T4系列
双向可控硅4A
S
无缓冲器 &逻辑电平
主要特点：
符号
I
T（ RMS ）
V
DRM
/V
RRM
I
GTT （Q
1
)
价值
4
600至800
5至35
单位
A
V
A2
G
A2
A1
A2
mA
A1
A2
G
A1
A2
G
描述
基于ST的无缓冲器/逻辑电平技
GY提供高减刑演出，
T4系列适用于交流感性负载使用。
他们建议使用应用程序
通用电动机，电磁阀....如厨房
辅助设备，电动工具，洗碗机， ...
可在一个完全绝缘封装，
T4 ... - ... W版本符合UL标准（参考文献。
E81734).
DPAK
(T4-B)
IPAK
(T4-H)
A2
A1
A2
G
A1
A2
G
TO-220AB
(T4-T)
ISOWATT 220AB
(T4-W)
绝对最大额定值
符号
I
T（ RMS ）
参数
通态电流（全正弦波）的RMS
DPAK / IPAK
TO-220AB
ISOWATT 220AB
I
TSM
不重复浪涌峰值通态
电流（完整周期， TJ初始= 25°C ）
I
为融合吨价
通态电流临界上升率
I
G
= 2×我
GT
， TR
≤
100纳秒
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
F = 50赫兹
F = 60赫兹
TC = 110℃
4
TC = 105℃
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
30
31
5.1
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
50
4
1
- 40 + 150
- 40至+ 125
A
s
A / μs的
A
W
°C
A
价值
单位
A
I
t
的di / dt
I
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
TP = 10毫秒
F = 120赫兹
TP = 20微秒
2003年6月 - 埃德： 5
1/8
T4系列
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
测试条件
象限
T405
I
GT
(1)
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
的dV / dt （2）
V
D
= 12 V
R
L
= 30
I - II - III
I - II - III
I - II - III
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
I - III
II
V
D
= 67 %V
DRM
门敞开着TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
（的dV / dt ） c = 10 V / μs的
无缓冲
分钟。
分钟。
（的dI / dt的）C（ 2）（的dV / dt ）C = 0.1V / μs的
马克斯。
10
10
15
20
1.8
0.9
-
5
T4
T410
10
1.3
0.2
15
25
30
40
2.7
2.0
-
35
50
60
400
-
-
2.5
V / μs的
A / MS
T435
35
mA
V
V
mA
mA
单位
V
D
= V
DRM
R
L
= 33 k
TJ = 125°C
I
T
= 100毫安
I
G
= 1.2 I
GT
静态特性
符号
V
TM
(2)
V
to
(2)
R
d
(2)
I
DRM
I
RRM
注1 ：
最小的IGT是guaranted在IGT的最大值的5％。
注2 ：
为A2的两极参考A1
测试条件
I
TM
= 5.5 A
TP = 380微秒
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
价值
1.6
0.9
120
5
1
单位
V
V
m
A
mA
阈值电压
动态电阻
V
DRM
= V
RRM
热阻
符号
R
日（J -C ）
结到外壳（ AC）
参数
DPAK
IPAK
TO-220AB
ISOWATT220AB
R
号（j -a）的
结到环境
S = 0.5厘米
DPAK
TO-220AB
ISOWATT220AB
IPAK
选项卡下的S =铜表面
价值
2.6
4.0
70
60
100
单位
° C / W
° C / W
2/8
T
T4系列
图。 1 ：
最大功耗与RMS
通态电流（完全周期） 。
P（ W）的
6
5
4
3
2
1
0
0.0
0.5
1.0
图。 2-1 ：
通态电流的情况下与温RMS
perature （全循环）。
IT （ RMS ） （A ）
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
TO-220AB/DPAK/IPAK
ISOWATT220AB
IT （ RMS ） （A ）
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
TC （ ℃）
0
25
50
75
100
125
图。 2-2 ：
通态电流有效值与环境
温度（印刷电路FR4，铜厚
内斯：为35μm ） ，完整的周期。
IT （ RMS ） （A ）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
DPAK
(S=0.5cm)
图。 3 ：
热阻抗的相对变化
与脉冲持续时间。
K = [第Z / Rth的]
1E+0
RTH （J -C ）
ISOWATT220AB
TO-220AB/DPAK/IPAK
Rth的第（j-一）
1E-1
DPAK / IPAK
TO-220AB/ISOWATT220AB
TAMB （ ° C）
0
25
50
75
100
125
1E-2
1E-2
1E-1
TP （多个）
1E+0
1E+1
1E+2
5E+2
图。 4 ：
门极触发电流的相对变化，
保持电流和闭锁电流对
结温度（典型值）。
IGT ，IH， IL [ TJ ] / IGT ，IH， IL 〔环境温度为25 ℃]
2.5
2.0
1.5
IH & IL
IGT
图。 5 ：
浪涌峰值通态电流 -
周期数。
ITSM （ A）
35
30
25
20
15
10
重复
Tc=110°C
不重复
TJ初始= 25°C
t=20ms
一个周期
1.0
0.5
TJ （ ° C）
5
周期数
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1
10
100
1000
4/8
T4系列
图。 6 ：
非重复浪涌峰值通态
电流的正弦脉冲宽度
TP < 10毫秒，而I了相应的价值。
ITSM （ A） ， I了（ As ）
500
TJ初始= 25°C
di / dt的限制：
50A/s
ITSM
图。 7 ：
值）。
导通状态
特征
（最大
ITM （ A）
30.0
10.0
TJ = Tj最高。
100
10
TP（ ms）的
1
0.01
0.10
1.00
1.0
I了
VTM （ V）
10.00
TJ最大：
VTO = 0.90 V
RD = 120毫欧
0.1
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
图。 8 ：
临界速度的相对变化
下降主要与当前（的dV / dt ）的C （典型值
值）。
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
图。 9 ：
临界速度的相对变化
减少主电流与结
温度。
（ di / dt的） C [ TJ ] / （ di / dt的） C [ TJ指定]
6
5
4
T435
3
2
1
TJ （ ° C）
100.0
T410
T405
（的dV / dt ）C （V / μs）内
1.0
10.0
0
0
25
50
75
100
125
图。 10 ：
DPAK热阻结到
环境与选项卡下的铜表面（印
电路板FR4 ，铜厚度为35μm ） 。
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
DPAK
S（平方厘米）
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
5/8
T4系列
表3 ：绝对最大额定值
符号
I
T（ RMS ）
参数
RMS通态电流（全正弦波
波）
IPAK / DPAK /
TO-220AB
T
c
= 110°C
价值
4
30
31
5.1
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
50
4
1
- 40 + 150
- 40至+ 125
单位
A
ISOWATT220AB牛逼
c
= 105°C
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
A
A
s
A / μs的
A
W
°C
I
TSM
I
t
的di / dt
I
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
不重复浪涌峰值通态F = 50赫兹
电流（完整周期，T
j
初始= 25 ° C） F = 60 Hz的
I
为融合吨价
对国家崛起的临界电流率
我租
G
= 2×我
GT
, t
r
≤
100纳秒
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
t
p
= 10毫秒
F = 120赫兹
t
p
= 20 s
表4 ：电气特性
(T
j
= 25 ° C，除非另有规定编）
符号
I
GT
(1)
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
的dV / dt （2）
测试条件
V
D
= 12 V R
L
= 30
V
D
= V
DRM
R
L
= 3.3 k
T
j
= 125°C
I
T
= 100毫安
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67 %V
DRM
门打开
T
j
= 125°C
（的dV / dt ） c = 0.1 V / μs的
（ di / dt的）C （ 2 ） （的dV / dt ） c = 10 V / μs的
无缓冲
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
分钟。
I - III
II
象限
I - II - III
I - II - III
I - II - III
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
10
10
15
20
1.8
0.9
-
T4
T405
5
T410
10
1.3
0.2
T435
35
单位
mA
V
V
15
25
30
40
2.7
2.0
-
35
50
60
400
-
-
2.5
mA
mA
V / μs的
A / MS
注1 ：
我最小
GT
被guaranted在我5％
GT
马克斯。
注2 ：
为A2的两极参考A1 。
2/10
T4系列
图7 ：通态不重复浪涌峰值
电流的正弦脉冲宽度t
p
＆ LT ; 10毫秒
和我对应的值
2
t
I
TSM
（A ） ，我T（A S）
500
T
j
initial=25°C
di / dt的限制：
50A/s
I
TSM
2
2
图8 ：门极触发的相对变化
当前，保持电流和电流闭锁
对结点温度（典型值）的
I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
] / I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
=25°C]
2.5
2.0
I
GT
100
1.5
I
H
＆放大器;我
L
10
I
2
t
1.0
0.5
t
p
（女士）
1
0.01
0.10
1.00
10.00
T
j
(°C)
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
图9：爆击率的相对变化
下降主要与当前（的dV / dt ）的c
（典型值）
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
T405
T410
T435
图10：爆击率的相对变化
减少主电流与结
温度
（ di / dt的）C [T
j
] / （ di / dt的）C [T
j
指定]
6
5
4
3
2
1
（的dV / dt ）C （V / μs）内
0
0
25
50
T
j
(°C)
75
100
125
图11 ： DPAK封装热阻结到
环境与选项卡下的铜表面（印
电路板FR4 ，铜厚度： 35微米）
R
号（j -a）的
（ ° C / W）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
S（平方厘米）
5/10
TP4A60S
敏感
门
TRIAC
特点
重复峰值断态电压： 600V
◆
R.M.S通态电流（I
T（ RMS ）
= 4 A )
◆
符号
○
2.T2
▼
▲
○
3.Gate
1.T1
○
概述
此装置适用于直接耦合到的TTL ， HTL ，CMOS
和应用程序，如各种逻辑功能，低功耗
交流开关应用，如风扇转速，小光
控制器和家电设备。
TO-220
该器件可以取代T410-600T 。
1 2
3
绝对最大额定值
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
G（ AV ）
P
GM
I
GM
T
J
T
英镑
（ TJ = 25 ° C除非另有specifed ）
条件
由于波， 50至60赫兹
T
j
=
125
°C,
全正弦波
一个周期为50Hz / 60Hz的，山顶，
不重复
参数
重复峰值断态电压
R.M.S通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
平均门功耗
栅极峰值功耗
栅极峰值电流
工作结温
储存温度
评级
600
4.0
25/27
单位
V
A
A
A
2
s
W
W
t
p=
10ms
TJ = 125°C
Tj=125°C
TJ = 125°C
3.1
0.5
5
2
- 40 ~ 125
- 40 ~ 150
A
°C
°C
1/5
版权所有@阿波罗
电子有限公司，
版权所有。
TP4A60S
电气特性
符号
项
重复峰值断态
当前
峰值通态电压
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
门极触发电流
V
D
=
12V,
R
L
=30
Ω
条件
V
D
= V
DRM
，单相半波
TJ = 125°C
I
TM
= 5.5A ， TP = 380
评级
分钟。
---
--
─
─
─
典型值。
---
--
─
-
-
马克斯。
2.0
1.7
5
5
5
10
单位
I
DRM
V
TM
I
+GT1
I
-GT1
I
-GT3
I
+GT4
V
+GT1
V
-
GT1
-
V
GT3
mA
V
mA
＆ frac12 ; ＆ frac12 ; ＆ frac12 ; ＆ frac12 ; ＆ frac12 ;＆ frac12 ; ＆ frac12 ; ＆ frac12 ; ＆ frac12 ;＆ frac12 ;＆ frac12 ;
Ⅰ
Ⅱ
门极触发电压
V
D
=
12
V ，R
L
=30
Ω
---
---
─
---
---
─
1.5
1.5
1.5
V
Ⅲ
V+
GT4
V
GD
dv / dt的
I
H
IV
非触发栅极电压
兴起关闭状态的爆击率
电压
保持电流
T
j
= 125°C ，V
D
=V
DRM
R
L
=3.3kΩ
T
j
= 125 °C,
V
D
=2/3 V
DRM
It=0.1A
---
0.25
20
---
---
---
─
---
1.5
─
─
10
V
V
/
mA
2/5
QQ：2881677436 复制
