BTA16 ， BTB16和T16系列
16A双向可控硅
S
A2
无缓冲器 ，逻辑电平标准&
表1 ：主要特点
符号
I
T（ RMS ）
V
DRM
/V
RRM
I
GT （Q
1
)
价值
16
600 ， 700和800
1050
单位
A
V
mA
A1 A2
G
G
A1
A2
描述
可无论是通孔或表面贴装
包，所述
BTA16 ， BTB16
和
T16
三端双向可控硅系列
适用于一般用途的交流开关。他们
可以用作一个开/关功能的应用
系统蒸发散，如静态继电器，加热调节，在 -
duction电动机起动电路...或相
在调光器控制的操作中，电动机速度
控制器， ...
在无缓冲器的版本（ BTA / BTB ... W和T16
系列）是专门推荐用于IN-使用
导电的负荷，这要归功于其高减刑
表演。通过使用内部陶瓷垫，
在BTA系列提供电压绝缘标签（额定
ED在2500V
RMS
）与UL标准符合
（文件编号： E81734 ） 。
D
2
PAK
(T16-G)
A2
A1
A2
G
A1
A2
G
TO- 220AB绝缘
(BTA16)
TO-220AB
(BTB16)
表2 ：订购代码
产品型号
BTA16-xxxxxRG
BTB16-xxxxxRG
T16xx-xxxG
记号
见页表8
第8页
2006年2月
启示录7
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BTA16 ， BTB16和T16系列
表3 ：绝对最大额定值
符号
I
T（ RMS ）
参数
RMS通态电流（全正弦波
波）
D
2
PAK /
TO-220AB
TO- 220AB插件。
I
TSM
I
t
的di / dt
不重复浪涌峰值通态F = 50赫兹
电流（完整周期，T
j
初始= 25 ° C） F = 60 Hz的
I
为融合吨价
对国家崛起的临界电流率
我租
G
= 2×我
GT
, t
r
≤
100纳秒
t
p
= 10毫秒
F = 120赫兹
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
c
= 100°C
T
c
= 15°C
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
160
168
144
50
V
帝斯曼
/V
RSM
+ 100
4
1
- 40 + 150
- 40至+ 125
A
A
s
A / μs的
V
A
W
°C
价值
16
单位
A
V
帝斯曼
/V
RSM
非重复浪涌峰值断态吨
p
= 10毫秒
电压
I
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
t
p
= 20 s
表4 ：电气特性
(T
j
= 25 ° C，除非另有规定编）
■
无缓冲器和逻辑电平（ 3象限）
符号
I
GT
(1)
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
的dV / dt （2）
测试条件
V
D
= 12 V R
L
= 33
V
D
= V
DRM
R
L
= 3.3 k
T
j
= 125°C
I
T
= 500毫安
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67 %V
DRM
门打开
（的dV / dt ） c = 0.1 V / μs的
I - III
II
象限
I - II - III
I - II - III
I - II - III
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
35
50
60
500
-
-
8.5
15
25
30
40
8.5
3.0
-
T16
T1635
35
BTA16 / BTB16
SW
10
1.3
0.2
35
50
60
500
-
-
8.5
50
70
80
1000
-
-
14
A / MS
CW
35
BW
50
单位
mA
V
V
mA
mA
V / μs的
T
j
= 125 ° C最小。
T
j
= 125°C
T
j
= 125 ° C最小。
T
j
= 125°C
（ di / dt的）C （ 2 ） （的dV / dt ） c = 10 V / μs的
无缓冲
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BTA16 ， BTB16和T16系列
■
STANDARD （ 4象限）
符号
I
GT
(1)
V
GT
V
GD
I
H
(2)
I
L
的dV / dt （2）
V
D
= V
DRM
R
L
= 3.3 kΩ的牛逼
j
= 125°C
I
T
= 500毫安
I
G
= 1.2 I
GT
V
D
= 67 %V
DRM
门打开
I - III - IV
II
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
测试条件
象限
I - II - III
IV
所有
所有
马克斯。
马克斯。
分钟。
马克斯。
马克斯。
分钟。
分钟。
25
40
80
200
5
BTA16 / BTB16
C
25
50
1.3
0.2
50
60
120
400
10
B
50
100
单位
mA
V
V
mA
mA
V / μs的
V / μs的
V
D
= 12 V
R
L
= 33
（的dV / dt ）C （ 2 ） （ di / dt的）C = 7 A / MS
表5 ：静态特性
符号
V
T
(2)
V
to
(2)
R
d
(2)
I
DRM
I
RRM
I
TM
= 22.5 A
测试条件
t
p
= 380 s
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
价值
1.55
0.85
25
5
2
单位
V
V
m
A
mA
阈值电压
动态电阻
V
DRM
= V
RRM
注1 ：
我最小
GT
被guaranted在我5％
GT
马克斯。
注2 ：
为A2的两极参考A1 。
表6 ：热阻
符号
R
日（J -C ）
结到外壳（ AC）
S = 1厘米
参数
D
2
PAK / TO- 220AB
TO- 220AB绝缘
结到环境
D
2
PAK
TO- 220AB / TO- 220AB绝缘
价值
1.2
2.1
45
60
° C / W
单位
° C / W
R
号（j -a）的
选项卡下的S =铜表面。
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BTA16 ， BTB16和T16系列
图7 ：通态不重复浪涌峰值
电流的正弦脉冲宽度t
p
＆ LT ; 10毫秒
和我对应的值
2
t
I
TSM
（A ） ，我
2
T（A
2
s)
3000
T
j
initial=25°C
di / dt的限制：
50A/s
图8 ：门极触发的相对变化
当前，保持电流和电流闭锁
对结点温度（典型值）的
I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
] / I
GT
,I
H
,I
L
[T
j
=25°C]
2.5
2.0
I
GT
I
TSM
1000
1.5
I
H
＆放大器;我
L
1.0
I
2
t
0.5
t
p
（女士）
100
0.01
0.10
1.00
10.00
T
j
(°C)
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
图9：爆击率的相对变化
下降主要与当前（的dV / dt ）的c
（典型值） （无缓冲器&逻辑电平
类型）
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
2.0
1.8
1.6
B
C
SW
图10：爆击率的相对变化
下降主要与当前（的dV / dt ）的c
（典型值） （标准型）
（ di / dt的）C [T
j
] / （ di / dt的）C [T
j
指定]
6
5
4
3
2
1
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
T1635/CW/BW
（的dV / dt ）C （V / μs）内
0.4
0.1
1.0
10.0
100.0
0
0
25
50
T
j
(°C)
75
100
125
图11 ：D
2
PAK热阻结到
环境与选项卡下的铜表面（印
电路板FR4 ，铜厚度： 35微米）
R
号（j -a）的
（ ° C / W）
80
70
60
50
D
2
PAK
40
30
20
10
S（平方厘米）
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
5/9
QQ：2880707522 复制
