飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF5S4140H
第2版， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店从400到500兆赫。高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器的应用
系统蒸发散在28伏基站设备。
典型的单载波N - CDMA性能@ 465 MHz的： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1250毫安，P
OUT
。 = 28瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 13 ） 。信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 21分贝
漏极效率 - 30 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 47.6 dBc的30 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 465兆赫， 140瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
较低的镀金厚度上信息， 40
μ
″
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF5S4140HR3
MRF5S4140HSR3
465兆赫， 28瓦平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF5S4140HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF5S4140HSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
427
2.4
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度73 ° C， 140瓦特CW
外壳温度74 ° C， 28瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.41
0.47
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器来
按产品访问MTTF计算器。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 400
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1250 MADC ，测量功能测试）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.42 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
2.3
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
0.1
—
3
4
0.2
6.2
4
5
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1250毫安，P
OUT
= 28瓦的魅力。 N - CDMA ，
F = 465 MHz的单 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
千赫
抵消。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
20
28.5
—
—
21
30
- 47.6
- 14
23
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B2
V
BIAS
+
+
C18
C8
B1
Z9
Z10
RF
输入
Z1
C1
C2
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
C4
C5
C6
DUT
Z2
C3
Z3
R1
Z4
Z5
Z6
Z7
C7
Z8
C9
C10
C11
C12
Z11
Z12
Z13 Z14
Z15
Z16
L1
C16 C17
C19
+
C20
+
C21
+
C22
V
供应
Z17
C14
C13
Z18
Z19
RF
产量
C15
0.402 “× 0.080 ”微带
1.266 “× 0.080 ”微带
0.211 “× 0.220 ”微带
0.139 “× 0.220 ”微带
0.239 “× 0.220 ”微带
0.040 “× 0.640 ”微带
0.080 “× 0.640 ”微带
0.276 “× 0.640 ”微带
1.000 “× 0.226 ”微带
0.498 “× 0.630 ”微带
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
Z19
PCB
0.125 “× 0.220 ”微带
0.324 “× 0.220 ”微带
0.050 “× 0.220 ”微带
0.171 “× 0.080 ”微带
0.377 “× 0.080 ”微带
0.358 “× 0.080 ”微带
0.361 “× 0.080 ”微带
0.131 “× 0.080 ”微带
0.277 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX - 0300- 55- 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5S4140HR3 （ SR3 ）测试电路原理图 - 460 - 470兆赫
表5. MRF5S4140HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值 - 460 - 470兆赫
部分
B1, B2
C1, C14
C2, C13
C3
C4
C5
C6, C7
C8
C9, C10
C11
C12
C15
C16
C17
C18, C19, C20, C21
C22
L1
R1
描述
铁氧体磁珠，短
120 pF的贴片电容
0.8- 8.0 pF的可变电容器， Gigatrim
18 pF的贴片电容
30 pF的贴片电容
24 pF的贴片电容
13 pF的贴片电容
0.02
μF,
50 V贴片电容
22 pF的贴片电容
1.0 pF的贴片电容
5.6 pF的电容芯片
1.5 pF的贴片电容
47 pF的贴片电容
0.56
μF,
50 V贴片电容
10
μF,
35 V片式钽电容器
470
μF,
63 V电解电容
39 nH的电感器
100
Ω,
1/4 W贴片电阻（ 1210 ）
产品型号
2743019447
100B121JP500X
27291SL
100B180JP500X
100B300JP500X
100B240JP500X
100B130JP500X
200B203MW50B
100B220JP500X
100B1R0JP500X
100B5R6JP500X
100B1R5JP500X
100B47JP500X
C1825C564J5GAC
T491D106K035AS
SME63V471M12X25LL
1812SMS- 39N
生产厂家
Fair-仪式
ATC
约翰森
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
基美
基美
美贵弥功 - 精读
Coilcraft公司
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C18
C22
+
B2
C8
450兆赫
第0版
版本。 B
C19 C20 C21
C17
C7
C1
C3
C16
R1
C4
切出区
L1
C10
C11
C12
C13
C14
C15
B1
C9
C2
C5 C6
图2. MRF5S4140HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局 - 460 - 470兆赫
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征 - 460 - 470兆赫
21.5
21
20.5
G
ps
，功率增益（分贝）
20
19.5
19
18.5
18
17.5
17
16.5
16
430
440
450
460
470
480
男，频率（MHz）
ALT1
η
D
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 28 W（平均）。
I
DQ
= 1250毫安，N -CDMA IS- 95
（先导，同步，寻呼，交通守则
8到13）的
ACPR
IRL
G
ps
38
35
32
29
26
40
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
45
50
55
60
65
70
490
η
D
，沥干
效率（％）
1
3
5
7
9
11
13
η
D
，沥干
效率（％）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
1250毫安
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
400
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
1850毫安
30
35
40
45
950毫安
I
DQ
= 650毫安
2
4
6
8
10
12
14
1550毫安
图3.单 - 载波N - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 28瓦的魅力。
20.8
20.3
19.8
G
ps
，功率增益（分贝）
19.3
18.8
18.3
17.8
17.3
16.8
16.3
15.8
430
440
450
460
470
480
男，频率（MHz）
ALT1
IRL
η
D
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 56 W（平均）。
I
DQ
= 1250毫安，N -CDMA IS- 95
（先导，同步，寻呼，交通守则
8到13）的
ACPR
G
ps
55
50
45
40
35
35
40
45
50
55
60
490
图4.单 - 载波N - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 56瓦的魅力。
23
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 1850毫安
22
G
ps
，功率增益（分贝）
21
20
19
18
17
6
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
400
1550毫安
1250毫安
950毫安
650毫安
10
15
20
25
V
DD
= 28伏直流， F1 = 465兆赫， F2 = 467.5兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
V
DD
= 28伏直流， F1 = 465兆赫， F2 = 467.5兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
10
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
