TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
产品speci fi cation
双向可控硅4A
概述
T435-600BTR
可无论是通孔或表面贴装封装, T435 - 600BTR三端双向可控硅系列
适用于一般用途的交流开关。它们可以用作一个开/关功能的应用
如静态继电器,加热调节,感应电动机起动电路...或相位控制
在调光器的操作,电机速度控制器, ...
在无缓冲器的版本( T4系列)是专门推荐用于使用
感性负载,由于其较高的换向性能。通过使用内部陶瓷垫,
绝对最大额定值( TA = 25℃ )
参数
重复峰值断态电压
峰值断态反向电压
RMS通态电流
通态电流非重复性峰值
马克斯。工作结温
储存温度
符号
V
DRM
V
RRM
I
T
I
TSM
T
j
T
英镑
价值
600
600
4.0
30
110
-45~150
O
O
单位
V
V
A
A
o
C
C
TO-252
o
电气特性(TA = 25℃ )
参数
重复峰值断态
电压
重复峰值断态
当前
通态电压
保持电流
T2+G+
门极触发
当前
T2+G-
T2-G-
T2-G+
T2+G+
门极触发
电压
T2+G-
T2-G-
T2-G+
符号
测试条件
I
D
=0.1mA
V
DRM
=520V
I
T
5.5A = TP = 380
μ
s
I
T
=0.1A,I
GT
=20mA
分钟。
600
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
—
10
1.60
35
35
35
35
50
1.3
1.3
1.3
1.3
V
单位
V
uA
V
mA
V
DRM
I
DRM
V
TM
I
H
I
GT
V
AK
=12V
,
R
L
=100
Ω
mA
V
GT
V
D
=12V
,
R
L
=100
Ω
T4系列
表3 :绝对最大额定值
符号
I
T( RMS )
参数
RMS通态电流(全正弦波
波)
IPAK / DPAK /
TO-220AB
T
c
= 110°C
价值
4
30
31
5.1
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
50
4
1
- 40 + 150
- 40至+ 125
单位
A
ISOWATT220AB牛逼
c
= 105°C
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
A
A
s
A / μs的
A
W
°C
I
TSM
I
t
的di / dt
I
GM
P
G( AV )
T
英镑
T
j
不重复浪涌峰值通态F = 50赫兹
电流(完整周期,T
j
初始= 25 ° C) F = 60 Hz的
I
为融合吨价
对国家崛起的临界电流率
我租
G
= 2×我
GT
, t
r
≤
100纳秒
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
t
p
= 10毫秒
F = 120赫兹
t
p
= 20 s
表4 :电气特性
(T
j
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
I
GT
(1)
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
的dV / dt (2)
测试条件
V
D
= 12 V R
L
= 30
V
D
= V
DRM
R
L
= 3.3 k
T
j
= 125°C
I
T
= 100毫安
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67 %V
DRM
门打开
T
j
= 125°C
(的dV / dt ) c = 0.1 V / μs的
( di / dt的)C ( 2 ) (的dV / dt ) c = 10 V / μs的
无缓冲
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
分钟。
I - III
II
象限
I - II - III
I - II - III
I - II - III
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
10
10
15
20
1.8
0.9
-
T4
T405
5
T410
10
1.3
0.2
T435
35
单位
mA
V
V
15
25
30
40
2.7
2.0
-
35
50
60
400
-
-
2.5
mA
mA
V / μs的
A / MS
注1 :
我最小
GT
被guaranted在我5%
GT
马克斯。
注2 :
为A2的两极参考A1 。
2/10
T4系列
图7 :通态不重复浪涌峰值
电流的正弦脉冲宽度t
p
& LT ; 10毫秒
和我对应的值
2
t
I
TSM
(A ) ,我T(A S)
500
T
j
initial=25°C
di / dt的限制:
50A/s
I
TSM
2
2
图8 :门极触发的相对变化
当前,保持电流和电流闭锁
对结点温度(典型值)的
I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
] / I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
=25°C]
2.5
2.0
I
GT
100
1.5
I
H
&放大器;我
L
10
I
2
t
1.0
0.5
t
p
(女士)
1
0.01
0.10
1.00
10.00
T
j
(°C)
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
图9:爆击率的相对变化
下降主要与当前(的dV / dt )的c
(典型值)
( di / dt的) C [ (的dV / dt ) C] /指定的( di / dt的)C
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
T405
T410
T435
图10:爆击率的相对变化
减少主电流与结
温度
( di / dt的)C [T
j
] / ( di / dt的)C [T
j
指定]
6
5
4
3
2
1
(的dV / dt )C (V / μs)内
0
0
25
50
T
j
(°C)
75
100
125
图11 : DPAK封装热阻结到
环境与选项卡下的铜表面(印
电路板FR4 ,铜厚度: 35微米)
R
号(j -a)的
( ° C / W)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
S(平方厘米)
5/10