tm
TE
CH
T2316160A
*强调大于"Absolute下所列
最大Ratings"可能会造成永久性的损害
到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件的说明
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
可靠性。
绝对最大额定值*
任何引脚相对于VSS ...... -1V至+ 7V电压
工作温度TA (环境) .. 0 ° C至+ 70°C
存储温度(塑料) ...... .. -55 ° C至+ 150°C
功耗....................... ...... .............. 1.2W
短路输出电流............. ... ........... 50毫安
直流电气特性与推荐
工作条件
(0°C
≤
Ta
≤
70 ℃; VCC = 5V
±
10%除非另有说明)
描述
条件
电源电压
电源电压
输入高电平(逻辑)的电压
输入低电平(逻辑)的电压
输入漏电流
0V
≤
VIN
≤
7V
输出漏电流
0V
≤
VOUT
≤
7V
输出(S )禁用
输出高电压
IOH = -5毫安
输出低电压
IOL = 4.2毫安
注意:
1.所有电压参考Vss的
最大
描述
工作电流
TTL待机电流
条件
RAS , CAS骑自行车,的tRC =分钟
TTL接口,RAS
CAS = VIH , DOUT =高阻
的tRC =分钟
TPC =分钟
符号。
Icc1
Icc2
Icc3
Icc4
Icc5
Icc6
-45
190
2.0
190
150
190
1.0
-60
170
2.0
170
130
170
1.0
单位备注
mA
1,2
mA
mA
mA
mA
mA
1
2
1,3
符号。
VCC
VSS
VIH
VIL
ILI
国际劳工组织
VOH
VOL
民
4.5
0
2.4
-1.0
-10
-10
2.4
0
最大
5.5
0
Vcc+1
0.8
10
10
VCC
0.4
单位
V
V
V
V
uA
uA
V
V
笔记
1
1
1
RAS - 只刷新当前
快页模式电流
t
CAS在RAS刷新RC =分钟
当前
CMOS待机电流
CMOS接口, RAS , CAS >Vcc-
0.2V
注意:
1. Icc的依赖于输出负载条件时选择该设备。
ICC最大指定在输出开路状态。
2.地址是可以改变的2倍以下,而RAS = VIL 。
而CAS = VIH 3.地址可以一次或更少的改变。
台湾记忆体技术,公司保留权利
P. 3
改变产品或规格,恕不另行通知。
出版日期:四月2002年
修订版:A
tm
TE
CH
T2316160A
电容
( TA = 25 ℃, VCC = 5V , F = 100万赫兹)
参数
输入电容(地址)
输入电容( RAS , CAS , WE , OE )
输出电容(数据输入/输出)
符号
CI1
CI2
CI / O
典型值
-
-
-
最大
5
7
10
单位
pF
pF
pF
AC特性
(注意1,2,3时)(Ta = 0至70 ℃)下
测试条件:
Vcc=5V
±10%,
V
IH
/V
IL
=2.4/0.8V,V
OH
/V
OL
=2.0/0.8V
输入上升和下降时间: 2ns的
输出负载: 2TTL门+ CL ( 100pF的)
AC特性
参数
读或写周期时间
读写周期时间
FAST-页面模式读取或写入周期时间
FAST- PAGE -MODE读写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从OE访问时间
从列地址访问时间
从CAS预充电时间访问
RAS脉冲宽度
RAS脉冲宽度(快速页面模式)
RAS保持时间
RAS预充电时间
CAS脉冲宽度
CAS保持时间
CAS预充电时间
RAS到CAS的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
RAS到列地址的延迟时间
列地址设置时间
符号
TRC
tRWC
TPC
TPCM
TRAC
大隘社
TOAC
TAA
TACP
tRAS的
tRASC
tRSH
激进党
TCAS
TCSH
TCP
tRCD的
TCRP
TASR
tRAH
TRAD
TASC
45
45
11
28
10
40
6
10
5
0
5
8
0
34
10K
-45
-60
最小值最大值最小值最大值单位注
85
110
ns
105
140
ns
26
35
ns
70
85
ns
45
60
NS 4
11
11
19
22
10K
100K
60
60
15
40
15
60
10
20
5
0
10
12
0
45
10K
15
15
30
35
10K
100K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
5
13
8
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