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第236页 > T850H-6G
T835H ， T850H
无缓冲器
高温8的三端双向可控硅
主要特点
符号
I
T（ RMS ）
V
DRM
/V
RRM
I
GT
价值
8
600
35或50
单位
G
A2
A1
A2
A2
A
V
mA
A2
A1
G
G
A2
A1
特点
■
■
■
■
■
中等电流可控硅
150 °C以下。牛逼
j
关闭换向
用夹子结合低热阻
非常高的3象限换流能力
封装均符合RoHS （ 2002/95 / EC ）标准
PAK
T8xxH-6G
2
TO-220AB
T8xxH-6T
应用
A1
G
A2
特别设计的高功率运行
密度或通用电机的应用，如
吸尘器和滚筒洗衣机
电机，这些8的三端双向可控硅提供非常高的
切换能力高达结温
150° C.
散热器可以减少，相比于
传统三端双向可控硅，根据高
表现在给定的结温。
TO- 220AB绝缘
T8xxH-6I
订购代码
产品编号
T835H-6G
T850H-6G
T835H-6G-TR
T850H-6G-TR
T835H-6T
T850H-6T
T835H-6I
T850H-6I
记号
T835H 6G
T850H 6G
T835H 6G
T850H 6G
T835H 6T
T850H 6T
T835H 6I
T850H 6I
描述
可在通孔或表面安装
封装， T835H和T850H三端双向可控硅系列
适用于一般用途的市电交流电
切换。
TM ：无缓冲器是意法半导体公司的商标。
2007年4月
REV 1
1/10
www.st.com
10
特征
T835H ， T850H
1
表1中。
符号
I
T（ RMS ）
特征
绝对最大额定值
参数
D
2
PAK ， TO- 220AB
通态电流（全正弦波）的RMS
TO- 220AB插件
不重复浪涌峰值通态
电流（完整周期，T
j
初始= 25 ° C）
I
为融合吨价
通态电流临界上升率
I
G
= 2×我
GT
, t
r
≤
100纳秒
非重复浪涌峰值断态
电压
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
F = 50赫兹
F = 60赫兹
t
p
= 10毫秒
F = 120赫兹
t
p
= 10毫秒
t
p
= 20 s
T
j
= 150° C
T
j
= 25° C
T
j
= 150° C
T
j
= 150° C
T
c
= 135° C
T
c
= 125° C
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
80
A
84
42
50
V
DRM
/V
RRM
+ 100
4
1
- 40 + 150
- 40 + 150
A
s
A / μs的
V
A
W
°C
价值
8
单位
A
I
TSM
I
t
的di / dt
V
帝斯曼
/V
RSM
I
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
表2中。
符号
I
燃气轮机（1）
V
GT
V
GD
I
H (2)
I
L
dv / dt的
(2)
（ di / dt的）C
(2)
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有规定）
价值
测试条件
象限
T835H
V
D
= 12 V R
L
= 33
Ω
V
D
= V
DRM
, R
L
= 3.3 kΩ
I
T
= 500毫安
I - III
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67% V
DRM ，
门打开，T
j
= 150° C
如果没有缓冲，T
j
= 150° C
马克斯。
II
分钟。
分钟。
80
1000
11
110
1500
14
V / μs的
A / MS
I - II - III
I - II - III
I - II - III
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
35
50
35
1.0
0.15
75
60
mA
T850H
50
mA
V
V
mA
单位
1.最小的我
GT
被guaranted于I 20％
GT
马克斯。
2. A2的两极参考A1 。
2/10
T835H ， T850H
表3中。
符号
V
T (1)
V
t0 (1)
R
d (1)
I
TM
= 11 A，T
p
= 380 s
阈值电压
动态电阻
V
DRM
= V
RRM
I
DRM
I
RRM （2）
特征
静态特性
测试条件
T
j
= 25° C
T
j
= 150° C
T
j
= 150° C
T
j
= 25° C
T
j
= 150° C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
价值
1.5
0.80
52
5
3.1
2.5
2.0
mA
单位
V
V
mΩ
A
V
D
/V
R
= 400 V （峰值电源电压）T
j
= 150° C
V
D
/V
R
= 200 V （峰值电源电压）T
j
= 150° C
1. A2的两极参考A1 。
2. t
p
= 380 s.
表4 。
符号
R
日（J -C ）
热阻
参数
D
2
PAK / TO- 220AB
结到外壳（ AC）
TO- 220AB插件
S = 1厘米
2
D
2
PAK
TO- 220AB / TO- 220AB插件
结到环境
60
3.7
° C / W
45
价值
1.85
单位
R
号（j -a）的
图1 。
P（ W）的
10
9
8
7
6
α=180
°
最大功耗对比如图2所示。
RMS通态电流（全周期）
I
T（ RMS ）
(A)
9
通态电流与RMS的情况下
温度（全周期）
TO-220AB/DPAK
8
7
6
5
TO-220AB
预绝缘
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
T（ RMS ）
(A)
180°
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
(°C)
3/10
特征
T835H ， T850H
网络连接gure 3 。
通态电流与RMS
环境温度（环氧
印刷电路板FR4，
铜厚度= 35微米）
α=180
°
DPAK
S
CU
= 1平方厘米
图4中。
热阻抗的变化
与脉冲持续时间
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
T（ RMS ）
(A)
1.0E+02
Z
th
（ ° C / W）
Z
号（j -a）的
1.0E+01
Z
日（J -C ）
1.0E+00
T
AMB
(°C)
0.0
0
25
50
75
100
125
150
1.0E-01
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
t
P
(s)
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
图5中。
I
TM
(A)
通态特性（最大图6 。
值）
90
80
70
60
T
j
=150 °C
浪涌峰值通态电流 -
周期数
100
I
TSM
(A)
t=20ms
不重复
T
j
初始= 25°C
一个周期
50
T
j
=25 °C
10
40
30
T
j
最大。 ：
V
t0
= 0.80 V
R
d
= 52 mΩ
重复
T
c
=125 °C
20
10
周期数
0
4.5
V
TM
(V)
1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1
10
100
1000
图7 。
非重复浪涌峰值通态图8 。
电流的正弦脉冲
宽度T
p
< 10毫秒和相应的
我的价值
2
t
2.5
TJ初始= 25°C
门极触发的相对变化
当前，保持电流和
闭锁电流对结
温度（典型值）的
10000
I
TSM
（ A） ， I了（ As ）
I
GT
, I
H
, I
L
[T
j
] / I
GT
, I
H
, I
L
[T
j
=25°C]
的di / dt限制： 50 A / μs的
2.0
I
GT
1000
1.5
I
TSM
I
H
＆放大器;我
L
1.0
100
I了
0.5
t
P
（女士）
10
0.01
0.0
0.10
1.00
10.00
T
j
(°C)
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
4/10
T835H ， T850H
特征
图9 。
临界速度的相对变化
减少主电流（ di / dt的）C
对重新申请（的dV / dt ）C
（典型值）
临界速度图10.相对变化
下降主要与当前的
结温
（ di / dt的）
c
[T
j
] /（ di / dt的）
c
[T
j
=150°C]
8
7
6
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
（ di / dt的）
c
[（的dV / dt ）
c
] /指定的（ di / dt的）
c
5
4
3
2
0.4
0.2
0.0
0.1
1.0
（ dv / dt的）
C
（ V / μs）内
10.0
100.0
1
T
j
(°C)
0
25
50
75
100
125
150
图11.漏电流与结
温度下的不同值
阻断电压（典型值）
热敏电阻的图12的变化
结到环境与铜
在标签表面（环氧树脂印刷
电路板FR4 ，
铜厚度= 35微米）
R
号（j -a）的
（ ° C / W）
80
DPAK
1.0E+04
I
DRM
/I
RRM
(A)
1.0E+03
V
DRM
=V
RRM
=600 V
70
60
1.0E+02
V
DRM
=V
RRM
=400 V
V
DRM
=V
RRM
=200 V
50
40
30
20
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
10
1.0E-02
25
50
75
T
j
(°C)
100
125
150
S
CU
（平方厘米）
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
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