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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第232页 > T820-700W
T820W
T830W
无缓冲器TRIAC
特点
I
真有效值
= 8 A
V
DRM
= V
RRM
= 400V到700V
出色的开关表演
绝缘电压= 1500V
( RMS)
U.L.确认: E81734
描述
在T820 / 830W三端双向可控硅采用高性能玻璃
钝化芯片技术,封装在一个完全
模压塑料ISOWATT220AB包。
在无缓冲器
TM
概念提供suppres-
锡永的R-C网络,并适合应用
系统蒸发散如相位控制和静态开关
感性和阻性负载。
绝对额定值
(限制值)
符号
I
T( RMS )
I
TSM
RMS通态电流
( 360°导通角)
不重复浪涌峰值通态电流
(T
j
初始= 25 ° C)
参数
TC = 95℃
TP = 16.7毫秒
( 1个循环, 60赫兹)
TP = 10毫秒
(1/2周期, 50赫兹)
I
2
t
的di / dt
I
2
吨值(半循环, 50赫兹)
通态电流临界上升率
门源:我
G
= 500毫安
dI
G
/ DT = 1 A / μs的。
TP = 10毫秒
重复
F = 50赫兹
不重复
T
英镑
T
j
Tl
存储温度范围
工作结温范围
在10秒在4.5毫米最大无铅焊接温度的
从案例
参数
400
V
DRM
V
RRM
1995年4月
A
2
A
1
G
A
1
A
2
G
ISOWATT220AB
(塑胶)
价值
8
88
100
50
20
100
- 40 + 150
- 40至+ 125
260
单位
A
A
A
2
s
A / μs的
°C
°C
符号
T820 / 830- xxxW
600
600
700
700
单位
重复峰值断态电压
T
j
= 125°C
400
V
1/5
T820W / 830W
热阻
符号
Rth的第(j-一)
RTH (J -C )
结到环境
结到外壳的A.C ( 360 °导通角)
参数
价值
50
3.1
单位
° C / W
° C / W
GATE特性
(最大值)
P
G( AV )
= 1 W P
GM
= 10 W( TP = 20
s)
电气特性
符号
I
GT
V
GT
V
GD
TGT
I
H
*
V
TM
*
I
DRM
I
RRM
的dV / dt *
(的dV / dt ) C *
测试条件
V
D
= 12V (DC )R
L
=33
V
D
= 12V (DC )R
L
=33
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
V
D
=V
DRM
I
G
= 500毫安
dl
G
/ DT = 3Aμs
I
T
= 100毫安
门打开
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
线性斜率高达
门打开
V
D
=67%V
DRM
( di / dt的)C = 4.5 A / MS
TJ = 125°C
象限
I-II-III
I-II-III
I-II-III
I-II-III
最大
最大
典型值
最大
最大
最大
最大
200
10
35
1.5
10
2
300
20
T820
20
1.5
0.2
2
50
V
A
mA
V / μs的
V / μs的
T830
30
单位
mA
V
V
s
I
GM
= 4 A( TP = 20
s
I
TM
= 11A TP = 380μs
额定VDRM
V
RRM
评级
(见注) TJ = 125°C
*对于任一极性的电极A2的电压的参考电极A1中。
注意:
在通常的应用中(的dI / dt的) c为4.5以下的A / ms,则(的dV / dt ) C是始终大于10V / μs的下部,并且,因此,它是
不必要
要使用
一个snuber RC网络翻过T820W / T830W三端双向可控硅。
2/5
T820W / 830W
图1 :
最大功耗与RMS
通态电流。
图2 :
最大功率耗散之间的关系
而不能使与最高允许温度
(环境温度Tamb和温度上限)为不同的热阻
散热器+联系。
P( W)的
180
O
P( W)的
温度上限(
o
C)
10
= 180
= 120
= 90
o
o
o
o
10
8
6
4
2
RTH = 0
o
C / W
2.5
o
C / W
5
o
C / W
7.5
o
C / W
-90
-95
-100
-105
-110
-115
8
6
4
2
o
= 60
= 30
I
T( RMS )
(A)
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
TAMB (
o
C)
-120
-125
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
图3 :
开启状态RMS电流与温度的情况下
真实存在。
图4 :
瞬态热阻抗交界处
表壳和结点到环境与脉冲持续时间
化。
第Z / Rth的
1
第Z (J -C )
10
8
I T ( RMS ) (A )
= 180
o
0.1
的Zt ΔH(J -a)的
6
4
0.01
2
TCASE ( C)
0
0
10 20 30 40 50
60 70 80 90 100 110 120 130
1E-3
1E-2
1E-1
1E +0
1E +1
o
TP (多个)
1 E+2 5 E +2
图5 :
门极触发电流的相对变化和
保持电流与结温。
IGT [ TJ ]
o
IGT [ TJ = 25℃ ]
IH [ TJ ]
o
IH [ TJ = 25℃ ]
图6 :
不重复浪涌峰值通态电流
对周期数。
ITSM ( A)
100
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
IGT
TJ初始= 25℃
80
o
60
Ih
40
20
TJ (
o
C)
周期数
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120 140
0
1
10
100
1000
3/5
T820W / 830W
图7 :
不重复浪涌峰值通态电流
对于正弦脉冲宽度: TP
为10ms ,并
我相应的价值
2
t.
我TSM ( A) 。我
2
T(A
2
s)
图8 :
通态特性(最大值) 。
我TM ( A)
TJ初始= 25
o
C
1000
1000
TJ初始
o
25 C
我TSM
100
100
余吨
2
10
TJ最大
10
1
TP( ms)的
TJ最大
VTO = 0.9V
RT = 0.048
VTM ( V)
1
1
10
0.1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
4/5
T820W / 830W
包装机械数据
ISOWATT220AB
REF 。
A
B
B1
C
D
E
H
I
J
L
M
N
N1
O
P
尺寸
MILLIMETERS
英寸
分钟。
10
15.9
9.8
28.6
典型值16
9
4.4
3
2.5
0.4
2.5
4.95
2.4
1.15
0.75
9.3
4.6
3.2
2.7
0.7
2.75
5.2
2.7
1.7
1
马克斯。
10.4
16.4
10.6
30.6
分钟。
0.393
0.626
0.385
1.126
0.630
0.354
0.173
0.118
0.098
0.015
0.098
0.195
0.094
0.045
0.030
马克斯。
0.409
0.645
0.417
1.204
典型值
0.366
0.181
0.126
0.106
0.027
0.108
0.204
0.106
0.067
0.039
冷却方式:C
标记:型号数量
重量:2.1g
推荐的扭矩值: 0.55 M.N.
最大扭矩值: 0.70 M.N.
提供的资料被认为是准确和可靠。不过, SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
使用这些信息的后果也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THO MSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON微电子公司的书面批准。
1995 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
5/5
T820-xxxW
T830-xxxW
无缓冲器TRIAC
特点
s
s
s
s
s
I
真有效值
= 8 A
V
DRM
= V
RRM
= 600V到800V
出色的开关表演
绝缘电压= 1500V
( RMS)
U.L.确认: E81734
A
2
A
1
G
描述
在T820 / 830W三端双向可控硅采用高性能玻璃
钝化芯片技术,封装在一个完全
模压塑料ISOWATT220AB包。
在无缓冲器
TM
概念提供suppres-
锡永的R-C网络,并适合应用
系统蒸发散如相位控制和静态开关
感性和阻性负载。
G
A1
A2
ISOWATT220AB
(塑胶)
绝对额定值
(限制值)
符号
I
T( RMS )
I
TSM
RMS通态电流
( 360°导通角)
不重复浪涌峰值通态电流
(T
j
初始= 25 ° C)
参数
TC = 95℃
TP = 16.7毫秒
( 1个循环, 60赫兹)
TP = 10毫秒
(1/2周期, 50赫兹)
I
2
t
的di / dt
I
2
吨值(半循环, 50赫兹)
通态电流临界上升率
门源:我
G
= 500毫安
dI
G
/ DT = 1 A / μs的。
TP = 10毫秒
重复
F = 50赫兹
不重复
T
英镑
T
j
Tl
存储温度范围
工作结温范围
在10秒在4.5毫米最大无铅焊接温度的
从案例
参数
600
V
DRM
V
RRM
重复峰值断态电压
T
j
= 125°C
600
价值
8
88
100
50
20
100
- 40 + 150
- 40至+ 125
260
°C
°C
A
2
s
A / μs的
单位
A
A
符号
T820 / T830 - xxxW
700
700
800
800
单位
V
2001年9月 - 埃德: 1A
1/5
T820 - xxxW / T830 - xxxW
热阻
符号
Rth的第(j-一)
RTH (J -C )
结到环境
结到外壳的A.C ( 360 °导通角)
参数
价值
50
3.1
单位
° C / W
° C / W
GATE特性
(最大值)
P
G( AV )
= 1 W P
GM
= 10 W( TP = 20
s)
电气特性
符号
I
GT
V
GT
V
GD
TGT
I
H
*
V
TM
*
I
DRM
I
RRM
的dV / dt *
(的dV / dt ) C *
测试条件
V
D
= 12V (DC )R
L
=33
V
D
= 12V (DC )R
L
=33
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
V
D
=V
DRM
I
G
=500mA
dl
G
/ DT = 3Aμs
I
T
= 100毫安
门打开
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
线性斜率高达
门打开
V
D
=67%V
DRM
( di / dt的)C = 4.5 A / MS(见注)
TJ = 125°C
TJ = 125°C
象限
I-II-III
I-II-III
I-II-III
I-II-III
最大
最大
典型值
最大
最大
最大
最大
200
10
35
1.5
10
2
300
20
T820
20
1.5
0.2
2
50
V
A
mA
V / μs的
V / μs的
T830
30
单位
mA
V
V
s
I
GM
= 4 A( TP = 20
s
I
TM
= 11A TP = 380μs
额定VDRM
V
RRM
评级
*对于任一极性的电极A2的电压的参考电极A1中。
注意:
在通常的应用中(的dI / dt的) c为4.5以下的A / ms,则(的dV / dt ) C是始终大于10V / μs的下部,并且,因此,它是
不必要
要使用
一个snuber RC网络翻过T820W / T830W三端双向可控硅。
2/5
T820 - xxxW / T830 - xxxW
图。 1 :
最大功耗与RMS
通态电流。
图。 2 :
最大功率耗散之间的关系
而不能使与最高允许温度
(环境温度Tamb和温度上限)为不同的热阻
散热器+联系。
P( W)的
180
O
P( W)的
10
= 180
= 120
= 90
= 60
o
o
o
o
温度上限(
o
C)
10
-90
-95
8
6
4
2
o
8
-100
6
4
2
RTH = 0
o
C / W
o
2.5 C / W
o
5℃ / W
7.5
o
C / W
-105
-110
-115
= 30
I
T( RMS )
(A)
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0
TAMB ( C)
o
-120
-125
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
图。 3 :
通态电流有效值与案例temper-
ATURE 。
图。 4 :
瞬态热阻抗交界处
表壳和结点到环境与脉冲持续时间
化。
第Z / Rth的
1
第Z (J -C )
I
T( RMS )
(A)
10
8
= 180
o
0.1
第i (J -a)的
6
4
0.01
2
TCASE ( C)
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130
o
TP (多个)
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
图。 5 :
门极触发电流的相对变化
和保持电流与结温。
IGT [ TJ ]
o
IGT [ TJ = 25℃ ]
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40
-20
IGT
图。 6 :
不重复浪涌峰值通态电流
对周期数。
ITSM ( A)
100
IH [ TJ ]
Ih[Tj=25
o
C]
TJ初始= 25℃
80
o
60
Ih
40
20
TJ (
o
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1
周期数
10
100
1000
3/5
T820 - xxxW / T830 - xxxW
图。 7 :
不重复浪涌峰值通态电流
对于正弦脉冲宽度: TP
为10ms ,并
我相应的价值
2
t.
我TSM ( A) 。我
2
T(A
2
s)
图。 8 :
通态特性(最大val-
的UE ) 。
我TM ( A)
TJ初始= 25
o
C
1000
1000
TJ初始
o
25 C
我TSM
100
100
余吨
2
10
TJ最大
10
1
TP( ms)的
TJ最大
VTO = 0.9V
RT = 0.048
VTM ( V)
1
1
10
0.1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
4/5
T820 - xxxW / T830 - xxxW
包装机械数据
ISOWATT220AB
尺寸
REF 。
A
B
D
E
F
F1
F2
G
G1
H
L2
L3
L4
L6
L7
直径
MILLIMETERS
分钟。
4.40
2.50
2.50
0.40
0.75
1.15
1.15
4.95
2.40
10.00
28.60
9.80
15.90
9.00
3.00
马克斯。
4.60
2.70
2.75
0.70
1.00
1.70
1.70
5.20
2.70
10.40
30.60
10.60
16.40
9.30
3.20
英寸
分钟。
0.173
0.098
0.098
0.016
0.030
0.045
0.045
0.195
0.094
0.394
1.125
0.386
0.626
0.354
0.118
马克斯。
0.181
0.106
0.108
0.028
0.039
0.067
0.067
0.205
0.106
0.409
1.205
0.417
0.646
0.366
0.126
16.00典型。
0.630典型。
s
s
s
s
s
冷却方式:C
标记:型号数量
重量:2.1g
推荐的扭矩值: 0.55 M.N.
最大扭矩值: 0.70 M.N.
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利用这些信息,也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
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更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
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认证时意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2001意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    T820-700W
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
T820-700W
ST
97+
8600
TO220
全新原装15818663367
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