T820-xxxW
T830-xxxW
无缓冲器TRIAC
特点
s
s
s
s
s
I
真有效值
= 8 A
V
DRM
= V
RRM
= 600V到800V
出色的开关表演
绝缘电压= 1500V
（ RMS）
U.L.确认： E81734
A
2
A
1
G
描述
在T820 / 830W三端双向可控硅采用高性能玻璃
钝化芯片技术，封装在一个完全
模压塑料ISOWATT220AB包。
在无缓冲器
TM
概念提供suppres-
锡永的R-C网络，并适合应用
系统蒸发散如相位控制和静态开关
感性和阻性负载。
G
A1
A2
ISOWATT220AB
（塑胶）
绝对额定值
（限制值）
符号
I
T（ RMS ）
I
TSM
RMS通态电流
（ 360°导通角）
不重复浪涌峰值通态电流
(T
j
初始= 25 ° C）
参数
TC = 95℃
TP = 16.7毫秒
（ 1个循环， 60赫兹）
TP = 10毫秒
（1/2周期， 50赫兹）
I
2
t
的di / dt
I
2
吨值（半循环， 50赫兹）
通态电流临界上升率
门源：我
G
= 500毫安
dI
G
/ DT = 1 A / μs的。
TP = 10毫秒
重复
F = 50赫兹
不重复
T
英镑
T
j
Tl
存储温度范围
工作结温范围
在10秒在4.5毫米最大无铅焊接温度的
从案例
参数
600
V
DRM
V
RRM
重复峰值断态电压
T
j
= 125°C
600
价值
8
88
100
50
20
100
- 40 + 150
- 40至+ 125
260
°C
°C
A
2
s
A / μs的
单位
A
A
符号
T820 / T830 - xxxW
700
700
800
800
单位
V
2001年9月 - 埃德： 1A
1/5
T820 - xxxW / T830 - xxxW
热阻
符号
Rth的第（j-一）
RTH （J -C ）
结到环境
结到外壳的A.C （ 360 °导通角）
参数
价值
50
3.1
单位
° C / W
° C / W
GATE特性
（最大值）
P
G（ AV ）
= 1 W P
GM
= 10 W（ TP = 20
s)
电气特性
符号
I
GT
V
GT
V
GD
TGT
I
H
*
V
TM
*
I
DRM
I
RRM
的dV / dt *
（的dV / dt ） C *
测试条件
V
D
= 12V （DC ）R
L
=33
V
D
= 12V （DC ）R
L
=33
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
V
D
=V
DRM
I
G
=500mA
dl
G
/ DT = 3Aμs
I
T
= 100毫安
门打开
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
线性斜率高达
门打开
V
D
=67%V
DRM
（ di / dt的）C = 4.5 A / MS（见注）
TJ = 125°C
TJ = 125°C
象限
I-II-III
I-II-III
I-II-III
I-II-III
最大
最大
民
典型值
最大
最大
最大
最大
民
民
200
10
35
1.5
10
2
300
20
T820
20
1.5
0.2
2
50
V
A
mA
V / μs的
V / μs的
T830
30
单位
mA
V
V
s
I
GM
= 4 A（ TP = 20
s
I
TM
= 11A TP = 380μs
额定VDRM
V
RRM
评级
*对于任一极性的电极A2的电压的参考电极A1中。
注意：
在通常的应用中（的dI / dt的） c为4.5以下的A / ms，则（的dV / dt ） C是始终大于10V / μs的下部，并且，因此，它是
不必要
要使用
一个snuber RC网络翻过T820W / T830W三端双向可控硅。
2/5
T820 - xxxW / T830 - xxxW
图。 1 ：
最大功耗与RMS
通态电流。
图。 2 ：
最大功率耗散之间的关系
而不能使与最高允许温度
（环境温度Tamb和温度上限）为不同的热阻
散热器+联系。
P（ W）的
180
O
P（ W）的
10
= 180
= 120
= 90
= 60
o
o
o
o
温度上限（
o
C)
10
-90
-95
8
6
4
2
o
8
-100
6
4
2
RTH = 0
o
C / W
o
2.5 C / W
o
5℃ / W
7.5
o
C / W
-105
-110
-115
= 30
I
T（ RMS ）
(A)
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0
TAMB （ C）
o
-120
-125
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
图。 3 ：
通态电流有效值与案例temper-
ATURE 。
图。 4 ：
瞬态热阻抗交界处
表壳和结点到环境与脉冲持续时间
化。
第Z / Rth的
1
第Z （J -C ）
I
T（ RMS ）
(A)
10
8
= 180
o
0.1
第i （J -a）的
6
4
0.01
2
TCASE （ C）
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130
o
TP （多个）
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
图。 5 ：
门极触发电流的相对变化
和保持电流与结温。
IGT [ TJ ]
o
IGT [ TJ = 25℃ ]
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40
-20
IGT
图。 6 ：
不重复浪涌峰值通态电流
对周期数。
ITSM （ A）
100
IH [ TJ ]
Ih[Tj=25
o
C]
TJ初始= 25℃
80
o
60
Ih
40
20
TJ （
o
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1
周期数
10
100
1000
3/5
T820 - xxxW / T830 - xxxW
图。 7 ：
不重复浪涌峰值通态电流
对于正弦脉冲宽度： TP
为10ms ，并
我相应的价值
2
t.
我TSM （ A） 。我
2
T（A
2
s)
图。 8 ：
通态特性（最大val-
的UE ） 。
我TM （ A）
TJ初始= 25
o
C
1000
1000
TJ初始
o
25 C
我TSM
100
100
余吨
2
10
TJ最大
10
1
TP（ ms）的
TJ最大
VTO = 0.9V
RT = 0.048
VTM （ V）
1
1
10
0.1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
4/5
T820 - xxxW / T830 - xxxW
包装机械数据
ISOWATT220AB
尺寸
REF 。
A
B
D
E
F
F1
F2
G
G1
H
L2
L3
L4
L6
L7
直径
MILLIMETERS
分钟。
4.40
2.50
2.50
0.40
0.75
1.15
1.15
4.95
2.40
10.00
28.60
9.80
15.90
9.00
3.00
马克斯。
4.60
2.70
2.75
0.70
1.00
1.70
1.70
5.20
2.70
10.40
30.60
10.60
16.40
9.30
3.20
英寸
分钟。
0.173
0.098
0.098
0.016
0.030
0.045
0.045
0.195
0.094
0.394
1.125
0.386
0.626
0.354
0.118
马克斯。
0.181
0.106
0.108
0.028
0.039
0.067
0.067
0.205
0.106
0.409
1.205
0.417
0.646
0.366
0.126
16.00典型。
0.630典型。
s
s
s
s
s
冷却方式：C
标记：型号数量
重量：2.1g
推荐的扭矩值： 0.55 M.N.
最大扭矩值： 0.70 M.N.
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
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公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚
马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
http://www.st.com
5/5
T820W / T830W
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
I
GT(1)
V
GT
V
GD
I
H (2)
I
L
dv / dt的
(2)
（ di / dt的）C
(2)
V
D
=V
DRM
R
L
= 3.3kΩ的TJ = 125°C
I
T
= 250毫安
I
G
= 1.2I
GT
I - III
II
V
D
=67% V
DRM
门敞开着TJ = 125°C
如果没有缓冲TJ = 125°C
测试条件
V
D
= 12V
L
=33
象限
I-II-III
I-II-III
I-II-III
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
35
50
60
300
4.5
T820
20
1.3
0.2
50
70
80
500
5.5
T830
30
单位
mA
V
V
mA
mA
mA
V / μs的
A / MS
静态特性
符号
V
TM(2)
V
TO(2)
R
d(2)
I
DRM
I
RRM
I
TM
= 11A
TP = 380μs
测试条件
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
最大
价值
1.4
0.85
40
5
1
单位
V
V
m
A
mA
阈值电压
动态电阻
V
DRM
= V
RRM
注1 ：
最小的IGT是guaranted在IGT的最大值的5％。
注2 ：
为A2的两极参考A1 。
热阻
符号
Rth的第（j-一）
RTH （J -C ）
结到环境
结到外壳（ AC）
参数
价值
60
3.1
单位
° C / W
° C / W
产品选择
产品型号
T820-600W
T820-800W
T830-600W
T830-800W
电压
600V
800V
600V
800V
灵敏度
20毫安
20毫安
30毫安
30毫安
TYPE
无缓冲器
无缓冲器
无缓冲器
无缓冲器
包
ISOWATT220AB
ISOWATT220AB
ISOWATT220AB
ISOWATT220AB
2/5
T820W / T830W
图。 5 ：
浪涌峰值通态电流对数
的周期。
ITSM （ A）
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
10
100
1000
重复
Tc=100°C
不重复
TJ初始= 25°C
t=20ms
图。 6 ：
不重复浪涌峰值通态电流
对于正弦脉冲宽度tp<10ms ，并
我相应的价值
2
t.
ITSM （A ） ，我
2
T（A
2
s)
1000
TJ初始= 25°C
di / dt的限制：
50A/s
ITSM
100
I了
周期数
10
0.01
0.10
TP（ ms）的
1.00
10.00
图。 7 ：
门极触发电流的相对变化，
保持电流和闭锁电流对junc-
化温度（典型值） 。
IGT ，IH， IL [ TJ ] / IGT ，IH， IL 〔环境温度为25 ℃]
3.0
2.5
2.0
IGT
图。 8 ：
减少爆击率的相对变化
主电流对重新申请的dV / dt （典型val-的
的UE ） 。
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
1.5
1.0
0.5
IH & IL
0.8
0.6
0.4
TJ （ ° C）
0.0
-40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
0.2
0.0
0.1
1.0
的dv / dt （V / μs）内
10.0
100.0
图。 9 ：
减少爆击率的相对变化
的主电流与结温。
（ di / dt的） C [ TJ ] / （ di / dt的） C [ TJ = 125 ° C]
8
7
6
5
4
3
2
1
TJ （ ° C）
0
0
25
50
75
100
125
4/5
T820W / T830W
包装机械数据
ISOWATT220AB
尺寸
REF 。
A
B
D
E
F
F1
F2
G
G1
H
L2
L3
L4
L6
L7
直径
MILLIMETERS
分钟。
4.40
2.50
2.50
0.40
0.75
1.15
1.15
4.95
2.40
10.00
28.60
9.80
15.90
9.00
3.00
马克斯。
4.60
2.70
2.75
0.70
1.00
1.70
1.70
5.20
2.70
10.40
30.60
10.60
16.40
9.30
3.20
英寸
分钟。
0.173
0.098
0.098
0.016
0.030
0.045
0.045
0.195
0.094
0.394
1.125
0.386
0.626
0.354
0.118
马克斯。
0.181
0.106
0.108
0.028
0.039
0.067
0.067
0.205
0.106
0.409
1.205
0.417
0.646
0.366
0.126
16.00典型。
0.630典型。
■
■
■
冷却方式：C
推荐的扭矩值： 0.55 M.N.
最大扭矩值： 0.70 M.N.
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