tm
TE
CH
初步T15V2M08A
SRAM
特点
低功耗
- 活动： 40毫安在55ns
- 待机： 5UA （ CMOS输入/输出）
55/70/100 ns访问时间
平等机会和循环时间
单+ 2.7V至3.6V电源
TTL兼容，三态输出
常见的I / O能力
取消时自动断电
可提供32引脚TSOP -I （ 8x20mm ）
TSOP -I （ 8x13.4mm ） ，48引脚CSP封装
256K ×8低功耗
CMOS静态RAM
概述
该T15V2M08A是一个非常低功耗
CMOS静态RAM组织为262,144字经
8位。此设备由高制造
高性能CMOS技术。它可以是
在宽电源电压范围内运行
从+ 2.7V至+ 3.6V 。
该T15V2M08A输入和三态
输出为TTL兼容，并允许直接
常见的系统总线结构连接。
数据保存期限保证在电源
电压低至2V 。
型号示例
产品型号
T15V2M08A-55H
T15V2M08A-70P
T15V2M08A-100C
封装代码
H = TSOP- I（ 8x20 ）
P = TSOP -I （ 8x13.4 ）
C = CSP
VCC
VSS
A0
.
.
.
A17
解码器
CORE
ARRAY
WE
OE
CE1
CE2
控制
电路
数据I / O
I/O1
.
.
I/O8
框图
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P. 1
出版日期：三月2001年
修订： 0.A
tm
TE
CH
初步T15V2M08A
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于GND电压
功耗
储存温度
在偏置温度
符号
V
R
P
D
T
英镑
I
BIAS
分钟。
-0.5
-
-55
-40
马克斯。
+4.6 V
0.7
+150
+85
单位
V
W
°C
°
C
*注：应力大于上述绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值和设备的功能操作在这些或任何其他
外面那些本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
WE
OE
CE2
CE 1
H
X
X
X
X
L
X
X
L
H
H
L
L
H
H
H
L
H
L
X
*注： X =无关，L =低，H =高
数据
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
DATA IN
模式
待机
待机
主动，阅读
主动，输出禁止
Acitve ，写
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P. 3
出版日期：三月2001年
修订： 0.A
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初步T15V2M08A
工作特性
（ VCC = 2.7 3。 6V ， GND = 0V ， TA = -40
°
C至85
°
C)
参数
输入漏
当前
符号。
测试条件
-55
民
最大
-70
民
最大
-100
民
最大
单位
uA
I
LI
VCC =最大，
V
IN
= GND到Vcc
CE1
= V
IH
或CE2 = V
IL
or
OE
= V
IH
输出漏
I
LO
当前
or
WE
= V
IL
V
OUT
= GND到Vcc
CE1
= V
IL
， CE2 = V
IH ，
WE
=V
IH ，
OE
= V
IH
,
工作电源
I
CC
电源电流
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
周期时间= 1us的，
100 ％的责任，我
OUT
=0mA,
I
CC1
CE1
≤
0.2V,
CE2
≥
V
CC
-0.2V,
平均开工
V
IN
≤
0.2V
当前
循环时间=分钟，
100 ％的责任，我
OUT
=0mA,
I
CC2
CE1
= V
IL
， CE2 = V
IH ，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE1
=
V
IH
待机功耗
I
S B
CE2 = V
IL
电源电流
（ TTL电平）
CE1
≥
Vcc-0.2V,
CE2
≥
V
CC
-0.2V
待机功耗
I
S B1
或CE2
≤
0.2V
电源电流
V
IN
≤
0.2V或
（ CMOS电平）
V
IN
≥
Vcc-0.2V
I
OL
= 2.0毫安
输出低电压
V
OL
输出高电压
V
OH
I
OH
= -1.0毫安
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
uA
-
2
-
2
-
2
mA
-
3
-
3
-
3
mA
-
40
-
35
-
25
mA
-
0.5
-
0.5
-
0.5
mA
-
5
-
5
-
5
uA
-
2.2
0.4
-
-
2.2
0.4
-
-
2.2
0.4
-
V
V
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P. 4
出版日期：三月2001年
修订： 0.A
tm
TE
CH
初步T15V2M08A
推荐工作条件
（ TA = -40
°
C至85
°
C**)
参数
电源电压
输入电压
符号
VCC
GND
民
2.7
0.0
2.1
-0.3
典型值
3.0
0.0
-
-
最大
3.6
0.0
Vcc+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
V
IH
V
IL
电容
（ F = 1MHz时， TA = 25 ° C， ）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
条件
V
IN
= 0V
V
IN
=
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
C
IN
C
I / O
注意：
这个参数是由设备特性保证，而不是生产测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
条件
0.6V至2.1V
3.0纳秒
1.4V
C
L
= 30pF的+ 1TTL负荷（ 55ns / 70ns的）
C
L
= 100pF电容+ 1TTL负载（负载为100纳秒）
AC测试负载和波形
TTL
DQ
R
L
50 OHM
C
L
*
Z
0
C
L
30 pF的
= 50欧姆
VT = 1.4V
图A *包括范围和夹具电容
图B输出负载等效
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P. 5
出版日期：三月2001年
修订： 0.A
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