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T835-600G
T850-600G
高性能TRIAC
特点
高换相PREFORMANCES
无缓冲器
TM
技术
高抗干扰性(的dV / dt )
高I
TSM
A2
A2
G
描述
该T835-600G和T850-600G三端双向可控硅使用
高性能无缓冲器技术。
它们用于交流控制应用
采用表面贴装TECNOLOGY 。
这些器件非常适合需要高
换流和浪涌表演
所需。
A1
D
2
PAK
绝对额定值
(限制值)
符号
V
DRM
V
RRM
I
T( RMS )
I
TSM
参数
重复峰值断态电压
RMS通态电流
( 360°导通角)
不重复浪涌峰值通态电流
( TJ初始= 25°C )
I
2
为融合吨价
通态电流临界上升率
I
G
= 500毫安
T
英镑
T
j
T
dI
G
/ DT = 1 A / μs的。
不重复
存储温度范围
工作结温范围
在10秒最高温度为焊接
100
- 40, + 150
- 40, + 125
260
°C
°C
TJ = 125°C
TC = 110℃
TP = 8.3ms的
TP = 10毫秒
I
2
t
的di / dt
TP = 10毫秒
重复
F = 50赫兹
价值
600
8
85
80
32
20
A
2
s
A / μs的
单位
V
A
A
1998年5月 - 埃德: 3A
1/5
T835-600G / T850-600G
热阻
符号
Rth的第(j-一)
RTH (J -C )
RTH (J -C )
参数
结到环境(S = 1厘米
2
)
结到外壳的DC
结到外壳为AC 360°导通角( F = 50赫兹)
价值
45
2.1
1.6
单位
° C / W
° C / W
° C / W
GATE特性
(最大值)
P
G( AV )
= 1 W P
GM
= 10 W( TP = 20
s)
电气特性
符号
I
GT
测试条件
V
D
= 12V (DC )R
L
=33
TJ = 25°C
象限
I-II-III
最大
V
GT
V
GD
I
H
*
I
L
V
D
= 12V (DC )R
L
=33
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
I
T
= 100毫安
I
G
= 1.2 I
GT
门打开
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
I-III
II
V
TM *
I
DRM
I
RRM
的dV / dt *
( di / dt的) C *
I
TM
= 11A TP = 380μs
VD = V
DRM
V
R
= V
RRM
线性斜率高达V
D
=67%V
DRM
门打开
无缓冲
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
I-II-III
I-II-III
最大
最大
最大
最大
最大
最大
最大
500
4.5
35
50
80
1.5
5
2
1000
7
35
1.3
0.2
50
60
100
V
A
mA
V / μs的
A / MS
T835
2
50
V
V
mA
mA
T850
单位
mA
I
GM
= 4 A( TP = 20
s)
*对于任一极性的电极A2的电压的参考电极A1中。
订购信息
添加" - TR"后缀带&卷发货
T
TRIAC
当前
8
35 - 600
灵敏度
G
包装:
G =
2
PAK
电压
2/5
T835-600G / T850-600G
图。 1 :
最大功耗与RMS
通态电流。
图。 2 :
最大功率耗散之间的关系
而不能使和最高允许温度
(T
AMB
和T
)对于不同的热阻
散热器+联系。
P( W)的
12
α=180°
α=120°
α=90°
a=60°
Rth=5°C/W
Rth=2°C/W
P( W)的
12
10
8
6
4
2
0
0
α=30°
温度上限( ℃)
Rth=0°C/W
10
8
6
4
2
Rth=8°C/W
110
115
120
α=180°
I
T( RMS )
(A)
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0
TAMB ( ° C)
40
60
80
100
120
140
125
20
图。 3 :
通态电流有效值与温的情况下
perature 。
图。 4 :
热阻抗的相对变化
与脉冲持续时间。
I
T( RMS )
(A)
10
α=180°
K = [第Z / Rth的]
1.00
第Z (J -C )
8
6
0.10
第i (J -a)的
4
2
温度上限( ℃)
0
0
25
50
75
100
125
0.01
1E-3
1E-2
1E-1
TP (多个)
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
图。 5 :
门极触发电流的相对变化和
保持电流与结温(典型
校准值)。
I
GT
,I
H
[ TJ ] / I
GT
,I
H
[Tj=25°C]
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
TJ ( ° C)
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140
I
H
I
GT
图。 6 :
不重复浪涌峰值通态电流
对周期数。
I
TS M
(A)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
周期数
10
100
1000
3/5
TJ初始= 25°C
F=50Hz
T835-600G / T850-600G
图。 7 :
不重复浪涌峰值通态电流
对于正弦脉冲宽度tp<10ms和cor-
我回应的价值
2
t.
图。 8 :
通态特性(最大值) 。
I
TM
(A)
ITSM ( A) , I了( As )
300
ITSM
TJ初始= 25°C
100
TJ最大:
Vto=0.83V
RT = 56毫欧
100
I了
10
TJ = Tj最高。
Tj=25°C
TP( ms)的
10
1
2
5
10
V
TM
(V)
1
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
图。 9 :
热阻结到环境ver-
在标签SUS铜表面(环氧树脂印制电路
板FR4 ,铜厚度为35μm ) 。
图。 10 :
典型的回流焊接热轮廓,要么
用于安装在FR4或金属衬底板。
T( ℃)
Rth的第(j-一)( ℃/ W)的
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
4
8
12
S(铜)(平方厘米)
16
20
24
28
32
36
40
250
200
150
100
50
0
245°C
215°C
环氧FR4
金属背
T( S)
0
40
80
120
160 200 240 280 320 360
4/5
T835-600G / T850-600G
包装机械数据
D
2
PAK
尺寸
REF 。
A
E
L2
C2
MILLIMETERS
4.30
2.49
0.03
0.70
1.25
0.45
1.21
8.95
10.00
4.88
15.00
1.27
1.40
0.40
1.40
4.60 0.169
2.69 0.098
0.23 0.001
0.93 0.027
英寸
0.181
0.106
0.009
0.037
分钟。典型值。马克斯。分钟。典型值。马克斯。
A
A1
A2
D
B
B2
C
L
L3
A1
B2
B
G
A2
2.0分钟。
平坦区
V2
C
R
0.048 0.055
0.60 0.017
0.024
1.36 0.047
9.35 0.352
10.28 0.393
5.28 0.192
15.85 0.590
1.40 0.050
1.75 0.055
0.016
0.054
0.368
0.405
0.208
0.624
0.055
0.069
C2
D
E
G
L
L2
L3
R
V2
FOOT PRINT尺寸
(单位:毫米)
16.90
记号
TYPE
T835-600G
T850-600G
记号
T835
600G
T850
600G
10.30
1.30
5.08
填料
3.70
8.90
管: 50个单位
磁带和卷轴: 500台
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利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格都受到
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    T850-600G
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    -
    -
    -
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T850-600G
ST
2443+
23000
SOT-263
一级代理专营,原装现货,价格优势
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联系人:朱先生
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T850-600G
ST
24+
9850
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ST/意法
22+
97474
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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ST
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16888
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全新原装正品/质量有保证
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ST
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ST
24+
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