特点
低功率，低电压操作
非接触式电源
非接触式读/写数据传输
射频（RF ） ：100千赫兹至150千赫兹
在8块的33位264位EEPROM存储器
224位中的32位七块都是免费的用户数据
块写保护
EEPROM的广泛保护，防止接触Malprogramming
片上谐振电容器（ 80或210 pF的屏蔽选项）
防撞使用应答-ON-请求（ AOR ）
典型< 50毫秒写入和校验块
通过EEPROM设置其它选项：
- 比特率[比特/秒] ： RF / 8 ， RF / 16 ， RF / 32 ， RF / 40 ， RF / 50 ， RF / 64 ， RF / 100 ， RF / 128
- 调制方式： BIN ， FSK ， PSK ，曼彻斯特，双相
- 其他：终结者模式，密码模式， AOR模式
标准的R / W的
IDIC （ 264位）
集成
电容
T5554
1.描述
的T5554是一个非接触式读/写识别
IC
（ IDIC
），用于一般用途的应用
系统蒸发散在125 kHz的范围内。一个单一的线圈，连接到所述芯片中，作为IC的
电源和双向通信接口。线圈和芯片一起
形成一个转发器。
芯片上的264位EEPROM （ 8块，每块33位） ，可以读取和写入块级
明智的从基站。该块可以防止被覆盖。一个块
用于设定该集成电路的操作模式被保留。另一个块可以包含一个
密码，以防止未经授权的写作。
读出发生由内部负载阻尼线圈。有不同的比特率
和编码方案成为可能。书写时通过中断经过一个特殊的RF场
CIAL方式。
2.系统框图
图2-1 。
RFID系统采用T5554标签
转发
线圈接口
动力
基站
数据
调节器
内存
T5554
4576D–RFID–12/06
2.1
焊盘布局
图2-2 。
T5554的键盘布局
线圈1
T5554
线圈2
V
DD
V
SS
测试点
3. T5554积木
图3-1 。
框图
调制器
线圈1
模式寄存器
模拟前端
写
解码器
POR
内存
（ 264位EEPROM ）
调节器
比特率
发电机
线圈2
输入寄存器
测试逻辑
高压发生器
V
DD
V
SS
测试点
3.1
模拟前端（AFE ）
AFE包括直接连接到所述线圈的所有电路。它产生IC的电源
供应和处理与读出器单元的双向数据通信。它包含的
以下模块：
整流器，以产生与AC线圈电压的直流电源电压
时钟提取
Coil1 / Coil2之间切换的负载用于数据传输从IC到读取器单元
（READ ）
用于从所述读取单元数据传输到IC领域间隙探测器（写）
2
T5554
4576D–RFID–12/06
T5554
3.2
谐振电容器
谐振电容器被集成在芯片上。通过掩膜选项的值可以是80 pF或者210 pF的
典型的。
3.3
调节器
主控制器具有以下功能：
加载模式寄存器与EEPROM的块0的配置数据上电后，也
在读
控制内存访问（读，写）
处理写数据的发送和写入错误模式
写入数据流的前两个比特是OP代码。有两种有效的操作码
（标准和停止），其由控制器解码。
在口令模式中， OP-码之后接收到的32位与所存储的比较
密码块7 。
3.4
比特率发生器
比特率发生器可以提供以下比特率：
RF / 8 - 射频/ 16 - RF / 32 - RF / 40 - RF / 50 - RF / 64 - RF / 100 - RF / 128
3.5
写解码器
在写入过程中进行解码所检测到的空白。检查是否写入数据流是有效的。
3.6
测试逻辑
测试电路可测试过程中快速编程和验证IC的。
3.7
高压发生器
电压泵产生
18V对EEPROM的编程。
3.8
上电复位（ POR ）
在上电复位是当电源电压被施加时被触发的延迟复位。
3.9
模式寄存器
该模式寄存器从EEPROM块0的不断刷新，在存储数据的方式
开始每块的。这增加了装置的可靠性（如果原来加载模式
信息是虚假的，它会通过后续的更新周期来校正） 。
3
4576D–RFID–12/06
3.10
调制器
该调制器由两个阶段数数据的编码器，其可以被自由地组合
以获得所需的调制。基本类型的调制是：
PSK ：相移： 1 ）每一个变化; 2 ）每一个“ 1 ” ; 3 ）每个上升沿（载体： FC / 2 ， FC / 4或FC / 8 ）
FSK ： 1 ） F1 = RF / 8 F2 = RF / 5 ; 2 ） F1 = RF / 8 ， F2 = RF / 10
曼彻斯特：上升沿= H;下降沿= L
双相：每一位创建了一个改变，一个数据“ H”创建一个额外的中间位的变化
注意：
下面的调制方式的组合将不工作：
- 阶段1曼彻斯特或双相和stage2 PSK ，在任何PSK载波频率
（因为在第一级的输出频率比第二阶段频闪更高
频率） ;
- 阶段1曼彻斯特或双相和stage2 PSK与比特率= RF / 8和PSK载波
频率=射频/ 8（用于与上述相同的原因） ;
–
任何stage1的选项与任何PSK为比特率的rf / 50或rf / 100 ，如果PSK载波频率不
的比特率的整数倍（例如，峰，br =射频/ 50 ， PSKcf =射频/ 4时，因为50/4 = 12.5） 。这
i
s
由于PSK载波频率必须保持恒定的相位相对于该比特时钟。
图3-2 。
调制器框图
载波频率
PSK1
PSK2
曼彻斯特
PSK3
MUX
直接
FSK1 ， 1A
FSK2 ， 2A
MUX
加载
从内存
直接
双相
4
T5554
4576D–RFID–12/06
T5554
3.11
内存
在T5554的存储器是一个264位的EEPROM ，其被布置在每个33位的8个块。
所有33位的块，包括锁位，同时被编程。编程
电压是在片上产生。
块0中包含的模式数据，这是不正常地发送（见
图3-3 ） 。
块1至6个可自由编程。块7可以用作口令。如果密码保护
化不是必需的，它可以用于用户数据。
位每块0锁定位的块。一旦锁定，块（包括lockbit
本身）不能进行现场重新编程。
从该存储器中的数据被串行发送，从块1 ，第1位，由方框“ MAXBLK ” ，
位32 “ MAXBLK ”是由用户来0到7之间的值设定的模式参数（如果MAXBLK = 0，
只有块0将被传输） 。
图3-3 。
存储器映射
0 1
L
L
L
L
L
L
L
L
32
用户数据或密码7座
6座
用户数据
用户数据
用户数据
用户数据
用户数据
用户数据
CON组fi guration数据
5座
4座
3座
BLOCK 2
1座
块0
32位
不发送
5
4576D–RFID–12/06
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