飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V13250H
第0版， 6/2011
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
射频功率晶体管设计在1300 MHz的运行应用程序。
这些设备适合于脉冲和连续波应用。
典型性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 100毫安
信号类型
脉冲（ 200
微秒，
10 ％占空比）
P
OUT
(W)
250峰
f
（兆赫）
1300
G
ps
（ dB）的
22.7
η
D
(%)
57.0
IRL
（ dB）的
--18
MRF6V13250HR3
MRF6V13250HSR3
1300兆赫， 250 W， 50 V
横向N-
声道
RF功率MOSFET
典型性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 10毫安，T
C
= 25
°C
信号类型
CW
P
OUT
(W)
230 CW
f
（兆赫）
1300
G
ps
（ dB）的
21.0
η
D
(%)
55.0
IRL
（ dB）的
--17
能够处理10负载不匹配： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 1300兆赫
在所有相位角
250瓦峰值脉冲功率，占空比为10％ ， 200
微秒
CW有能力
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
合格高达50伏的最大
DD
手术
从20 V特点，以50 V的扩展功率范围
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 12 。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
CASE 465-
-06 ，风格1
NI-
-780
MRF6V13250HR3
CASE 465A-
-06 ，风格1
NI-
-780S
MRF6V13250HSR3
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
P
D
价值
--0.5, +120
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
476
2.38
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
W
W / ℃，
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
脉冲：外壳温度65℃ ， 250W的脉冲， 200
微秒
脉冲宽度， 10 ％占空比
周期， 50伏直流电，我
DQ
= 100毫安， 1300兆赫
CW ：外壳温度77 ° C， 235宽的CW ， 50伏直流电，我
DQ
= 10毫安， 1300兆赫
符号
价值
(2,3)
单位
° C / W
Z
θJC
R
θJC
0.07
0.42
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2011。保留所有权利。
MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
B（最低）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 50 mA）的
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 90伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 640
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 100 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.58 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.2
58
340
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.0
2.0
0.1
1.8
2.4
0.25
2.7
3.0
0.3
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
120
—
—
—
—
—
—
1
—
10
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100毫安， P
OUT
= 250 W峰值（ 25瓦平均） ， F = 1300 MHz的
脉冲， 200
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
IRL
G
ps
η
D
IRL
21.5
53.5
—
—
—
—
22.7
57.0
--18
21.0
55.0
--17
24.0
—
--9
—
—
—
dB
%
dB
dB
%
dB
典型性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 10毫安， P
OUT
= 230 W CW ， F = 1300兆赫，T
C
= 25°C
负载不匹配
（在飞思卡尔应用测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100毫安， P
OUT
= 250 W峰值（ 25瓦的魅力。 ）
F = 1300 MHz的脉冲， 200
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
驻波比10 ： 1 ，在所有相位角
1.部分内部输入匹配。
Ψ
在输出功率不降低
MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
R1
+
C1
+
C2
C3
Z10
Z19
+
C4
Z9
Z18
C7
C8
C9
C10
C11
C12
V
供应
RF
输入
Z11
Z1
C5
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
DUT
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
C6
Z17
RF
产量
Z20
Z21
+
C18
C17
C16
C15
C14
C13
V
供应
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9*
Z10
0.447 “× 0.063 ”微带
0.030 “× 0.084 ”微带
0.120 “× 0.063 ”微带
0.855 “× 0.293 ”微带
0.369 “× 0.825 ”微带
0.203 “× 0.516 ”微带
0.105 “× 0.530 ”微带
0.105 “× 0.530 ”微带
0.116 “× 0.050 ”微带
0.122 “× 0.050 ”微带
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18, Z20
Z19*, Z21*
0.162 “× 1.160 ”微带
0.419 “× 1.160 ”微带
0.468 “× 0.994 ”微带
0.131 “× 0.472 ”微带
0.264 “× 0.222 ”微带
0.500 “× 0.111 ”微带
0.291 “× 0.063 ”微带
0.105 “× 0.388 ”微带
0.854 “× 0.052 ”微带
*线路长度包括微带弯曲。
图1. MRF6V13250HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图 - 1300兆赫
表5. MRF6V13250HR3 （ HSR3 ）测试电路元件标识和价值观 - 1300兆赫
部分
C1, C2
C3, C11, C14
C4, C6, C7, C18
C5
C8, C17
C9, C16
C10, C15
C12, C13
R1
PCB
描述
22
μF,
35 V钽电容器
0.1
μF,
50 V贴片电容
100 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
1000 pF的贴片电容
1000 pF的贴片电容
10K pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容器
15
,
1/4 W贴片电阻
0.030″,
ε
r
= 3.50
产品型号
T491X226K035AT
CDR33BX104AKWS
ATC800B101JT500XT
ATC100B4R7CT500XT
ATC100B102JT50XT
ATC700B102FT50XT
ATC200B103KT50XT
MCGPR63V477M13X26--RH
CRCW120615R0FKEA
RO4350B
生产厂家
基美
AVX
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
MULTICOMP
日前，Vishay
罗杰斯
MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C3
C1 C2
C4
R1
C7
C9
C11
C8
C10
C12
切出区
C5
C6
C18 C17
MRF6V13250H/HS
REV 3
C15
C13
C16 C14
图2. MRF6V13250HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局 - 1300兆赫
MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征 - 脉冲
1000
P
OUT
，输出功率（dBm ）脉冲
60
59
58
57
56
55
54
53
0
10
20
30
40
50
30
31
32
33
34
35
36
37
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
P
in
输入功率（dBm ）脉冲
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 1300 MHz的
脉冲宽度= 200
微秒，
占空比= 10 ％
P3dB = 55.4 dBm的
(345 W)
P2DB = 55.1 dBm的
(326 W)
的P1dB = 54.7 dBm的
(293 W)
实际
理想
C
国际空间站
C，电容（pF ）
100
C
OSS
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
C
RSS
1
10
图3.电容与漏极 -
- 源电压
图4.脉冲输出功率与
输入功率
25
23
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
G
ps
，功率增益（分贝）
21
19
17
35 V
15
13
11
20 V
0
50
100
150
200
25 V
30 V
I
DQ
= 100 mA时， F = 1300 MHz的
脉冲宽度= 200
微秒
占空比= 10 ％
250
300
350
400
40 V
45 V
V
DD
= 50 V
24
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 1300 MHz的
23脉冲宽度= 200
微秒
占空比= 10 ％
70
60
50
40
G
ps
，功率增益（分贝）
22
21
20
19
η
D
18
17
1
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
G
ps
30
20
10
0
500
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
图5.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
70
60
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
50
20 V
40
30
20
10
I
DQ
= 100 mA时， F = 1300 MHz的
脉冲宽度= 200
微秒
占空比= 10 ％
0
50
100
150
200
250
300
350
400
25 V
35 V
40 V
45 V
V
DD
= 50 V
G
ps
，功率增益（分贝）
24
23
22
21
20
19
18
17
3
T
C
= --30_C
25_C
图6.脉冲功率增益与
输出功率
70
60
50
85_C
40
30
η
D
25_C
20
10
85_C
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
0
500
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
30 V
V
DD
= 50伏直流
I
DQ
= 100毫安
F = 1300 MHz的
脉冲宽度= 200
微秒
占空比= 10 ％
--30_C
G
ps
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
图7.脉冲效率与
输出功率
图8.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： AFT05MS031N
第0版， 6/2012
RF功率LDMOS晶体管
高耐用性N - 通道
增强 - 模式横向的MOSFET
专为移动2 - 双向无线电应用与频率
136至520兆赫。高增益，耐用性和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，共源放大器
应用在移动无线电设备。
典型特性：
（ 13.6伏，T
A
= 25 ° C， CW）
频率
（兆赫）
380--450
(1,3)
450--520
(2,3)
520
(4)
G
ps
（ dB）的
18.3
17.7
17.7
η
D
(%)
64.1
62.0
71.4
P1dB
(W)
31
31
33
TO -
-270-
-2
塑料
AFT05MS031NR1
AFT05MS031NR1
AFT05MS031GNR1
136-
-520兆赫， 31 W， 13.6 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
负载失配/耐用性
频率
（兆赫）
520
(4)
信号
TYPE
CW
VSWR
>65 ： 1 ，在所有
相位角
P
OUT
(W)
47
（ 3分贝高速）
TEST
电压
17
结果
没有设备
降解
1.测量380--450 MHz的超高频宽带的参考电路。
2.测量450--520 MHz的超高频宽带的参考电路。
3.显示的值是在整个的最低测得的性能数据
指定的频率范围。
4.测量520 MHz的窄带测试电路。
TO -
-270- GULL
-2
塑料
AFT05MS031GNR1
特点
特点是操作从136到520兆赫
无与伦比的输入和输出允许频率范围宽利用率
集成ESD保护
综合稳定性增强
宽带 - 整个波段全功率：
136--174兆赫
380--450兆赫
450--520兆赫
225℃有能力塑料包装
卓越的热性能
高线性度为： TETRA ， SSB ， LTE
成本 - 效益超过 - 模压塑料封装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，有24毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
典型应用
输出级VHF频段移动通信
输出级的UHF频段移动通信
门
漏
（ TOP VIEW ）
注意：该包的背面是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
飞思卡尔半导体公司， 2012年版权所有。
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
P
D
T
J
价值
--0.5, +40
--6.0, +12
17, +0
--65到150
294
1.47
225
单位
VDC
VDC
VDC
°C
W
W / ℃，
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度79 ° C， 31 W CW ， 13.6伏，我
DQ
= 10毫安， 520兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.67
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 ，通过2500 V
A，通过100伏
四，通过2000伏
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 40 VDC ，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 13.6伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 115
μAdc ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.2 ADC）
正向跨导
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 7.5 ADC）
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
g
fs
1.6
—
—
2.1
0.13
5.8
2.6
—
—
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
2
1
600
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 13.6伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 13.6伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 13.6伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
漏EF网络效率
频率
（兆赫）
520
信号
TYPE
CW
P
OUT
(W)
47
（ 3分贝高速）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.6
49.5
109
—
—
—
pF
pF
pF
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(1)
（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 13.6伏，我
DQ
= 10毫安， P
OUT
= 31 W， F = 520兆赫
G
ps
η
D
16.5
70.0
17.7
71.4
19.0
—
dB
%
负载失配/耐用性
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆的系统，我
DQ
= 10 mA）的
VSWR
>65 ： 1 ，在所有相位角
测试电压V
DD
17
结果
没有设备退化
1.测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。导致形成用于鸥
翼（GN）的部件。
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
典型特征
1000
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫，V
GS
= 0伏
C，电容（pF ）
C
国际空间站
C
OSS
I
DS
，漏极电流（ AMPS ）
7
6
5
4
3
2
1
2.75伏
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
注意：
测定用绑在一起的晶体管的两侧。
3.25伏
3 VDC
T
A
= 25°C
V
GS
= 4.25伏
4 VDC
3.75伏
3.5 VDC
100
10
C
RSS
1
图2.电容与漏极 -
- 源电压
图3.漏电流与漏极 -
- 源电压
10
9
10
8
I
D
- 2.5安培
平均无故障时间（小时）
10
7
10
6
3.9 AMPS
10
5
10
4
90
110
130
150
170
190
210
230
250
T
J
，结温（ ° C）
注意：
平均无故障时间的值表示总累计时间
下所示的试验条件。
3.2安培
V
DD
= 13.6伏
图4. MTTF与结温 - CW
-
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
520 MHz的窄带生产测试夹具
C1
C7
B1
C4
L1
C16
C13 C14
B3
C3
C2
C5
B2
C8
C9
切出区
C18
L2
C15
C11
C6
C10
C12
AFT05MS031N
第1版
C17
图5. AFT05MS031NR1窄带测试电路元件布局 - 520兆赫
表6. AFT05MS031NR1窄带测试电路组件标识和价值观 - 520兆赫
部分
B1, B2, B3
C1
C2, C14
C3, C13
C4
C5
C6
C7, C16
C8
C9, C10, C11, C12
C15
C17
C18
L1
L2
PCB
描述
RF珠，龙
22
μF,
35 V钽电容器
0.01
μF
贴片电容
0.1
μF
贴片电容
200 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
3.9 pF的贴片电容
180 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
36 pF的贴片电容
27 pF的贴片电容
7.5 pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
43 nH的，10转电感
56 nH的电感器
0.030″,
ε
r
= 2.55
产品型号
2743021447
T491X226K035AT
C0805C103K5RAC
CDR33BX104AKWS
ATC100B201JT300XT
ATC100B6R2JT500XT
ATC100B3R9JT500XT
ATC100B181JT200XT
ATC100B100JT500XT
ATC100B360JT500XT
ATC100B270JT500XT
ATC100B7R5JT500XT
SME63V471M12X25LL
B10TJLC
1812SMS--56NJLC
AD255A
生产厂家
博览会 - 爱色丽
基美
基美
基美
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
美贵弥功 - 精读
Coilcraft公司
Coilcraft公司
阿尔隆
AFT05MS031NR1 AFT05MS031GNR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6VP11KH
启7 ， 4/2010
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
主要用于脉冲宽带应用频率高达设计
150兆赫。设备是无与伦比的，并适用于工业，医疗用
和科学应用。
在130 MHz的典型脉冲性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 150毫安，
P
OUT
= 1000瓦峰值（ 200瓦平均） ，脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
功率增益 - 26分贝
漏极效率 - 71 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 130兆赫， 1000瓦峰值
动力
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
CW作战能力具有足够的冷却
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
专为推 - 拉运
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF6VP11KHR6
1.8-
-150兆赫， 1000 W， 50 V
横向N-
声道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 375D-
-05 ，风格1
NI-
-1230
部分是推挽
-PULL
RF
INA
/V
GSA
3
1 RF
OUTA
/V
DSA
RF
INB
/V
GSB
4
2 RF
OUTB
/V
DSB
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 1000瓦脉冲， 100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
外壳温度67 ° C， 1000瓦CW ， 100兆赫
符号
Z
θJC
R
θJC
价值
(2,3)
0.03
0.13
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2008--2010 。版权所有。
MRF6VP11KHR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 300毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1600
μAdc ）
门静态电压
(2)
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 150 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
3.3
147
506
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
1.5
—
1.63
2.2
0.28
3
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
100
5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 1000瓦峰值（ 200瓦平均） ， F = 130 MHz时，
100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
1.装置的每一侧分别测得。
2.测量取得与设备推 - 拉配置。
G
ps
η
D
IRL
24
69
—
26
71
--16
28
—
--9
dB
%
dB
MRF6VP11KHR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
C1
+
C2
+
B1
L1
R1
R2
L3
+
C15
+
V
供应
+
C20
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C21
Z10
C13
C14
C16 C17 C18 C19
Z8
Z4
RF
输入
Z1
Z2
L2
Z3
J1
C12
T1
Z5
Z7
Z9
Z6
Z12
Z14
Z16
RF
产量
DUT
Z11
Z18
C23
Z13
C24
Z15
C25
Z17
T2
C22
J2
Z19
C26
Z1
Z2*
Z3*
Z4, Z5
Z6, Z7, Z8, Z9
Z10, Z11
Z12, Z13
0.175 “× 0.082 ”微带
1.461 “× 0.082 ”微带
0.080 “× 0.082 ”微带
0.133 “× 0.193 ”微带
0.500 “× 0.518 ”微带
0.102 “× 0.253 ”微带
0.206 “× 0.253 ”微带
Z14, Z15
Z16*, Z17*
Z18
Z19
PCB
0.116 “× 0.253 ”微带
0.035 “× 0.253 ”微带
0.275 “× 0.082 ”微带
0.845 “× 0.082 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300--55--22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
*线路长度包括微带弯曲。
图2. MRF6VP11KHR6测试电路原理图
表5. MRF6VP11KHR6测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2
C3
C4, C9, C17
C5, C16
C6, C15
C7
C8
C10, C11, C13, C14
C12
C18, C19, C20
C21, C22
C23
C24, C25
C26
J1, J2
L1
L2
L3*
R1
R2
T1
T2
* L3被缠R2。
描述
95
,
100 MHz的龙铁氧体磁珠
47
μF,
50 V电解电容
22
μF,
35 V钽电容器
10
μF,
35 V钽电容器
10K pF的贴片电容
20K pF的贴片电容
0.1
μF,
50 V贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
0.22
μF,
100 V贴片电容
1000 pF的贴片电容
18 pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容器
47 pF的贴片电容
75 pF的贴片电容
100 pF的贴片电容
33 pF的贴片电容
跳线从印刷电路板到T1和T2
82 nH的电感器
47 nH的电感器
10启动， 18＃AWG电感，手上有伤口
1 KΩ ， 1/4 W碳引线电阻
20
,
3 W贴片电阻
平衡不平衡转换器
平衡不平衡转换器
产品型号
2743021447
476KXM050M
T491X226K035AT
T491D106K035AT
ATC200B103KT50XT
ATC200B203KT50XT
CDR33BX104AKYS
C1825C225J5RAC
C1825C223K1GAC
ATC100B102JT50XT
ATC100B180JT500XT
MCGPR63V477M13X26--RH
ATC100B470JT500XT
ATC100B750JT500XT
ATC100B101JT500XT
ATC100B330JT500XT
铜箔
1812SMS--82NJLC
1812SMS--47NJLC
铜线
MCCFR0W4J0102A50
CPF320R000FKE14
TUI--9
TUO--4
MULTICOMP
日前，Vishay
通讯概念
通讯概念
Coilcraft公司
Coilcraft公司
生产厂家
博览会 - 爱色丽
伊利诺伊帽
基美
基美
ATC
ATC
基美
基美
基美
ATC
ATC
MULTICOMP
ATC
ATC
ATC
ATC
MRF6VP11KHR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
典型特征
1000
C
国际空间站
C
OSS
100
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
100
C，电容（pF ）
T
J
= 200°C
T
J
= 150°C
T
J
= 175°C
10
10
C
RSS
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
1
1
T
C
= 25°C
10
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
100
注意：
设备的每一侧分别测得。
图4.电容与漏极 -
- 源电压
27
26
G
ps
，功率增益（分贝）
25
24
23
η
D
22
21
20
10
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
1000
30
20
G
ps
80
70
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
P
OUT
，输出功率（dBm ）
60
50
40
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
30
注意：
设备的每一侧分别测得。
图5.直流安全工作区
P3dB = 61.23 dBm的（ 1327.39 W）
的P1dB = 60.57 dBm的（ 1140.24 W）
理想
实际
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150 mA时， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
31
32
33
34
35
36
37
38
39
10
2000
P
in
输入功率（dBm ）脉冲
图6.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
32
I
DQ
= 6000毫安
G
ps
，功率增益（分贝）
G
ps
，功率增益（分贝）
28
3600毫安
1500毫安
750毫安
24
150毫安
20
V
DD
= 50伏， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
1000
2000
12
0
375毫安
24
28
图7.脉冲输出功率与
输入功率
20
V
DD
= 30 V
16
35 V
40 V
45 V
50 V
16
I
DQ
= 150 mA时， F = 130 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
图8.脉冲功率增益与
输出功率
图9.脉冲功率增益与
输出功率
MRF6VP11KHR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V3090N
第1版， 12/2011
RF功率LDMOS晶体管
增强 - 模式横向的MOSFET
专为商业和工业的宽带应用
频率在470到860兆赫。设备适合于广播应用
应用程序。
典型性能（窄带测试电路） ： V
DD
= 50伏，我
DQ
=
350毫安， 64 QAM ，输入信号PAR = 9.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
信号类型
DVB - T（ 8K OFDM ）
P
OUT
(W)
18魅力。
f
（兆赫）
860
G
ps
（ dB）的
22.0
η
D
(%)
28.5
ACPR
（ DBC）
--62.0
MRF6V3090NR1
MRF6V3090NR5
MRF6V3090NBR1
MRF6V3090NBR5
470-
-860兆赫， 90 W， 50 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
典型性能（宽带参考电路） ： V
DD
= 50伏，
I
DQ
= 450毫安， 64 QAM ，输入信号PAR = 9.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
P
OUT
(W)
18魅力。
f
（兆赫）
470
650
860
G
ps
（ dB）的
21.6
22.9
21.9
η
D
(%)
26.8
28.0
28.3
产量
信号PAR
（ dB）的
8.6
8.7
7.9
IMD
肩
（ DBC）
--31.8
--34.4
--29.2
信号类型
DVB - T（ 8K OFDM ）
CASE 1486-
-03 ，风格1
TO -
WB- -270
-4
塑料
MRF6V3090NR1(NR5)
特点
能够处理10 ： 1 VSWR ，所有相位角， @ 50伏直流电， 860兆赫，
90瓦的连续输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部输入匹配的易用性
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
优良的热稳定性
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
225℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
R5后缀= 50单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
符号
R
θJC
CASE 1484-
-04 ，风格1
TO -
WB- -272
-4
塑料
MRF6V3090NBR1(NBR5)
部分单
-ENDED
门
漏
门
漏
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度76 ° C， 18瓦CW ， 50伏直流电，我
DQ
= 350毫安， 860兆赫
外壳温度80 ° C， 90瓦CW， 50伏直流电，我
DQ
= 350毫安， 860兆赫
价值
(2,3)
0.79
0.82
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2010--2011 。版权所有。
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 (2001--4000 V)
B（ 201--400 V）
四， （ >1000 V）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 50 mA时， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 350 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 0.5 ADC）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(1)
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
41
65.4
591
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
2.0
—
1.6
2.7
0.2
2.4
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
115
—
—
—
—
—
—
0.5
—
10
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（在飞思卡尔的DVB - T的窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350毫安， P
OUT
= 18瓦平均，
F = 860 MHz的DVB - T（ 8K OFDM）单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信道带宽@
±4
MHz偏移@ 4 kHz的带宽。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
21.0
27.5
—
—
22.0
28.5
--62.0
--14
24.0
—
--60.0
--9
dB
%
dBc的
dB
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
+
C1
R1
C2
C3
Z8
Z10
C8
C9
C10
V
供应
RF
输入
C4 R2
Z1
C5
C6
C7
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z9
Z12
Z13
Z14
Z15 Z16
Z17
C14
Z18
RF
产量
C15
DUT
Z11
C11
C12
C13
+
C16
C17
C18
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.266″
×
0.067 “微带
0.331″
×
0.067 “微带
0.598″
×
0.067 “微带
0.315″
×
0.276 “微带
0.054″
×
0.669 “微带
0.419″
×
0.669 “微带
0.256″
×
0.669 “微带
0.986″
×
0.071 “微带
0.201″
×
0.571 “微带
Z10, Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
1.292″
×
0.079 “微带
0.680″
×
0.571 “微带
0.132″
×
0.117 “微带
0.705″
×
0.117 “微带
0.159″
×
0.117 “微带
0.140″
×
0.067 “微带
0.077″
×
0.067 “微带
0.163″
×
0.067 “微带
图2. MRF6V3090NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的窄带测试电路原理图
表6. MRF6V3090NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的窄带测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C9, C17
C3, C5, C8, C14, C16
C4
C6
C7
C10, C18
C11, C15
C12
C13
R1
R2
PCB
描述
22
μF,
35 V钽电容器
10
μF,
50 V贴片电容
43 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
2.2 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
220
μF,
100V的电解电容器
7.5 pF的贴片电容
3.0 pF的贴片电容
0.7 pF的贴片电容
为10kΩ ， 1/4 W码片电阻
10
,
1/4 W贴片电阻
0.030″,
ε
r
= 3.5
产品型号
T491X226K035AT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B430JT500XT
ATC100B6R2BT500XT
ATC100B2R2JT500XT
ATC100B9R1CT500XT
EEVFK2A221M
ATC100B7R5CT500XT
ATC100B3R0CT500XT
ATC100B0R7BT500XT
CRCW120610KOJNEA
CRCW120610ROJNEA
RF--35
生产厂家
Kermet
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
松下 - ECG
ATC
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
Taconic的
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C10
C8
R1
C2
C3
C9
C4
R2
切出区
C15
C11
C5
C6
C7
MRF6V3090N
第0版
C12
C16
C17
C18
--
图3. MRF6V3090NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的窄带测试电路元件布局
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
--
C14
C13
典型特征
1000
C
国际空间站
24
23
G
ps
，功率增益（分贝）
C，电容（pF ）
22
21
20
19
18
17
50
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
η
D
G
ps
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
70
60
50
40
30
20
10
0
200
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
100
C
OSS
C
RSS
10
0
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫，V
GS
= 0伏
10
20
30
40
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
图4.电容与漏极 -
- 源电压
图5. CW功率增益和漏极效率
与输出功率（窄带测试电路）
25
24
23
G
ps
，功率增益（分贝）
22
21
20
19
18
17
V
DD
= 40 V
10 20 30 40
50 60
70 80 90 100 110 120 130 140 150
50 V
45 V
56
55
P
OUT
，输出功率（dBm ）
54
53
52
51
50
49
48
47
--6
--5
P3dB = 51.28 dBm的（ 134.3 W）
P2DB = 51.06 dBm的（ 127.6 W）
的P1dB = 50.7 dBm的（ 117.5 W）
理想
I
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
实际
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
--4
--3
--2
--1
0
1
2
3
4
P
in
输入功率（dBm ）
16
P
OUT
，输出功率（瓦）
图6.连续输出功率与输入功率
（窄带测试电路）
25
24
G
ps
，功率增益（分贝）
23
22
21
20
19
18
85_C
G
ps
T
C
= --30_C
图7. CW功率增益与输出功率
（窄带测试电路）
70
60
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
85_C
50
25_C
40
30
η
D
20
10
0
200
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
T
C
= --30_C
25_C
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
图8. CW功率增益和漏极效率与
输出功率（窄带测试电路）
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR5 MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6VP3091N
第1版， 12/2011
RF功率LDMOS晶体管
增强 - 模式横向的MOSFET
专为商业和工业的宽带应用
频率在470到860兆赫。设备适合于广播应用
应用程序。
典型性能（宽带参考电路） ： V
DD
= 50伏，
I
DQ
= 450毫安， 64 QAM ，输入信号PAR = 9.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
P
OUT
(W)
18魅力。
f
（兆赫）
470
650
860
G
ps
（ dB）的
21.8
21.6
21.7
η
D
(%)
31.0
26.4
27.6
产量
信号PAR
（ dB）的
7.9
8.4
7.1
IMD
肩
（ DBC）
--27.8
--37.6
--30.4
MRF6VP3091NR1
MRF6VP3091NR5
MRF6VP3091NBR1
MRF6VP3091NBR5
470-
-860兆赫， 90 W， 50 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
信号类型
DVB - T（ 8K OFDM ）
特点
能够处理10 ： 1 VSWR ，所有相位角， @ 50伏直流电， 860兆赫，
90瓦的连续输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部输入匹配的易用性
合格高达50伏的最大
DD
手术
优良的热稳定性
设备可用于单 - 端或在一个推 - 拉配置
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
225℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
R5后缀= 50单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
CASE 1486-
-03 ，风格1
TO -
WB- -270
-4
塑料
MRF6VP3091NR1(NR5)
CASE 1484-
-04 ，风格1
TO -
WB- -272
-4
塑料
MRF6VP3091NBR1(NBR5)
部分推挽
-PULL
门1
排水1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +115
--6.0, +10
--65到150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
门2
排水2
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度76 ° C， 18瓦CW ， 50伏直流电，我
DQ
= 350毫安， 860兆赫
外壳温度80 ° C， 90瓦CW， 50伏直流电，我
DQ
= 350毫安， 860兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.79
0.82
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2011。保留所有权利。
MRF6VP3091NR1
MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 (2001--4000 V)
B（ 201--400 V）
四， （ >1000 V）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 50 mA时， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 350 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 0.25 ADC）
动态特性
反向传输电容
(2)
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(2)
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(2)
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
41
65.4
591
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
2.0
—
1.6
2.7
0.2
2.4
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
115
—
—
—
—
—
—
0.5
—
10
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔单 - 端窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350毫安， P
OUT
= 18瓦平均，
F = 860 MHz的DVB - T（ 8K OFDM）单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信道带宽@
±4
MHz偏移@ 4 kHz的带宽。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.装置的每一侧分别测得。
2.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
21.0
27.5
—
—
22.0
28.5
--62.0
--14
24.0
—
--60.0
--9
dB
%
dBc的
dB
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
C1
R1
C2
C3
Z8
Z10
C4 R2
+
C8
C9
C10
V
供应
RF
输入
Z1
C5
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
DUT
Z9
Z12
Z13
Z14
Z15 Z16
Z17
C14
Z18
RF
产量
C6
C7
Z11
C15
C11
C12
C13
+
C16
C17
C18
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.266″
×
0.067 “微带
0.331″
×
0.067 “微带
0.598″
×
0.067 “微带
0.315″
×
0.276 “微带
0.054″
×
0.669 “微带
0.419″
×
0.669 “微带
0.256″
×
0.669 “微带
0.986″
×
0.071 “微带
0.201″
×
0.571 “微带
Z10, Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
1.292″
×
0.079 “微带
0.680″
×
0.571 “微带
0.132″
×
0.117 “微带
0.705″
×
0.117 “微带
0.159″
×
0.117 “微带
0.140″
×
0.067 “微带
0.077″
×
0.067 “微带
0.163″
×
0.067 “微带
图2. MRF6VP3091NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的单
-Ended窄带测试电路原理图
表6. MRF6VP3091NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的单
-Ended窄带测试电路组件标识和
值
部分
C1
C2, C9, C17
C3, C5, C8, C14, C16
C4
C6
C7
C10, C18
C11, C15
C12
C13
R1
R2
PCB
描述
22
μF,
35 V钽电容器
10
μF,
50 V贴片电容
43 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
2.2 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
220
μF,
100V的电解电容器
7.5 pF的贴片电容
3.0 pF的贴片电容
0.7 pF的贴片电容
为10kΩ ， 1/4 W码片电阻
10
,
1/4 W贴片电阻
0.030″,
ε
r
= 3.5
产品型号
T491X226K035AT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B430JT500XT
ATC100B6R2BT500XT
ATC100B2R2JT500XT
ATC100B9R1CT500XT
EEVFK2A221M
ATC100B7R5CT500XT
ATC100B3R0CT500XT
ATC100B0R7BT500XT
CRCW120610KOJNEA
CRCW120610ROJNEA
RF--35
生产厂家
Kermet
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
松下 - ECG
ATC
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
Taconic的
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C10
C8
R1
C2
C3
C9
C4
R2
切出区
C15
C11
C5
C6
C7
MRF6V3090N
第0版
C12
C16
C17
C18
--
图3. MRF6VP3091NR1 （ NBR1 ） 860 MHz的单
-Ended窄带测试电路元件布局
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
--
C14
C13
典型特征
1000
C
国际空间站
24
23
G
ps
，功率增益（分贝）
C，电容（pF ）
22
21
20
19
18
17
50
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
η
D
G
ps
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
70
60
50
40
30
20
10
0
200
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
100
C
OSS
C
RSS
10
0
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫，V
GS
= 0伏
10
20
30
40
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
图4.电容与漏极 -
- 源电压
图5. CW功率增益和漏极效率
与输出功率（单
-ENDED
窄带测试电路）
25
I
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
56
55
P
OUT
，输出功率（dBm ）
54
53
52
51
50
49
48
47
--6
--5
P3dB = 51.28 dBm的（ 134.3 W）
P2DB = 51.06 dBm的（ 127.6 W）
理想
24
23
G
ps
，功率增益（分贝）
22
21
20
19
18
17
16
4
的P1dB = 50.7 dBm的（ 117.5 W）
实际
50 V
45 V
V
DD
= 40 V
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
P
OUT
，输出功率（瓦）
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
--4
--3
--2
--1
0
1
2
3
P
in
输入功率（dBm ）
图6.连续输出功率与输入功率
（单
-Ended窄带测试电路）
25
24
G
ps
，功率增益（分贝）
23
22
21
20
19
18
85_C
G
ps
T
C
= --30_C
图7. CW功率增益与输出功率
（单
-Ended窄带测试电路）
70
60
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
85_C
50
25_C
40
30
η
D
20
10
0
200
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
T
C
= --30_C
25_C
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
图8. CW功率增益和漏极效率
与输出功率与温度
（单
-Ended窄带测试电路）
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6VP2600H
修订版5.1 ， 7/2010
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
主要用于宽带应用与频率高达500 MHz的设计。
设备是无法比拟的，适合于广播应用。
典型的DVB - T的OFDM性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 2600毫安，
P
OUT
= 125瓦的魅力。 ， F = 225 MHz的信道带宽= 7.61 MHz时，
输入信号PAR =上CCDF 9.3分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 25分贝
漏极效率 - 28.5 ％
ACPR @ 4 MHz偏移 - --61 dBc的@ 4 kHz带宽
典型的脉冲性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 2600毫安，
P
OUT
= 600瓦峰值， F = 225兆赫，脉冲宽度= 100
微秒，
税
周期= 20％
功率增益 - 25.3分贝
漏极效率 - 59 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 225兆赫， 600瓦峰值
功率，脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
CW作战能力具有足够的冷却
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
专为推 - 拉运
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF6VP2600HR6
2-
-500兆赫， 600 W， 50 V
横向N-
声道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 375D-
-05 ，风格1
NI-
-1230
部分是推挽
-PULL
RF
INA
/V
GSA
3
1 RF
OUTA
/V
DSA
RF
INB
/V
GSB
4
2 RF
OUTB
/V
DSB
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度99 ° C， 125瓦CW ， 225兆赫， 50伏直流电，我
DQ
= 2600毫安
外壳温度64 ° C， 610 W CW ， 352.2兆赫， 50伏直流电，我
DQ
= 150毫安
外壳温度81 ° C， 610 W CW ， 88--108兆赫， 50伏直流电，我
DQ
= 150毫安
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.20
0.14
0.16
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2008--2010 。版权所有。
MRF6VP2600HR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 150毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 800
μAdc ）
门静态电压
(2)
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 2600 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.7
101
287
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
1.5
—
1.65
2.7
0.25
3
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
50
2.5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(2)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 2600毫安，P
OUT
。 = 125瓦的魅力， F = 225兆赫， DVB - T的
OFDM单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信道带宽@
±4
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
ACPR
IRL
G
ps
η
D
IRL
24
27
—
—
—
—
—
25
28.5
--61
--18
22
68
--15
27
—
--59
--9
—
—
—
dB
%
dBc的
dB
dB
%
dB
典型表现 - 352.2兆赫
（飞思卡尔352.2 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 600瓦CW
典型性能 - 88-
-108兆赫
（飞思卡尔88--108 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 600 W
CW
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
1.装置的每一侧分别测得。
2.测量取得与设备推 - 拉配置。
G
ps
η
D
IRL
—
—
—
24.5
74
--5
—
—
—
dB
%
dB
MRF6VP2600HR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
C16
+
C15
+
B1
L3
L2
R1
L4
+
C20
C21
C22
C23
+
V
供应
+
C14
C13
C12
C11
C9
C8
C7
C10
C6
C19
C17
C18
C24 C25
Z9
Z5
RF
输入
Z1
Z2
L1
Z3
Z4
J1
C1
C2
T1
Z1
Z2*
Z3*
Z4
Z5, Z6
Z7, Z8
Z9, Z10
Z11, Z12
1.049 “× 0.080 ”微带
0.143 “× 0.080 ”微带
0.188 “× 0.080 ”微带
0.192 “× 0.133 ”微带
0.418 “× 0.193 ”微带
0.217 “× 0.518 ”微带
0.200 “× 0.518 ”微带
0.375 “× 0.214 ”微带
Z13, Z14
Z15*, Z16*
Z17, Z18
Z19
Z20
PCB
Z6
Z8
Z7
Z11 Z13
Z15
Z17
RF
产量
DUT
Z10 Z12 Z14
Z19
C3
Z16
C4
Z18
T2
J2
Z20
C5
0.224 “× 0.253 ”微带
0.095 “× 0.253 ”微带
0.052 “× 0.253 ”微带
0.053 “× 0.080 ”微带
1.062 “× 0.080 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300--55--22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
*线路长度包括微带弯曲
图2. MRF6VP2600HR6测试电路原理图
表5. MRF6VP2600HR6测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2, C4
C3
C5
C6, C9
C7, C13, C20
C8
C10, C17, C18
C11, C22
C12, C21
C14
C15
C16
C19
C23, C24, C25
J1, J2
L1
L2
L3
L4*
R1
T1
T2
描述
95
,
100 MHz的龙铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容
43 pF的贴片电容
100 pF的电容芯片
10 pF的贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
10K pF的贴片电容
220 nF的， 50 V贴片电容
1000 pF的贴片电容
0.1
μF,
50 V贴片电容
20K pF的贴片电容
10
μF,
35 V钽电容器
22
μF,
35 V钽电容器
47
μF,
50 V电解电容
2.2
μF,
贴片电容
470
μF
63V电解电容器
从PCB跳线T1 T2 &
17.5 NH， 6匝电感器，
8打开， ＃ 20 AWG ID = 0.125 “电感，手上有伤口
82 NH，电感器
9打开， ＃ 18 AWG电感，手上有伤口
20
,
3 W轴向引线电阻器
平衡不平衡转换器
平衡不平衡转换器
产品型号
2743021447
ATC100B470JT500XT
ATC100B430JT500XT
ATC100B101JT500XT
ATC100B7R5CT500XT
C1825C225J5RAC
ATC200B103KT50XT
C1812C224J5RAC
ATC100B102JT50XT
CDR33BX104AKYS
ATC200B203KT50XT
T491D106K035AT
T491X226K035AT
476KXM050M
2225X7R225KT3AB
MCGPR63V477M13X26--RH
铜箔
B06T
铜线
1812SMS--82NJ
铜线
5093NW20R00J
TUI--9
TUO--4
日前，Vishay
通讯概念
通讯概念
Coilcraft公司
Coilcraft公司
生产厂家
博览会 - 爱色丽
ATC
ATC
ATC
ATC
基美
ATC
基美
ATC
基美
ATC
基美
基美
伊利诺伊帽
ATC
MULTICOMP
* L4缠绕在R1中。
MRF6VP2600HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
B1
C16
+
C13
C12
C11
C15
L3
L4，R1 *
C22
C21
C20
C14
C9
C8
C7
C6
J1
切出区
L2
C10
T1
C18
C17
T2
C4
J2
C19
C1
L1
C2
C3 （侧面）
MRF6VP2600H
225兆赫
第3版
*
L4缠绕在R1中。
图3. MRF6VP2600HR6测试电路元件布局
MRF6VP2600HR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
--
C23
C24
--
C25
--
C5
典型特征
1000
C
国际空间站
C，电容（pF ）
C
OSS
100
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 200_C
T
J
= 150_C
10
T
J
= 175_C
100
10
C
RSS
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
1
1
T
C
= 25_C
10
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
100
注意：
设备的每一侧分别测得。
图4.电容与漏极 -
- 源电压
26.5
26
G
ps
，功率增益（分贝）
25.5
25
24.5
24
23.5
23
22.5
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 2600毫安
F = 225 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
G
ps
80
70
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
P
OUT
，输出功率（dBm ）
60
50
η
D
40
30
20
10
0
1000
64
注意：
设备的每一侧分别测得。
图5.直流安全工作区
P3dB = 59.7 dBm的（ 938 W）
62
P2DB = 59.1 dBm的（ 827 W）
60
58
56
54
52
27
的P1dB = 53.3 dBm的（ 670 W）
理想
实际
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 2600毫安， F = 225 MHz的
脉冲宽度= 12
微秒，
占空比= 1 ％
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
P
in
输入功率（dBm ）
图6.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
26
25
G
ps
，功率增益（分贝）
50 V
24
23
22
21
0
40 V
V
DD
= 50伏直流
I
DQ
= 2600毫安
F = 225 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
100
200
300
35 V
V
DD
= 30 V
400
500
600
700
45 V
G
ps
，功率增益（分贝）
28
27
26
25
24
23
22
21
10
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
80
T
C
= --30_C
25_C
85_C
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 2600毫安
F = 225 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
η
D
G
ps
70
60
50
40
30
20
10
1000
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
图8.脉冲功率增益与
输出功率
图9.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
MRF6VP2600HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
