tm
TE
CH
T15V256A
SRAM
特点
高速存取时间：50 /70/ 85/ 100纳秒
电源电流：工作： 35毫安（最大值）
待机： 5UA
电源： 2.4V至3.6V
全静态操作 - 无时钟或刷新
需要
所有输入和输出直接LVTTL
兼容
常见的I / O能力
数据保持电压： 1.5V （最小值）
可用的软件包： 28引脚SOP ， TSOP -I
（ 8x13.4mm正激式和反式） 。
工作温度：
-
-
0 ~ +70
°C
-40 ~ +85
°C
32K ×8低功耗
CMOS静态RAM
概述
该T15V256A是一款低功耗，低
电压CMOS静态RAM 。组织为32,768 X
8位可以工作在2.4V至3.6V电源
供应量。数据保存期限保证在电源
电源电压低至1.5V 。该装置是
封装在一个标准的28引脚SOP或TSOP -I
正向和反向型。
框图
VCC
→
VSS
→
A0
→
A14
→
.
.
.
解码器
CORE
ARRAY
型号示例
产品型号
T15V256A-70D
T15V256A-85P
T15V256A-85R
T15V256A-70DI
T15V256A-85PI
T15V256A-85RI
包
CODE
D = SOP
P = TSOP -I （转发）
R = TSOP - I（反转）
D = SOP
P = TSOP -I （转发）
R = TSOP - I（反转）
-40 ~ +85
°C
0 ~ +70
°C
操作
温度
CS
→
OE
→
控制
WE
→
←
I / O1
数据I / O
←
I / O8
.
.
TM科技公司保留权利
P. 1
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：七月2003
修订： B
tm
TE
CH
T15V256A
DC特点绝对最大额定值
参数
电源电压VSS电位
投入到VSS电
功耗
储存温度
等级
-0.5 + 4.6
-0.5到+0.5的Vcc
0.7
-60到+150
单位
V
V
W
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压，低
输入电压，高
环境温度
符号
VCC
民
2.4
-0.3
0.7Vcc
0/-40
典型值
-
-
-
-
最大
3.6
0.6
Vcc+0.3
+75/+85
单位
V
V
V
°C
V
IL
V
IH
T
A
真值表
CS
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
I / O1- I / O8
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
工作特性
（VCC = 2.4V至3.6V ， VSS = 0V ，TA =
0 ~ +70
°C
/ -40 85°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
待机功耗
电源电流
符号。
测试条件
VIN = VSS到Vcc
V
I / O
= VSS至Vcc ，
CS
=
V
IH
or
OE
=
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
ICC
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-
-
1
A
-
-
2.1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
0.4
-
35
30
25
20
0.3
5
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
uA
V
IH
or
WE
=
V
IL
I
OL
= + 2.1毫安
I
OH
= - 1.0毫安
CS
=
V
IL
， I / O = 0毫安
周期=分钟。
占空比= 100 ％
-50
-70
-85
-100
I
SB
I
SB1
CS
=
V
IH
，周期= MIN ，占空比= 100 ％
CS
≥
VCC
-0.2V
TM科技公司保留权利
P. 3
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：七月2003
修订： B
tm
TE
CH
T15V256A
电容
（VCC = 2.4V至3.6V ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
C
IN
C
I / O
注意：
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.6V至0.7Vcc
3纳秒
1.4V
参见图。 1,2
条件
AC测试负载和波形
3.0V
产量
R1 - 1210欧
3.0V
产量
R1 1210欧姆
30pF
INCLUDING
夹具
范围
R2
1380欧
5pF
INCLUDING
夹具
范围
R2
1380
欧姆
（对于T
CLZ
, T
OLZ
, T
CHZ
, T
OHZ
, T
WHZ
, T
OW
)
图1
图2
TM科技公司保留权利
P. 4
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：七月2003
修订： B
tm
TE
CH
T15V256A
AC特性
(
VCC
= 2.4V至3.6V ， VSS = 0V ，TA =
0 ~ +70
°C
/ -40 85°C ）
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
符号。
-50ns
民
最大
-70ns
分钟。马克斯。
-85ns
-100ns
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
AOE
t
CLZ *
t
OLZ *
t
OHZ *
t
OH
50
-
-
-
7
5
-
-
10
-
50
50
25
-
-
20
20
-
70
-
-
-
10
5
-
-
10
-
70
70
35
-
-
25
25
-
85
-
-
-
10
5
-
-
10
-
85
85
40
-
-
30
30
-
100
-
-
-
10
5
-
-
10
-
100
100
50
-
-
30
30
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
芯片取消选择到输出中高Z
t
CHZ *
*这些参数的测量条件为5pF的测试负载。
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出写入结束活动
符号。
-50ns
民
-70ns
-85ns
-100ns
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MAX MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WHZ *
t
OW
50
40
40
0
30
0
25
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
70
60
60
0
50
0
30
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
85
70
70
0
60
0
35
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
100
80
80
0
70
0
40
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
*这些参数的测量条件为5pF的测试负载。
TM科技公司保留权利
P. 5
改变产品或规格，恕不另行通知。
出版日期：七月2003
修订： B
tm
TE
CH
T15V256A
SRAM
特点
高速存取时间：50 /70/ 85/ 100纳秒
电源电流：工作： 35毫安（最大值）
待机： 5UA
电源： 2.7V至3.6V
全静态操作 - 无时钟或刷新
需要
所有输入和输出直接LVTTL兼容
常见的I / O能力
数据保持电压： 1.5V （最小值）
可用的软件包： 28引脚SOP ， TSOP -I
（ 8x13.4mm正激式和反式） 。
工作温度：
-
-
0 ~ +70
°C
-40 ~ +85
°C
32K ×8低功耗
CMOS静态RAM
概述
该T15V256A是一款低功耗，低
电压CMOS静态RAM 。组织为32,768 X
8位可以工作在2.7V至3.6V电源
供应量。数据保存期限保证在电源
电源电压低至1.5V 。该装置是
封装在一个标准的28引脚SOP或TSOP -I
正向和反向型。
框图
VCC-
VSS
→
A0
→
A14
→
CS
→
OE
→
WE
→
←
I / O1
控制
.
.
型号示例
产品型号
T15V256A-70D
T15V256A-85P
T15V256A-85R
包
CODE
D = SOP
P=
TSOP- I（正向）
R=
TSOP -I （反向）
0 ~ +70
°C
.
.
.
解码器
CORE
ARRAY
操作
温度
数据I / O
←
I / O8
T15V256A-70DI
T15V256A-85PI
T15V256A-85RI
D = SOP
P=
TSOP- I（正向）
R=
TSOP -I （反向）
-40 ~ +85
°C
台湾记忆体技术，公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 1
出版日期：九月2001年
修订版：A
tm
TE
CH
T15V256A
DC特点绝对最大额定值
参数
电源电压VSS电位
投入到VSS电
功耗
储存温度
等级
-0.5 + 4.6
-0.5到+0.5的Vcc
0.7
-60到+150
单位
V
V
W
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压，低
输入电压，高
环境温度
符号
VCC
民
2.7
-0.3
2.4
0/-40
典型值
-
-
-
-
最大
3.6
0.6
Vcc+0.3
+75/+85
单位
V
V
V
°C
V
IL
V
IH
T
A
真值表
CS
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
I / O1- I / O8
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
工作特性
（VCC = 2.7V至3.6V ， VSS = 0V ，TA =
0 ~ +70
°C
/ -40 85°C ）
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
待机功耗
电源电流
符号。
测试条件
VIN = VSS到Vcc
V
I / O
= VSS至Vcc ，
OE
=
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
ICC
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-
-
1
A
-
-
2.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
0.4
-
35
30
25
20
0.3
5
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
uA
V
IH
CS
=
V
IH
or
or
WE
=
V
IL
I
OL
= + 2.1毫安
I
OH
= - 1.0毫安
CS
=
V
IL
， I / O = 0毫安
周期=分钟。
占空比= 100 ％
-50
-70
-85
-100
I
SB
I
SB1
CS
=
V
IH
，周期= MIN ，占空比= 100 ％
CS
≥
VCC
-0.2V
台湾记忆体技术，公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 3
出版日期：九月2001年
修订版：A
tm
TE
CH
T15V256A
电容
（VCC = 2.7V至3.6V ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
C
IN
C
I / O
注意：
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.6V至2.4V
3纳秒
1.4V
参见图。 1,2
条件
AC测试负载和波形
3.0V
产量
R1 - 1210欧
3.0V
产量
R1 1210欧姆
30pF
INCLUDING
夹具
范围
R2
1380欧
5pF
INCLUDING
夹具
范围
R2
1380
欧姆
（对于T
CLZ
T
OLZ
T
CHZ
T
OHZ
T
WHZ
T
OW
)
,
,
,
,
,
图1
图2
台湾记忆体技术，公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 4
出版日期：九月2001年
修订版：A
tm
TE
CH
T15V256A
AC特性
(
VCC
= 2.7V至3.6V ， VSS = 0V ，TA =
0 ~ +70
°C
/ -40 85°C ）
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
符号。
-50ns
民
最大
-70ns
分钟。马克斯。
-85ns
-100ns
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
RC
t
A A
t
ACS
t
一个OE
t
CLZ *
t
OLZ *
t
OHZ *
t
OH
50
-
-
-
7
5
-
-
10
-
50
50
25
-
-
20
20
-
70
-
-
-
10
5
-
-
10
-
70
70
35
-
-
25
25
-
85
-
-
-
10
5
-
-
10
-
85
85
40
-
-
30
30
-
100
-
-
-
10
5
-
-
10
-
100
100
50
-
-
30
30
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
芯片取消选择到输出中高Z
t
CHZ *
*这些参数测量5pF的试验载荷。
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出写入结束活动
符号。
-50ns
民
最大
-70ns
-85ns
-100ns
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
W C
t
CW
t
一种W
t
A S
t
W P
t
W R
t
DW
t
DH
t
WHZ *
t
OW
50
40
40
0
30
0
25
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
70
60
60
0
50
0
30
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
85
70
70
0
60
0
35
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
100
80
80
0
70
0
40
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
UNI
T
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数测量5pF的试验载荷。
台湾记忆体技术，公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 5
出版日期：九月2001年
修订版：A
QQ：2881677436 复制
