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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第67页 > T2316160A
tm
TE
CH
T2316160A
DRAM
特点
行业标准×16引脚和时序
功能。
单5V ( ± 10 %)电源。
所有器件引脚均与TTL兼容。
1K -周期刷新16毫秒。
刷新模式:仅RAS , CAS前
RAS ( CBR)和隐藏。
字节写和字节读取存取周期。
1024K ×16动态RAM
快速页模式
概述
该T2316160A是一个随机访问固态
组织在含16777216位内存
X16配置。该T2316160A既有
字节写和字写访问周期
通过两个CAS引脚。它提供了快速页面与模式
扩展数据输出。
该T2316160A CAS功能和定时
由第一CAS决心变为低电平,并
通过最后转换回高。仅使用其中一个
两个CAS和保留其他高企
写时会导致字节写入。
CASL在写周期变为低电平会
数据写入低字节( DQ0 DQ7 ) ,和
现金过境过低都会将数据写入
高字节( DQ8 DQ15 ) 。
选项
定时
记号
45ns
-45
60ns
-60
42引脚SOJ
J
五十〇分之四十四引脚TSOPII
S
引脚配置(顶视图)
V
DD
DQ0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
VSS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
V
DD
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
VSS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
CASL
现金
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
NC
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
DD
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
NC
CASL
现金
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
台湾记忆体技术,公司保留权利
P. 1
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:四月2002年
修订版:A
tm
TE
CH
T2316160A
功能框图
WE
CASL
现金
控制
逻辑
CAS
数据输入缓冲
DQ0
16
.
.
DQ15
NO.2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
10
COLUMN
解码器
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
10
柱。
地址
卜FF器
OE
16
1024
刷新
调节器
16
感测放大器
I / O选通
1024x 16
刷新
计数器
10
ROW
解码器
行。
地址
BUFFERS(10)
10
1024
1024x 1024 x 16
内存
ARRAY
RAS
NO.1时钟
发电机
VCC
VSS
引脚说明
符号。
A0-A9
RAS
现金
CASL
WE
OE
DQ0 DQ15
VCC
VSS
NC
TYPE
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入/输出
供应
-
地址输入
行地址选通
列地址选通/高字节控制
列地址选通/低字节控制
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
电源, 5V
无连接
描述
台湾记忆体技术,公司保留权利
P. 2
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:四月2002年
修订版:A
tm
TE
CH
T2316160A
*强调大于"Absolute下所列
最大Ratings"可能会造成永久性的损害
到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件的说明
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
可靠性。
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS ...... -1V至+ 7V电压
工作温度TA (环境) .. 0 ° C至+ 70°C
存储温度(塑料) ...... .. -55 ° C至+ 150°C
功耗....................... ...... .............. 1.2W
短路输出电流............. ... ........... 50毫安
直流电气特性与推荐
工作条件
(0°C
Ta
70 ℃; VCC = 5V
±
10%除非另有说明)
描述
条件
电源电压
电源电压
输入高电平(逻辑)的电压
输入低电平(逻辑)的电压
输入漏电流
0V
VIN
7V
输出漏电流
0V
VOUT
7V
输出(S )禁用
输出高电压
IOH = -5毫安
输出低电压
IOL = 4.2毫安
注意:
1.所有电压参考Vss的
最大
描述
工作电流
TTL待机电流
条件
RAS , CAS骑自行车,的tRC =分钟
TTL接口,RAS
CAS = VIH , DOUT =高阻
的tRC =分钟
TPC =分钟
符号。
Icc1
Icc2
Icc3
Icc4
Icc5
Icc6
-45
190
2.0
190
150
190
1.0
-60
170
2.0
170
130
170
1.0
单位备注
mA
1,2
mA
mA
mA
mA
mA
1
2
1,3
符号。
VCC
VSS
VIH
VIL
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
4.5
0
2.4
-1.0
-10
-10
2.4
0
最大
5.5
0
Vcc+1
0.8
10
10
VCC
0.4
单位
V
V
V
V
uA
uA
V
V
笔记
1
1
1
RAS - 只刷新当前
快页模式电流
t
CAS在RAS刷新RC =分钟
当前
CMOS待机电流
CMOS接口, RAS , CAS >Vcc-
0.2V
注意:
1. Icc的依赖于输出负载条件时选择该设备。
ICC最大指定在输出开路状态。
2.地址是可以改变的2倍以下,而RAS = VIL 。
而CAS = VIH 3.地址可以一次或更少的改变。
台湾记忆体技术,公司保留权利
P. 3
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:四月2002年
修订版:A
tm
TE
CH
T2316160A
电容
( TA = 25 ℃, VCC = 5V , F = 100万赫兹)
参数
输入电容(地址)
输入电容( RAS , CAS , WE , OE )
输出电容(数据输入/输出)
符号
CI1
CI2
CI / O
典型值
-
-
-
最大
5
7
10
单位
pF
pF
pF
AC特性
(注意1,2,3时)(Ta = 0至70 ℃)下
测试条件:
Vcc=5V
±10%,
V
IH
/V
IL
=2.4/0.8V,V
OH
/V
OL
=2.0/0.8V
输入上升和下降时间: 2ns的
输出负载: 2TTL门+ CL ( 100pF的)
AC特性
参数
读或写周期时间
读写周期时间
FAST-页面模式读取或写入周期时间
FAST- PAGE -MODE读写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从OE访问时间
从列地址访问时间
从CAS预充电时间访问
RAS脉冲宽度
RAS脉冲宽度(快速页面模式)
RAS保持时间
RAS预充电时间
CAS脉冲宽度
CAS保持时间
CAS预充电时间
RAS到CAS的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
RAS到列地址的延迟时间
列地址设置时间
符号
TRC
tRWC
TPC
TPCM
TRAC
大隘社
TOAC
TAA
TACP
tRAS的
tRASC
tRSH
激进党
TCAS
TCSH
TCP
tRCD的
TCRP
TASR
tRAH
TRAD
TASC
45
45
11
28
10
40
6
10
5
0
5
8
0
34
10K
-45
-60
最小值最大值最小值最大值单位注
85
110
ns
105
140
ns
26
35
ns
70
85
ns
45
60
NS 4
11
11
19
22
10K
100K
60
60
15
40
15
60
10
20
5
0
10
12
0
45
10K
15
15
30
35
10K
100K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
5
13
8
26
30
8
台湾记忆体技术,公司保留权利
P. 4
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:四月2002年
修订版:A
tm
TE
CH
T2316160A
-45
-60
最小值最大值最小值最大值单位注
6
10
ns
35
45
ns
19
0
0
0
3
3
0
6
35
7
9
8
0
6
35
61
35
27
2.5
10
10
10
6
0
50
16
10
10
10
15
0
15
8
0
10
45
15
10
10
0
10
45
85
55
40
2.5
50
16
30
0
0
0
3
3
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
6
6
15
11
11
11
2,3
10,16
16
11,14
14
14
14
14
12
12
14
9,14
9
AC特性
(续)
AC特性
参数
列地址保持时间
列地址保持时间(参考RAS )
列地址到RAS交货时间
READ命令设置时间
读命令保持时间参考CAS
读命令保持时间参考RAS
CAS到输出中低Z
输出缓冲关断延迟从CAS或RAS
输出缓冲器关断,以OE
写命令设置时间
写命令保持时间
写命令保持时间(参考RAS )
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据的建立时间
数据保持时间
数据保持时间(参考RAS )
RAS以拖延时间
列地址来拖延时间
CAS以拖延时间
转换时间(上升或下降)
刷新周期( 1024次)
RAS到CAS预充电时间
CAS建立时间( CBR刷新)
CAS保持时间( CBR刷新)
OE
从保持时间
符号
tCAH
TAR
二尖瓣
储税券
传输信道
tRRH
TCLZ
tOFF1
tOFF2
TWCS
TwCh
TWCR
TWP
tRWL
Tcwl
TDS
TDH
TDHR
tRWD
tAWD
TCWD
tT
TREF
TRPC
TCSR
tCHR
TOEH
托德
WE
在读 - 修改 - 写周期
OE
安装前
RAS
在隐藏刷新周期
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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