tm
TE
CH
T15M256B
SRAM
特点
高速存取时间：五十分之四十五/ 70/ 85/ 100纳秒
低电源电流：
- 操作： 37毫安（最大值）
- 待机：为10uA
电源： 5V （ ± 10 ％ ）
全静态操作 - 无时钟或刷新
需要
所有输入和输出直接LVTTL
兼容
常见的I / O能力
数据保持电压： 1.5V （最小值）
可用的软件包：
28引脚DIP （ 600mil ） ， SOJ ， SOP /无铅TSOP -I
（ 8x13.4mm正激式和反式） 。
工作温度：
-
-
0 ~ +70
°C
-40 ~ +85
°C
32K ×8低功耗
CMOS静态RAM
概述
该T15M256B是一款低功耗CMOS静态
内存。组织为32,768 ×8位，经营
在单5伏电源。低运行
和待机电流。数据保留有保证
在电源电压低至1.5V 。这
器件封装在一个标准的28针
DIP （ 600mil ） ， SOJ ， SOP ， TSOP -I向前
相反的类型。
框图
VCC
→
VSS
→
A0
→
A14
→
.
.
.
解码器
CORE
ARRAY
型号示例
产品型号
T15M256B-70N
T15M256B-70J
T15M256B-70D
T15M256B-85P
T15M256B-85R
T15M256B-70DG
T15M256B-70NI
T15M256B-70JI
T15M256B-70DI
T15M256B-85PI
T15M256B-85RI
包
CODE
N = DIP
J = SOJ
D = SOP
P = TSOP -I （转发）
R = TSOP - I（反转）
D = SOP /无铅
N = DIP
J = SOJ
D = SOP
P = TSOP -I （转发）
R = TSOP - I（反转）
-40 ~ +85
°C
0 ~ +70
°C
操作
温度
CS
→
OE
→
控制
WE
→
←
I / O1
数据I / O
←
I / O8
.
.
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 1
出版日期：十月2003
版本：C
tm
TE
CH
T15M256B
AC特性
(
VCC
= 5V /
± 10%
， VSS = 0V ，TA =
0 ~ +70
°C/
-40到85 ℃）
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
符号。
-45ns
-50ns
-70ns
-85ns
-100ns
单位
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
RC
t
AA
t
ACS
t
AOE
t
CLZ *
t
OLZ *
45
-
-
-
7
5
-
-
10
-
45
45
22
-
-
15
15
-
50
-
-
-
7
5
-
-
10
-
50
50
25
-
-
20
20
-
70
-
-
-
10
5
-
-
10
-
70
70
35
-
-
25
25
-
85
-
-
-
10
5
-
-
10
-
85
85
40
-
-
30
30
-
100
-
-
-
10
5
-
-
10
-
100
100
50
-
-
30
30
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
芯片取消选择到输出高
t
CHZ *
Z
输出禁止到输出中高Z
t
OHZ *
从地址变更输出保持
t
OH
*这些参数的测量条件为5pF的测试负载。
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出写入结束活动
符号。
-45ns
-50ns
-70ns
-85ns
-100ns
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WHZ *
t
OW
45
35
35
0
25
0
22
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
15
-
50
40
40
0
30
0
25
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
70
60
60
0
50
0
30
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
85
70
70
0
60
0
35
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
100
80
80
0
70
0
40
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
*这些参数的测量条件为30pF的测试负载。
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 5
出版日期：十月2003
版本：C
tm
TE
CH
T15M256B
SRAM
特点
高速存取时间：50 /70/ 85/ 100纳秒
低电源电流：
- 操作： 35毫安（最大值）
- 待机：为10uA
电源： 5V （ ± 10 ％ ）
全静态操作 - 无时钟或刷新
需要
所有输入和输出直接LVTTL
兼容
常见的I / O能力
数据保持电压： 1.5V （最小值）
可用的软件包：
28引脚DIP （ 600mil ） ， SOJ ， SOP ， TSOP -I
（ 8x13.4mm正激式和反式） 。
工作温度：
-
-
0 ~ +70
°C
-40 ~ +85
°C
32K ×8低功耗
CMOS静态RAM
概述
该T15M256B是一款低功耗CMOS静态
内存。组织为32,768 ×8位，经营
在单5伏电源。低运行
和待机电流。数据保留有保证
在电源电压低至1.5V 。这
器件封装在一个标准的28针
DIP （ 600mil ） ， SOJ ， SOP ， TSOP -I向前
相反的类型。
框图
VCC
→
VSS
→
A0
→
A14
→
.
.
.
解码器
CORE
ARRAY
型号示例
产品型号
T15M256B-70N
T15M256B-70J
T15M256B-70D
T15M256B-85P
T15M256B-85R
T15M256B-70NI
T15M256B-70JI
T15M256B-70DI
T15M256B-85PI
T15M256B-85RI
包
CODE
N = DIP
J = SOJ
D = SOP
P = TSOP -I （转发）
R = TSOP - I（反转）
N = DIP
J = SOJ
D = SOP
P = TSOP -I （转发）
R = TSOP - I（反转）
-40 ~ +85
°C
0 ~ +70
°C
操作
温度
CS
→
OE
→
控制
WE
→
←
I / O1
数据I / O
←
I / O8
.
.
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 1
出版日期：五月。 2002年
修订版：A
tm
TE
CH
T15M256B
AC特性
(
VCC
= 5V /
± 10%
， VSS = 0V ，TA =
0 ~ +70
°C/
-40到85 ℃）
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
符号。
-50ns
民
最大
-70ns
分钟。马克斯。
-85ns
-100ns
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
AOE
t
CLZ *
t
OLZ *
t
OHZ *
t
OH
50
-
-
-
7
5
-
-
10
-
50
50
25
-
-
20
20
-
70
-
-
-
10
5
-
-
10
-
70
70
35
-
-
25
25
-
85
-
-
-
10
5
-
-
10
-
85
85
40
-
-
30
30
-
100
-
-
-
10
5
-
-
10
-
100
100
50
-
-
30
30
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
芯片取消选择到输出中高Z
t
CHZ *
*这些参数的测量条件为5pF的测试负载。
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出写入结束活动
符号。
-50ns
民
-70ns
-85ns
-100ns
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
MAX MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WHZ *
t
OW
50
40
40
0
30
0
25
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
70
60
60
0
50
0
30
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
85
70
70
0
60
0
35
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
100
80
80
0
70
0
40
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
*这些参数的测量条件为30pF的测试负载。
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 5
出版日期：五月。 2002年
修订版：A
QQ：2880707522 复制
