【tmTECH初步T4312816ASDRAM特点3.3V电源四家银行的操作LVTTL与复用地址兼容所】,IC型号T4312816A,T4312816A PDF资料,T4312816A经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步T4312816A

SDRAM

特点

3.3V电源

四家银行的操作

LVTTL与复用地址兼容

所有的输入进行采样，正持续

系统时钟的边沿

突发读取单位写操作

DQM用于屏蔽

自动刷新和自刷新

64ms的刷新周期（ 4K周期）

MRS周期与解决关键程序

- CAS延迟（ 2 & 3 ）

- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）

- 突发类型（顺序&交错）

在54引脚TSOP封装可供类型（ II ）

工作温度： 0 + 70

°C

8M ×16 SDRAM

2米x 16位X 4Banks同步DRAM

GRNERAL描述

该

T4312816A

134,217,728

位

同步高数据速率动态RAM

16位组织成4× 2,097,152字，

装配式

技术。

同步设计，可以精确控制周期

通过使用系统时钟的I / O事务都

可能在每个clockcycle 。经营范围

频率，可编程的突发长度和

可编程延迟允许在同一个设备到

对于各种高带宽是有用的，高

高性能内存系统的应用程序。

同

高

性能

CMOS

订购信息

产品型号

最大

频率

温度

管脚配置（顶

VIEW ）

5 4 P在T S 0 P（ II ）

（4 0 0米金正日×8 7 5米IL ）

（ 0 0.8米米P IN P IT CH）

V SS

问题15

SSQ

DQ0

T4312816A-6S

T4312816A-7S

T4312816A-7.5S

T4312816A-8S

T4312816A-10S

166兆赫

143兆赫

133兆赫

125兆赫

100兆赫

0 ~ +70°C

DDQ

DQ1

DQ2

SSQ

问题14

Q 13

DDQ

DQ3

DQ4

DDQ

Q 12

Q 11

SSQ

DQ1

DQ9

DDQ

DQ5

DQ6

SSQ

DQ7

DQ8

V SS

。C / RF ü

UDQM

CLK

CKE

A 11

V SS

LD Q·M·

宽E

CAS

RAS

BA0

BA1

A 1 0 / A P

TM科技公司保留权利

P. 1

改变产品或规格，恕不另行通知。

出版日期：四月2003

修订： 0.B

初步T4312816A

框图

I / O控制

BANK SELECT

ATA R输入egister

2M ×16

行解码器

排BUFFEER

刷新计数器

感觉AM P

输出缓冲器

齐

地址寄存器

一个DD

LCBR

LRAS

蒂姆·荷兰国际集团注册

上校缓冲区

olum N D ecoder

延迟&突发长度

节目米ING egister

为r

c以

L（ U）二维量子力学

TM科技公司保留权利

P. 2

改变产品或规格，恕不另行通知。

出版日期：四月2003

修订： 0.B

针

CLK

初步T4312816A

引脚说明

名字

系统时钟

芯片选择

输入功能

活跃在正边沿采样所有的输入。

禁用或屏蔽，或使所有的输入使能设备操作

除了CLK ， CKE和L （ U） DQM

面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。

CKE

时钟使能

CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。

禁止输入缓冲器的电源关闭待机。

A0 ~ A11

BA0 BA1

地址

银行选择地址

行/列地址被复用在相同的针。

行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA8

选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。

选择银行进行读/中列地址锁存器的时间写。

锁存行地址在CLK的正边沿

RAS

行地址选通

同

RAS

低。

让行存取&预充电。

锁存列地址在CLK的正边沿

CAS

列地址选通

同

CAS

低。

启用列的访问。

L（ U） DQM

DQ0 DQ15

DDQ

SSQ

写使能

数据输入/输出

面膜

数据输入/输出

允许写操作和行预充电。

数据锁存从开始

CAS

活跃的。

使得数据输出高阻，

SHZ

后的时钟和掩模的输出。

块中的数据输入时， L（ U） DQM活跃。

数据输入/输出复用在相同的针。

电源/接地

电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。

数据输出

电源/接地

连接/保留

供将来使用

对于输出缓冲，以提供分离的电源和接地

增强抗干扰性。

该引脚建议留在设备上的连接。

N.C / RFU

TM科技公司保留权利

P. 3

改变产品或规格，恕不另行通知。

出版日期：四月2003

修订： 0.B

参数

初步T4312816A

绝对最大额定值

符号

OUT

DDQ

IOUT

TOPR

TSTG

价值

-1.0到4.6

0至+70

-55到+150

单位

°C

任何引脚相对于VSS的电压

电源电压相对于Vss

短路输出电流

功耗

工作温度

储存温度

注意：

如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。

功能操作应仅限于推荐工作条件。

暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。

建议的直流工作条件

= 0至+70

，电压参考V

=0V)

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

输出逻辑高电平

输出逻辑低电压

输入漏电流

输出漏电流

符号

DDQ

分钟。

3.0

2.0

-0.3

2.4

-1

-1.5

典型值

3.3

3.0

马克斯。

3.6

+0.3V

0.8

0.4

1.5

单位

=-4mA

=4mA

笔记

注意：

1.任何输入0V

≤

+ 0.3V ，所有其他引脚都没有被测= 0V 。

2.状态DOUT =禁用， 0V

≤

OUT

≤

DD .

电容

=25

°C

= 3.3V ， F = 1MHz的）

针

时钟

地址

DQ0 DQ15

RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE ， LDQM ，

UDQM

符号

CLK

添加

OUT

民

2.5

4.0

2.5

最大

4.0

5.0

6.5

5.0

单位

TM科技公司保留权利

P. 4

改变产品或规格，恕不另行通知。

出版日期：四月2003

修订： 0.B

初步T4312816A

DC特性

= 0至70

°C

, V

（分钟） / V

(max)=2.0V/0.8V

参数

工作电流

（一银行活动）

符号

-6

CC1

极速版

-7

-7.5

-8

-10

突发长度= 1

单位

测试条件

记

140 120 115 110 100毫安

150 130 125 120 110

≥

（分钟），

≥

（分钟），我

= 0毫安

CKE

≤

（最大），

=15ns

1,3

预充电待机我

CC2

目前在加电

CC2

Down模式

预充电待机

目前在非

掉电模式

CC2

主动待机

CC3

目前在加电

CC3

Down模式

主动待机

CC3

目前在非

掉电模式

（一银行活动）I

CC3

工作电流

（突发模式）

刷新当前

自刷新

当前

CC4

CKE

≤

（最大）时，CLK

≤

（最大），

∞

CKE

≥

（ MIN）

≥

（ MIN）

=15ns

输入信号时为30ns一次改变

CKE

≥

（分钟）， CLK

≤

（ MIN）

∞

输入信号是稳定的

CKE

≤

VIL（ max）的

=15ns

CKE

≤

（最大）时，CLK

≤

（最大），

∞

CKE

≥

（ MIN）

≥

（ MIN）

=15ns

输入信号时为30ns一次改变

CKE

≥

（分钟）， CLK

≤

（ MIN）

∞

输入信号是稳定的

CAS延迟3

= 0 mA时，突发页

所有带激活

CAS延迟时间2

1,3

CCD

（分钟）

2,3

CC5

CC6

150 130 125 120 110毫安吨

≥

（分钟）

CKE

≤

0.2V

注意：

1.测量与产出开放。地址改变时仅一次

（分钟）

2.刷新周期是64毫秒。地址改变时仅一次

（分钟）

：时钟周期。

：行周期时间。

CCD

：列地址到列地址的延迟时间。

TM科技公司保留权利

P. 5

改变产品或规格，恕不另行通知。

出版日期：四月2003

修订： 0.B