T1G4005528-FS

应用

军用雷达

民用雷达

专业和军事电台

通讯

测试仪表

航空电子学

宽带或窄带放大器

55W ， 28V ， DC - 3.5GHz的，氮化镓射频功率晶体管

2

5.461

10.992

产品特点

频率： DC至3.5 GHz的

线性增益： >15分贝在3.5 GHz的

工作电压： 28 V

输出功率（P

3dB

） ：在3.5 GHz的55瓦

无铅并符合RoHS标准

功能框图

1

1.524

+.000

3.505 -.203

.508

概述

TriQuint的T1G4005528 -FS是一个55 W（ P

3dB

)

对SiC HEMT它工作在不连续的GaN

DC至3.5 GHz的。设备与构造

TriQuint的证明0.25微米生产工艺，

它具有先进的场板技术

在高漏极优化功率和效率

偏置工作条件。这种优化可以

在较少的计算潜在地降低系统成本

放大器阵容和较低的热管理

成本。

针＃

1

2

轮缘

符号

RF输出

RF输入

来源

9.652

订购信息

材料NO 。

1078974

1079752

产品型号

T1G4005528-

FS

T1G4005528-

FS-EVB1

描述

包装的一部分：

兰

3.0-3.5 GHz的

EVAL BRD

ECCN

EAR99

EAR99

数据表：修订版D 2011/8/10

2011 TriQuint半导体

–1–

免责声明：如有更改，恕不另行通知

连接数码世界，贯通全球网络

1.016

销刀豆网络gurations

T1G4005528-FS

特定网络阳离子

绝对最大额定值

符号

V

+

V

-

I

|I

G

|

P

D

T

CH

BV

OSX

参数

正电源的价值

1

负电源电压范围

正电源电流

1

门电源电流

功耗

1

工作通道温度

1

击穿电压

55W ， 28V ， DC - 3.5GHz的，氮化镓射频功率晶体管

价值

28 V

- 10 V至0 V

4.5 A

百毫安

61 W

213 °C

85 V

注意事项：

1

Absolute maximum ratings at 3 GHz.

2

绝对最大额定值是基于行业树立推荐

standard mean time to failure (MTTF) greater than 1M hours while

operating at a maximum case temperature of 85C . Operating at lower

最高温度的情况下最大允许工作电压

be increased up to a maximum of 40V. Application specific limits for

工作电压，正电源电流和功率耗散能

与来自TriQuint的工程指导来确定。

电气规格

推荐工作条件适用，除非另有规定：T已

A

=25

°

C

DC特性

特征

击穿电压漏源

门静态电压

栅极阈值电压

饱和漏极电流

符号

BV

DSX

V

GS （ Q）

V

GS （ TH）

I

DSX

民

85

典型值

120

-3.5

-4.5

16

最大

单位

V

V

V

A

条件

V

GS

= -8 V，I

D

= 10毫安

V

DS

= 28 V ;我

DQ

= 0.8 A

V

DS

= 10 V ;我

D

= 40毫安

V

DS

= 5 V; V

GS

= 0 V

射频特性

特征

符号

民

典型值

17.3

51.3

59.0

57.6

16.3

17.6

55.0

62.1

60.7

16.6

最大

单位

dB

W

%

%

dB

dB

W

%

%

dB

在3.0千兆赫（负载牵引性能V

DS

= 28 V，I

DQ

= 200毫安;脉：为100μs ， 20 ％ ）

线性增益

G

LIN

1 dB增益压缩输出功率

P

1dB

Drain Efficiency at 1 dB Gain Compression

DE

1dB

Power-Added Efficiency at 1 dB Gain Compression

PAE

1dB

增益1dB压缩

G

1dB

在3.5千兆赫（负载牵引性能V

DS

= 28 V，I

DQ

= 200毫安;脉：为100μs ， 20 ％ ）

线性增益

G

LIN

1 dB增益压缩输出功率

P

1dB

Drain Efficiency at 1 dB Gain Compression

DE

1dB

Power-Added Efficiency at 1 dB Gain Compression

PAE

1dB

增益1dB压缩

G

1dB

在3.0 3.5 GHz的评估和演示3.3 GHz的性能。董事会（V

DS

= 28 V，I

DQ

= 200毫安;脉冲： 100微秒，20％）

14.0

15.1

dB

线性增益

G

LIN

55.0

65.6

W

输出功率

P

3dB

50.0

52.5

%

Drain Efficiency at 3 dB Gain Compression

DE

3dB

45.0

49.3

%

Power-Added Efficiency at 3 dB Gain Compression

PAE

3dB

11.0

12.1

dB

增益3分贝压缩

G

3dB

在3.5 GHz频段（窄带性能V

DS

= 28 V，I

DQ

= 200毫安，在CW的P1dB ，适用于3.5秒）

VSWR

10:1

阻抗不匹配耐用

3

注意：

3

VSWR testing performed with increasing real impedance value only from reference Z to 10 times reference Z.

数据表：修订版D 2011/8/10

2011 TriQuint半导体

–2–

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T1G6001528-Q3

DC - 6 GHz的18瓦的GaN RF功率晶体管

应用

通用RF功率

干扰器

军事和民用雷达

专业和军事无线电系统

宽带放大器器

测试仪表

航空电子学

产品特点

频率： DC到6GHz

输出功率（ P3dB ） ：在6 GHz 18瓦

线性增益： >10分贝在6GHz

工作电压： 28 V

低热阻封装

功能框图

1

2

概述

TriQuint的T1G6001528 -Q3是一个18瓦（ P3dB ）

对SiC HEMT独立的GaN它工作于DC

到6 GHz和通常提供>10分贝增益在6 GHz 。

该器件采用TriQuint公司成熟的0.25建造

μm

过程中，它的特色是场板

技术，以在高优化功率和效率

漏极偏置工作条件。这种优化可以

在较少的计算潜在地降低系统成本

放大器阵容和较低的热管理成本。

无铅并符合RoHS标准

评估板可根据要求提供。

引脚配置

针＃

1

2

轮缘

符号

VD / RF OUT

VG / RF IN

来源

订购信息

产品型号

T1G6001528-Q3

T1G6001528 -Q3 EVB1

初步数据表：版本 - 一个2011年6月14日

2011 TriQuint半导体

-

1 15

ECCN

EAR99

EAR99

描述

封装晶体管

5-6 GHz的评估板

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T1G6001528-Q3

DC - 6 GHz的18瓦的GaN RF功率晶体管

特定网络阳离子

绝对最大额定值

参数

漏极电压， Vd的

栅极电压Vg的

漏极至栅极电压Vd的 - Vg的

漏电流，身份证

栅极电流，免疫球蛋白

功耗， PDISS

RF输入功率， CW ， T = 25℃

通道温度，总胆固醇

安装温度（ 30

秒）

储存温度

推荐工作条件

参数

Vd

IDQ

Id_drive （ RF下

驱动器）

Vg

通道

温度，总胆固醇

等级

+40 V

-50至0 V

80 V

1.5 A

-25 25 mA的

26 W

37 dBm的

250

o

C

260

o

C

-40至150

o

C

民

典型

28

50

1400

-3.7

最大单位

30

V

mA

mA

V

200

o

C

电气规格是在特定试验条件下测得的。

规格不能保证在所有推荐工作

条件。

在3 GHz的绝对最大额定值。

本装置的操作中给出的参数范围以外

上面可能会造成永久性的损害。这些都是强调

只有收视率，以及该设备的这些功能操作

条件是不是暗示。

电气规格

试验条件除非另有说明： 25 C ，

VD = 28 V ， IDQ = 50 mA时， V G = -3.7 V（典型）

.

射频特性

符号

民

典型值

15.0

20.0

60

56

12.5

11.5

19.0

60

52

8.5

9.5

21.0

58

45

6.5

最大单位

dB

W

%

%

dB

dB

W

%

%

dB

dB

W

%

%

dB

10:1

在3千兆赫（负载牵引性能V

DS

= 28V ，我

DQ

= 50mA时CW）

线性增益

G

LIN

3 dB增益压缩输出功率

P

3dB

漏极效率为3 dB增益压缩

DE

3dB

3 dB增益压缩功率附加效率

PAE

3dB

增益为3 1dB压缩

G

3dB

在6 GHz （负载牵引性能V

DS

= 28V ，我

DQ

= 50mA时CW）

线性增益

G

LIN

3 dB增益压缩输出功率

P

3dB

漏极效率为3 dB增益压缩

DE

3dB

3 dB增益压缩功率附加效率

PAE

3dB

增益为3 1dB压缩

G

3dB

在5-6 GHz的灯具5.4千兆赫（性能V

DS

= 28V ，我

DQ

= 50mA时脉： 100μs的20 ％ ）

线性增益

G

LIN

9.0

3 dB增益压缩输出功率

P

3dB

17.8

漏极效率为3 dB增益压缩

DE

3dB

50

3 dB增益压缩功率附加效率

PAE

3dB

40

增益为3 1dB压缩

G

3dB

6.0

在3.5 GHz的窄带性能（

V

DS

= 28V ，我

DQ

= 50毫安

，在CW的P1dB ，适用于3.5秒）

阻抗不匹配耐用

VSWR

注： VSWR测试进行随实际阻抗值仅从参考Z到10次引用Z.

初步数据表：版本 - 一个2011年6月14日

2011 TriQuint半导体

-

2 15

免责声明：如有更改，恕不另行通知

连接数码世界，贯通全球网络