T2322B
敏感的双向可控硅门
硅双向晶闸管
主要用于交流电源切换设计。的栅极灵敏度
这些端双向可控硅开关允许使用经济晶体管化或一体化的
电路的控制电路，并且它增强了它们的使用在低功率相
控制和负载开关应用。
特点
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非常高的灵敏度门
低导通电压高电流水平
玻璃钝化芯片的稳定性
体积小，坚固Thermopad建设低热
性，高散热性和耐用性
无铅包装是可用*
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（注1 ）
(T
J
= 25 110℃ ，门开）
开启状态RMS电流（T
C
= 70°C)
（完整周期的正弦波50到60 Hz ）
峰值不重复浪涌电流（一个
完整周期，正弦波60赫兹，T
C
= 70°C)
电路熔断思考（ T = 8.3毫秒）
峰值功率门
（脉冲宽度
≤
10
女士，
T
C
= 70°C)
平均栅极电源（ T = 8.3毫秒，T
C
= 70°C)
栅极峰值电流
（脉冲宽度= 10
女士，
T
C
= 70°C)
工作结温范围
存储温度范围
安装扭矩（ 6-32螺丝） （注2 ）
符号
V
DRM ，
V
RRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
T
J
T
英镑
价值
200
2.5
25
2.6
10
0.5
0.5
-40到+110
-40到+150
8.0
单位
V
A
3
A
A
2
s
W
W
A
°C
°C
英寸磅。
双向可控硅
2.5安培RMS
200伏
MT2
G
MT1
TO225AA
（原TO- 126 ）
CASE 077
风格5
2 1
标记图
YWW
T
2322BG
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. V
DRM
和V
RRM
对于所有类型的可以在一个连续的基础上被应用。闭塞
电压不得与恒定电流源，使得测试
该器件的额定电压都超标。
2.额定扭矩适用与使用扭矩垫圈（防震WD19523或
相当于） 。安装扭矩超过6英寸磅并不明显
小写到散热器的热阻。主终端2和散热器
接触垫是常见的。
Y
WW
T2322B
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
引脚分配
1
2
3
主终端1
主终端2
门
订购信息
设备
T2322B
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
包
TO225AA
TO225AA
（无铅）
航运
500单位/箱
500单位/箱
T2322BG
1
2006年5月 - 修订版5
出版订单号：
T2322/D
T2322B
热特性
特征
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大无铅焊接温度的案件从10秒用途1/8“
符号
R
QJC
R
qJA
T
L
最大
3.5
60
260
单位
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明; ELECTRICALS应用在两个方向上）
特征
开关特性
重复峰值阻断电流
(V
D
=额定V
DRM
, V
RRM ;
门打开）
基本特征
峰值通态电压（注3 ）
(I
TM
=
"10
A)
门极触发电流（连续直流）
(V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W)
所有象限
门极触发电压（连续直流）
(V
D
= 12伏，R
L
= 100
W,
T
C
= 25°C)
GATE非触发电压
(V
D
= 12 V ，R
L
= 100
W,
T
C
= 110°C)
保持电流
(V
D
= 12 V，I
T
（启动电流） =
"200
毫安，门打开）
门控开启时间
(V
D
=额定V
DRM
, I
TM
= 10 A峰，我
G
= 60 mA时， TR = 0.1
毫秒）
动态特性
爆击率-的高层断态电压
(V
D
=额定V
DRM
，指数波形，T
C
= 100°C)
爆击率-的高层换电压
(V
D
=额定V
DRM
, I
TM
= 3.5 A峰，整流
的di / dt = 1.26 A / MS ，门未通电，T
C
= 90°C)
3.脉冲测试：脉冲宽度
≤
1.0毫秒，占空比
≤
2%.
dv / dt的
dv / dt的（C ）
10
1.0
100
4.0
V / ms的
V / ms的
V
TM
I
GT
1.7
2.2
10
V
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 110°C
I
DRM ，
I
RRM
0.2
10
0.75
mA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
V
GT
V
GD
I
H
t
gt
0.15
1.0
15
1.8
2.2
30
2.5
V
V
mA
ms
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2
T2322B
双向晶闸管电压电流特性
（双向设备）
+电流
1象限
MainTerminal 2 +
符号
V
DRM
I
DRM
V
RRM
I
RRM
V
TM
I
H
参数
重复峰值正向关闭状态电压
峰值正向阻断电流
反向重复峰值断态电压
峰值反向电流阻断
最大通态电压
保持电流
象限3
MainTerminal 2 -
I
H
V
TM
I
RRM
在V
RRM
在国家
I
H
V
TM
关国
+电压
I
DRM
在V
DRM
象限定义的三端双向可控硅
MT2正
（正半周）
+
（+）， MT2
（+）， MT2
第二象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
我象限
I
GT
（ - ） MT2
（ - ） MT2
+ I
GT
第三象限
() I
GT
门
MT1
REF
(+) I
GT
门
MT1
REF
第四象限
MT2负
（负半周）
所有极性引用给MT1 。
与同相的信号（使用标准的AC线）象限I和III被使用。
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3
T2322B
包装尺寸
TO225
CASE 77-09
ISSUE
B
U
Q
F
M
C
A
1 2 3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 077-01 THRU -08陈旧，新标准
07709.
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.065
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.65
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
风格5 ：
PIN 1吨1
2. MT 2
3.门
安森美半导体
和
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