T1G6000528-Q3
7W ， 28V ， DC - 6 GHz的氮化镓射频功率晶体管
应用
宽带和窄带国防和
商用通信系统
- 通用射频功率
- 干扰器
雷达
- 专业无线电系统
- WiMAX的
- 宽带放大器
测试仪表
- 蜂窝基础设施
可用软件包
产品特点
频率： DC到6GHz
线性增益： >10分贝在6GHz
工作电压： 28 V
输出功率（P
3dB
） ：在6 GHz >7 W
无铅并符合RoHS标准
低热阻封装
包装信息
套餐类型
Q3
描述
5.0mm x 4.0mm ceramic air
腔直引线封装
BASE
粗磨
概述
The TriQuint T1G6000528-Q3 is a 7 W (P
3dB
）离散
GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6 GHz
和通常提供>10分贝增益在6 GHz 。该
设备与TriQuint的行之有效的0.25建造
微米制作工艺，它的特色是
场板技术来优化功率和艾菲
效率在高漏极偏压的工作条件。这
在优化中可以潜在地降低系统成本
少放大器阵容和较低的热条件
管理成本。
订购信息
材料NO 。
1075579
1081733
产品型号
T1G6000528-Q3
T1G6000528-Q3-
EVB3
描述
包装的一部分
窄带
3.0 to 3.5 GHz
评价
板
ECCN
EAR99
EAR99
公布数据：启示录 2011年8月11日
2011 TriQuint半导体
–1–
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T1G6000528-Q3
特定网络阳离子
绝对最大额定值
1
符号
V
+
V
-
I
|I
G
|
P
D
T
CH
注意事项：
1
2
7W ， 28V ， DC - 6 GHz的氮化镓射频功率晶体管
参数
正电源的价值
2
负电源电压范围
正电源电流
2
门电源电流
功耗
2
工作通道温度
2
价值
28
- 10 V to 0 V
0.8 A
12.5 mA
10 W
200°C
Absolute maximum ratings at 3 GHz
绝对最大额定值是基于行业树立推荐
标准平均无故障时间（ MTTF ）超过100万小时，
operating at a maximum case temperature of 85C . Operating at lower
最高温度的情况下最大允许工作电压
be increased up to a maximum of 40V. Application specific limits can
与来自TriQuint的工程指导来确定。
中位生存时间（TM ）与通道温度（ TCH）
中位生存时间（TM ）与通道温度（ TCH）
1.E+15
MEDI终身，
（小时）
IAN
中位生存期，TM
TM （小时）
1.E+14
1.E+13
1.E+12
1.E+11
1.E+10
1.E+09
1.E+08
1.E+07
1.E+06
1.E+05
1.E+04
25
FET7
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
通道温度，总胆固醇（ ° C）
通道温度，总胆固醇（ ° C）
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–2–
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T1G6000528-Q3
特定网络阳离子
热信息
测试条件
DC at 85°C Case
注意事项：
1
7W ， 28V ， DC - 6 GHz的氮化镓射频功率晶体管
T
CH
(°C)
199
JC
（ ° C / W）
1
11.2
热电阻（通道外壳的背面）
T1G6000528 -Q3最大通道温辐射与脉冲宽度
T1G6000528 -Q3最大通道温度与脉冲宽度
（ TBASE = 85°C ， PDISS = 3 W /毫米）
180
160
最大通道温度（摄氏度）
NEL
最大通道温度（摄氏度）
140
120
100
80
60
40
20
0
1.00E-06
1.00E-05
1.00E-04
1.00E-03
1.00E-02
1.00E-01
1.00E+00
（ TBASE = 85°C ， PDISS = 3 W /毫米）
5 ％占空比
25 ％占空比
占空比为50％
脉冲宽度（秒）
脉冲宽度（秒）
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–3–
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T1G6000528-Q3
电气规格
7W ， 28V ， DC - 6 GHz的氮化镓射频功率晶体管
推荐工作条件适用，除非另有规定：T已
A
=25 °C
DC特性
特征
击穿电压漏源
门静态电压
栅极阈值电压
饱和漏极电流
符号
BV
DSX
V
GS （ Q）
V
GS （ TH）
I
DSX
民
85
典型值
120
-3.9
-4.5
2
最大
单位
V
V
V
A
条件
V
GS
= -8 V; I
D
=1 mA
V
DS
=28 V; I
DQ
=100 mA
V
DS
=10 V; I
D
=5 mA
V
DS
=5 V; V
GS
=0 V
射频特性
特征
在6.0千兆赫（负载牵引性能V
DS
= 28 V，I
DQ
= 50毫安， CW）
符号
G
LIN
P
3dB
DE
3dB
PAE
3dB
G
3dB
G
LIN
P
3dB
DE
3dB
PAE
3dB
G
3dB
VSWR
民
13.0
8.0
55
50
10.0
15.5
8.9
55
50
12.5
典型值
13.5
10.0
65
55
10.5
16.9
11.0
58
53
13.9
10:1
最大
单位
dB
W
%
%
dB
dB
W
%
%
dB
线性增益
Output Power at 3 dB Gain Compression
Drain Efficiency at 3 dB Gain Compression
Power-Added Efficiency at 3 dB Gain Compression
Gain at 3 dB Compression
线性增益
Output Power at 3 dB Gain Compression
Drain Efficiency at 3 dB Gain Compression
Power-Added Efficiency at 3 dB Gain Compression
Gain at 3 dB Compression
阻抗不匹配耐用
在在3.0至3.5GHz的夹具3.3 GHz的性能（VDS = 28伏， IDQ = 50毫安， 200毫秒脉冲，20％占空比）
在3.5千兆赫（ VDS = 28 V ， IDQ = 50 mA时，在CW的P1dB ，适用于3.5秒）窄带性能
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设备的特性数据
S参数史密斯圆图
7W ， 28V ， DC - 6 GHz的氮化镓射频功率晶体管
T1G6000528-Q3
V
DS
= 28V ，我
DQ
-50毫安
j10
j5
j20
j2
6000MHz
j50
0
j2
2
5
10
6000MHz
20
S22
50
100MHz
∞
j50
S11
j5
j10
j20
小信号增益
T1G6000528 - Q3的最大稳定增益
V
DS
= 28V ，我
DQ
-50毫安
35
30
GMAX与频率的关系
最大稳定增益
25
增益（dB ）
20
15
10
5
0
0
1000
2000
3000
频率（MHz）
4000
5000
6000
该数据是在一个封装夹具。基准平面是在封装的界面。
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QQ：2881677436 复制
