tm
针
CLK
TE
CH
T431616C
引脚说明
名字
系统时钟
芯片选择
输入功能
活跃在正边沿采样所有的输入。
禁用或屏蔽，或使所有的输入使能设备操作
除了CLK ， CKE和L （ U） DQM
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CS
CKE
时钟使能
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
A0 A10 / AP
BA
地址
银行选择地址
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA10 ，列地址： CA0 CA7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
选择银行进行读/中列地址锁存器的时间写。
锁存行地址在CLK的正边沿
RAS
行地址选通
同
RAS
低。
让行存取&预充电。
锁存列地址在CLK的正边沿
CAS
列地址选通
同
CAS
低。
启用列的访问。
WE
L（ U） DQM
DQ0 DQ15
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
写使能
数据输入/输出
面膜
数据输入/输出
允许写操作和行预充电。
数据锁存从开始
CAS
,
WE
活跃的。
使得数据输出高阻，
t
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时， L（ U） DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
电源/接地
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
数据输出
电源/接地
No
连接/保留
供将来使用
对于输出缓冲，以提供分离的电源和接地
增强抗干扰性。
该引脚建议留在设备上的连接。
N.C / RFU
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P. 4
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：八月2004年
修订版：A
tm
参数
TE
CH
T431616C
绝对最大额定值
符号
V
IN
,V
OUT
V
DD
,V
DDQ
IOUT
P
D
TOPR
TSTG
价值
-1.0到4.6
-1.0到4.6
50
1
0至+70
-55到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
注意：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0至+70
°
C，电压参考V
SS
=0V)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出逻辑高电平
输出逻辑低电压
输入漏电流
输出漏电流
符号
V
DD
,V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
分钟。
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-5
-5
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
-
马克斯。
3.6
V
DD
+0.3V
0.8
-
0.4
5
5
单位
V
V
V
V
V
uA
uA
1
2
I
OH
=-2mA
I
OL
=2mA
3
4
笔记
注意：
1. V
IH
（ MAX）= 4.6V AC脉冲宽度
≤
10ns的接受。
2. V
IL
（分钟） = -1.0V交流脉冲宽度
≤
10ns的接受。
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DD
+ 0.3V ，所有其他引脚都没有被测= 0V 。
4.状态DOUT =禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DD .
电容
(T
A
=25
°C
,V
DD
= 3.3V ， F = 1MHz的）
针
时钟
地址
DQ0 DQ15
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE ， LDQM ，
UDQM
符号
C
CLK
C
添加
C
OUT
C
IN
民
2.5
2.5
3.0
2.5
最大
4.0
4.0
5.0
4.0
单位
pF
pF
pF
pF
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改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：八月2004年
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