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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第176页 > T15M256A-70P
tm
TE
CH
T15M256A
SRAM
特点
访问时间:为35ns / 70ns的
低功耗:主动为200mW (典型值)。
低工作电流:50mA
单+ 5电源
全静态操作 - 无时钟或刷新
需要
所有输入和输出直接TTL兼容
常见的I / O能力
可用的软件包: 28引脚300密耳SOJ , 28引脚
SOP ,TSOP -I (正向型) 。
输出使能(
OE
)可用于非常快
ACCESS
混合模式输出
32K ×8低功耗
CMOS静态RAM
概述
该T15M256A是一款高速,低功耗
CMOS静态RAM组织为32,768 ×8位
可以工作在单5伏电源。
该器件采用标准的28引脚300密耳
SOJ , 28引脚SOP , TSOP -I前进。
框图
VCC
VSS
A0
A14
CS
OE
控制
WE
I / O1
.
.
.
.
.
解码器
CORE
ARRAY
引脚配置
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
数据I / O
I / O8
引脚说明
符号
A0 - A14
I / O1 - I / O8
CS
SOJ
&放大器;
SOP
23
22
21
20
19
18
17
16
15
WE
OE
VCC
VSS
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
型号示例
T15M256A-35J
T15M256A-70P
T15M256A-70D
SOJ
TSOP -I
SOP
速度
35ns
70ns
70ns
TSOP -I
台湾记忆体技术,公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P. 1
出版日期:四月2001年
版本:C
tm
TE
CH
T15M256A
DC特点绝对最大额定值
参数
电源电压VSS电位
投入到VSS电
功耗
储存温度
等级
-0.5到+ 6
-0.5到+0.5的Vcc
0.5
-60到+150
单位
V
V
W
°
C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压,低
输入电压,高
环境温度
符号
VCC
Typ-5%
-0.3
2.2
0
典型值
5
-
-
-
最大
Typ+5%
0.8
Vcc+0.3
70
单位
V
V
V
°
C
V
IL
V
IH
T
A
真值表
CS
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
I / O1- I / O8
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
VCC
I
SB ,
I
SB1
ICC
ICC
ICC
工作特性
(VCC = 5V
±
5 % , VSS = 0V ,TA = 0 70
°
C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
工作电源
电源电流
待机功耗
电源电流
符号。
测试条件
VIN = VSS到Vcc
V
I / O
= VSS
到Vcc ,
分钟。
-10
-10
-
2.4
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
MAX 。 UNIT
+10
uA
+10
uA
0.4
-
50
50
10
2
V
V
mA
mA
mA
mA
I
LI
I
LO
V
OL
V
OH
ICC
CS
=
V
IH
or
OE
=
V
IH
or
WE
= V
IL
I
OL
= + 8.0毫安
I
OH
= - 4.0毫安
CS =
V
IL
, I / O = 0毫安
周期=分钟。
占空比= 100 %
-35
-70
I
SB
I
SB1
CS =
V
IH
,周期= MIN ,占空比= 100 %
CS
VCC
-0.2V
注意:
典型的特征是在Vcc = 5V , TA = 25
°
C
台湾记忆体技术,公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P. 2
出版日期:四月2001年
版本:C
tm
TE
CH
T15M256A
电容
( VCC = 5V ,TA = 25
°
C,F = 1兆赫)
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
C
IN
C
I / O
注意:
这些参数进行采样,而不是100 %测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
条件
0V至3V
3纳秒
1.5V
C
L
=30pF,
I
OH
/
I
OL
= -4mA / 8毫安
AC测试负载和波形
DQ
Z0 = 50欧
Fig.1
R1 320欧姆
3.3V
产量
30pF
INCLUDING
夹具
范围
Fig.2
3.0V
90%
0V
3ns
Fig.5
10%
10%
3ns
R2
350欧姆
5pF
INCLUDING
夹具
范围
R2
350
欧姆
50 OHM
VT = 1.5V
30 pF的
DQ
Z0 = 50
欧姆
Fig.3
R1 320欧姆
50
欧姆
VT = 1.5V
5 pF的
3.3V
产量
Fig.4
(对于T
CLZ
, T
OLZ
, T
CHZ
, T
OHZ
, T
WHZ
, T
OW
)
90%
台湾记忆体技术,公司保留权利
改变产品或规格,恕不另行通知。
P. 3
出版日期:四月2001年
版本:C
tm
TE
CH
T15M256A
AC特性
(
VCC
=5V
±
5 % , VSS = 0V ,TA = 0 70
°
C)
( 1 )读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出中高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
符号。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
AOE
t
CLZ *
t
OLZ
t
CHZ *
t
OHZ
t
OH
T15M256A-35
分钟。马克斯。
35
-
-
-
-
3
0
-
-
3
35
35
25
-
-
25
25
-
T15M256A-70
分钟。
马克斯。
70
-
-
-
-
3
0
-
-
3
70
70
35
-
-
35
35
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数进行采样,而不是100 %测试。
( 2 )写周期
参数
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出写入结束活动
符号。
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WHZ
t
OHZ
t
OW
T15M256A-35
分钟。
马克斯。
35
-
30
30
0
25
0
20
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
10
10
-
T15M256A-70
分钟。
马克斯。
70
-
60
60
0
50
0
30
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
25
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数进行采样,而不是100 %测试。
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P. 4
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版本:C
tm
(地址
TE
CH
T15M256A
时序波形
读周期1
控制)
TR
一个DDRE SS
t
到h
AA
吨OH
DO UT
读周期2
(片选
CS
TA (C S)
t
CLZ
的tC ^ h
控制)
DO UT
读周期3
(输出使能控制)
吨RC
DD的重新SS
t
AA
ê
t
一个OE
t
OH
吨OL
CS
t
ACS
t
OH
吨CLZ
的tC ^ h
D 2 O UT
DON 'T车e
联合国DEF教署
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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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