tm
TE
CH
T15M1024A
SRAM
特点
低功耗
- 活动： 40毫安在55ns
- 待机（ CMOS输入/输出）
0 ~ +70
°C
= 15uA
-40 ~ +85
°C
=的20uA
55/70/100 ns访问时间
平等机会和循环时间
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源
TTL兼容，三态输出
常见的I / O能力
取消时自动断电
可提供32引脚SOP ， TSOP -I （ 8x20mm ）
TSOP- Ⅰ（ 8x13.4mm ）和DIP （600密耳）的包。
128K ×8低功耗
CMOS静态RAM
概述
该T15M1024A是一个非常低功耗CMOS
静态RAM由8位， 131,072字。
可以工作在宽电压范围为+ 5V
（ ±10％）的电源，使用高装配
性能
CMOS
技术，
输入
和
三态输出为TTL兼容，并允许
对于直接连接常见的系统总线
结构。数据保存期限保证在电源
电源电压低至1.5V 。
框图
型号示例
产品型号
T15M1024A-55D
T15M1024A-70H
T15M1024A-100P
T15M1024A-100N
T15M1024A-55DI
T15M1024A-70HI
T15M1024A-100PI
T15M1024A-100NI
包
CODE
D = SOP
H=TSOP-I(8x20)
P=TSOP-I(8x13.4)
N = DIP （ 600密耳）
D = SOP
H=TSOP-I(8x20)
P=TSOP-I(8x13.4)
N = DIP （ 600密耳）
操作
温度
0 ~ +70
°C
VCC
VSS
A0
.
.
.
A16
WE
OE
CE1
CE2
解码器
CORE
ARRAY
-40 ~ +85
°C
控制
电路
数据I / O
I/O1
..
I/O8
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 1
出版日期：二月2002年
修订版：A
tm
TE
CH
T15M1024A
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于GND电压
功耗
储存温度
在偏置温度
符号
V
R
P
D
T
英镑
I
BIAS
分钟。
-0.5
-
-55
0/-40
马克斯。
+7 V
0.7
+150
+70/+85
单位
V
W
°C
°C
*注：应力大于上述绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值和设备的功能操作在这些或任何其他
外面那些本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
CE2
WE
OE
CE 1
H
X
X
X
X
L
X
X
L
H
H
L
L
H
H
H
L
H
L
X
*注： X =无关，L =低，H =高
数据
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
DATA IN
模式
待机
待机
主动，阅读
主动，输出禁止
Acitve ，写
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 3
出版日期：二月2002年
修订版：A
tm
TE
CH
T15M1024A
推荐工作条件
（大= 0 + 70
°C
/
-40 ° C至85°C ** ）
参数
电源电压
输入电压
符号
VCC
GND
民
4.5
0.0
0.6Vcc
-0.3
最大
5.5
0.0
Vcc+0.3
0.4
单位
V
V
V
V
V
IH
V
IL
电容
（ F = 1MHz时， TA = 25 ° C， ）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
条件
V
IN
= 0V
V
IN
=
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
C
IN
C
I / O
注意：
这个参数是由设备特性保证，而不是生产测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
条件
0.4V至0.6Vcc
5.0纳秒
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL负荷（ 55ns / 70ns的）
C
L
= 100pF电容+ 1TTL负载（负载为100纳秒）
AC测试负载和波形
TTL
DQ
R
L
50 OHM
C
L
*
Z
0
= 50欧姆
VT = 1.5V
C
L
30 pF的
图A *包括范围和夹具电容
图B输出负载等效
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 5
出版日期：二月2002年
修订版：A
tm
TE
CH
T15M1024A
SRAM
特点
低功耗
- 活动： 42毫安在为45nS
- 待机（ CMOS输入/输出）
0 ~ +70
°C
= 15uA
-40 ~ +85
°C
=的20uA
45/55/70/100 ns访问时间
平等机会和循环时间
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源
TTL兼容，三态输出
常见的I / O能力
取消时自动断电
可提供32引脚SOP ， TSOP -I （ 8x20mm ）
TSOP- Ⅰ（ 8x13.4mm ）和DIP （600密耳）的包。
128K ×8低功耗
CMOS静态RAM
概述
该T15M1024A是一个非常低功耗CMOS
静态RAM由8位， 131,072字。
可以工作在宽电压范围为+ 5V
（ ±10％）的电源，使用高装配
性能
CMOS
技术，
输入
和
三态输出为TTL兼容，并允许
对于直接连接常见的系统总线
结构。数据保存期限保证在电源
电源电压低至1.5V 。
框图
型号示例
产品型号
T15M1024A-55D
T15M1024A-70H
T15M1024A-100P
T15M1024A-100N
T15M1024A-55DI
T15M1024A-70HI
T15M1024A-100PI
T15M1024A-100NI
包
CODE
D = SOP
H=TSOP-I(8x20)
P=TSOP-I(8x13.4)
N = DIP （ 600密耳）
D = SOP
H=TSOP-I(8x20)
P=TSOP-I(8x13.4)
N = DIP （ 600密耳）
操作
温度
0 ~ +70
°C
VCC
VSS
A0
.
.
.
A16
WE
OE
CE1
CE2
解码器
CORE
ARRAY
-40 ~ +85
°C
控制
电路
数据I / O
I/O1
..
I/O8
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 1
出版日期：十月2004年
版本：C
tm
TE
CH
T15M1024A
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于GND电压
功耗
储存温度
在偏置温度
符号
V
R
P
D
T
英镑
I
BIAS
分钟。
-0.5
-
-55
0/-40
马克斯。
+7 V
0.7
+150
+70/+85
单位
V
W
°C
°C
*注：应力大于上述绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值和设备的功能操作在这些或任何其他
外面那些本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
真值表
CE2
WE
OE
CE 1
H
X
X
X
X
L
X
X
L
H
H
L
L
H
H
H
L
H
L
X
*注： X =无关，L =低，H =高
数据
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
DATA IN
模式
待机
待机
主动，阅读
主动，输出禁止
Acitve ，写
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 3
出版日期：十月2004年
版本：C
tm
TE
CH
T15M1024A
推荐工作条件
（大= 0 + 70
°C
/
-40 ° C至85°C ** ）
参数
电源电压
输入电压
符号
VCC
GND
民
4.5
0.0
2.2
-0.3
最大
5.5
0.0
Vcc+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
V
IH
V
IL
电容
（ F = 1MHz时， TA = 25 ° C， ）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
条件
V
IN
= 0V
V
IN
=
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
C
IN
C
I / O
注意：
这个参数是由设备特性保证，而不是生产测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
条件
0.6V至2.2V
5.0纳秒
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL负荷（为45nS / 55ns / 70ns的）
C
L
= 100pF电容+ 1TTL负载（负载为100纳秒）
AC测试负载和波形
TTL
DQ
R
L
50 OHM
C
L
*
Z
0
= 50欧姆
VT = 1.5V
C
L
30 pF的
图A *包括范围和夹具电容
图B输出负载等效
TM科技公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 5
出版日期：十月2004年
版本：C
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