【T163VU威世半导体红外发光二极管芯片， 950纳米，砷化镓特点包装类型：芯片包装形式：单芯片尺寸】,IC型号T163VU,T163VU PDF资料,T163VU经销商,ic,电子元器件-51电子网

T163VU

威世半导体

红外发光二极管芯片， 950纳米，砷化镓

特点

包装类型：芯片

包装形式：单芯片

尺寸（单位：mm长x宽x高）： 0.37 X 0.37 X

0.265

峰值波长：

= 950 nm的

高可靠性

低正向电压

适用于高脉冲电流操作

与硅光电探测器良好的光谱匹配

21642

符合RoHS指令2002/95 / EC

根据WEEE指令2002/96 / EC

和

描述

T163VU是在砷化镓的红外线， 950纳米的发光二极管芯片

技术。阳极是在顶部的键合焊盘。

应用

发射器光遮断器

一般信息

数据表是基于一定的预定和假设的条件下， Vishay的光电子产品抽样检测，并

仅供说明之用。我们鼓励客户在实际执行测试提出了包装和使用

条件。 Vishay的光电子芯片产品都采用Vishay的光电子学为基础的质量保证程序测试，

使用Vishay的光电子成立工艺制造。估计，如在此所描述和阐述

数据表，半导体管芯会根据许多的包装，处理，使用和其它因素而变化。因此出售

模具可在同等基础标准封装的产品没有执行。

产品概述

部件

T163VU

（毫瓦/ SR）

1.2

（度）

（纳米）

950

（纳秒）

800

记

测试条件见附表“基本特征”

订购信息

订购代码

T163VU-SF-F

记

最小起订量：最小起订量

包装

晶圆锯成薄片上没有任何框架

备注

最小起订量： 25000个

包装形式

芯片

绝对最大额定值

参数

正向电流

反向电压

正向电流浪涌

结温

工作温度范围

存储温度范围

对铝箔存储温度范围

记

AMB

= 25℃，除非另有说明

文档编号： 81133

修订版1.2 ， 29 -MAR- 10

如有技术问题，请联系：

optochipsupport@vishay.com

www.vishay.com

= 100 s

测试条件

符号

FSM

AMB

stg1

stg2

价值

100

1.5

125

- 40至+ 100

- 40至+ 50

单位

°C

T163VU

威世半导体

红外发光二极管芯片， 950纳米，砷化镓

基本特征

参数

正向电压

V温度COEF网络cient

结电容

辐射强度

辐射功率

（环氧树脂封装）

温度COEF网络cient

峰值波长

光谱带宽

温度COEF网络cient

上升时间，下降时间

记

AMB

= 25℃，除非另有说明

测试条件

= 100毫安，吨

= 20毫秒

= 1 A，T

= 100 s

= 100毫安

= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0

= 100毫安，

的TO- 18金头组件

= 100毫安

= 20毫安

= 1 A

符号

TK =

0.5

TK =

, t

分钟。

典型值。

1.3

1.8

- 1.3

1.2

- 0.8

950

0.2

800

400

马克斯。

单位

毫伏/ K

毫瓦/ SR

%/K

纳米/ K

基本特征

AMB

= 25℃，除非另有说明

-1

94 7996

1.6

- 正向电流（mA ）

1.2

ê相对

;

ê相对

= 20毫安

0.8

0.4

- 10 0 10

94 7993

100

140

- 前进

电压

(V)

AMB

- 环境温度（ ° C）

图。 1 - 正向电流与正向电压

1.2

F REL

- 相对正向

电压

(V)

图。 3 - 相对辐射强度/功率随环境温度

1.25

ê相对

- 相对辐射功率

1.0

1.1

= 10毫安

1.0

0.9

0.75

0.5

0.8

0.7

100

0.25

= 100毫安

900

950

波长

（纳米）

1000

94 7990

AMB

- 环境温度（ ° C）

94 7994

图。 2 - 相对正向电压与环境温度

www.vishay.com

图。 4 - 相对辐射功率与波长

文档编号： 81133

修订版1.2 ， 29 -MAR- 10

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optochipsupport@vishay.com

T163VU

红外发光二极管芯片， 950纳米，砷化镓

威世半导体

机械尺寸

参数

芯片边缘的长度（ x方向）

芯片边缘的长度（ y方向）

发射区

模高

焊垫直径

符号

(1)

分钟。

典型值。

0.37

0.34 x 0.34

0.265

0.14

马克斯。

单位

附加信息

正面金属化，阳极

背面金属化，阴极

切割

芯片粘接技术

铝

金合金

锯切

环氧粘接

记

(1)

所有的芯片都按照Vishay的半导体，规范目视检查FVOV6870的检查。

目视检查应按照“规范目视检查所引用”制成。芯片的外观检查

背面与体视显微镜入射光和40倍到80倍的放大倍率进行。

质量检验（最终目测）由生产执行。另外一个目视检查步骤，因为特殊的释放过程

由QM未安装。

搬运和储存条件

在密封的装运大量应在温度和水分只能控制洁净室环境中打开。它

是强制遵守规则的材料配置，可以用于危害人类和环境。

产品必须只能在ESD安全的工作站处理。标准的ESD防范措施，安全的工作环境的定义

在MIL- HDBK -263 。

单片模具不应被用镊子处理。真空吸笔与非金属ESD保护的技巧可以使用。

填料

芯片被固定在粘合薄片。根据要求的箔片可安装在塑料框架或迪斯科帧。对于出货，晶圆

被安排成栈和密封在塑料袋中密封，以确保保护免受环境影响（如湿度和

污染）。

使用仅用于回收利用可靠的运营商。我们可以帮助取得联系您最近的销售办事处。通过合作，我们将采取

背面填充材料，如果是排序。你必须承担的运输成本。我们将发票与您所发生的任何费用

这则返回无序或我们没有义务接受包装材料。

文档编号： 81133

修订版1.2 ， 29 -MAR- 10

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放弃

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可靠性，功能，设计或其他原因。

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关于任何产品的披露。

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间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保

目的，非侵权及适销性。

关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识

的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明

关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的

产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数

数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有

工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证

技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，

包括但不限于本文所述的保修。

除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用

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或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员

获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。

没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或

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文档编号： 91000

修订： 11 -MAR- 11