tm
TE
CH
T14M256A
SRAM
特点
高速存取时间： 7/8 /10/ 12 / 15ns的（最大）
低功耗：活动300毫瓦（典型值）。
单+ 5电源
全静态操作 - 无时钟或刷新
需要
所有输入和输出直接TTL兼容
常见的I / O能力
可用的软件包： 28引脚300密耳SOJ和
TSOP -I （正向型） 。
输出使能（
OE
）可用于非常快
ACCESS
混合模式输出
32K ×8 HIGH SPEED
CMOS静态RAM
概述
该T14M256A是一款高速，低功耗
CMOS静态RAM组织为32,768 ×8位
可以工作在单5伏电源。
这个装置被封装在一个标准的28引脚300
万SOJ或TSOP -I转发。
框图
VCC
→
V
SS
→
A0
.
.
.
A 14
CS
OE
WE
控制
数据I / O
I / O 1
.
.
.
I / O 8
解码器
CORE
ARRAY
引脚配置
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
SOJ
23
22
21
20
19
18
17
16
15
引脚说明
符号
A0 - A14
I / O1 - I / O8
CS
WE
OE
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
VCC
VSS
描述
地址输入
数据输入/输出
片选输入
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
型号示例
T14M256A-8J
T14M256A-8P
包
SOJ
TSOP -I
速度
8ns
8ns
TSOP -I
台湾记忆体技术，公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 1
出版日期：九月2001年
修订：
tm
TE
CH
T14M256A
DC特点绝对最大额定值
参数
电源电压Vss的POTE微分方程边值问题
投入到VSS电
功耗
储存温度
等级
-0.5到+ 6
-0.5到+0.5的Vcc
1.0
-60到+150
单位
V
V
W
°
C
推荐工作条件
参数
符号
民
典型值
最大
单位
电源电压
VCC
Typ-5%
5
Typ+5%
V
V
IL
输入电压，低
-0.3
-
0.8
V
V
IH
输入电压，高
2.2
-
Vcc+0.3
V
T
A
°
C
环境温度
0
-
70
注意：
V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度
≤
20ns,
V
IH
（最大） = + 7.0V脉冲宽度
≤
20ns.
真值表
CS
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
I / O1- I / O8
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
VCC
I
SB ，
I
S B1
ICC
ICC
ICC
工作特性
（VCC = 5V
±
5 ％ ， VSS = 0V ，TA = 0 70
°
C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
符号。
I
LI
I
LO
测试条件
VIN = VSS到Vcc
V
I / O
= VSS
到Vcc ，
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-10
-
+10
uA
-10
-
+10
uA
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.4
-
125
120
110
100
90
15
2
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
CS
=
V
IH
V
OL
V
OH
or
OE
=
V
IH
or
WE
= V
IL
I
OL
= + 8.0毫安
I
OH
= - 4.0毫安
CS =
V
IL
， I / O = 0毫安
周期=分钟。
占空比= 100 ％
-7
-8
-10
-12
-15
工作电源
电源电流
ICC
待机功耗
电源电流
I
S B
I
S B1
CS
=
V
IH
，周期= MIN ，占空比= 100 ％
CS
≥
VCC
-0.2V
注意：
典型的特征是在Vcc = 5V ， TA = 25
°
C
台湾记忆体技术，公司保留权利
改变产品或规格，恕不另行通知。
P. 2
出版日期：九月2001年
修订：
tm
TE
CH
T14M256A
AC特性
(
VCC
=5V
±
5 ％ ， VSS = 0V ，TA = 0 70
°
C)
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
芯片选择到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消选择到输出中高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
符号。
-7
分钟。马克斯。
-8
分钟。马克斯。
-10
-12
-15
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
RC
t
AA
t
ACS
t
AOE
t
CLZ *
t
OLZ
t
CHZ *
t
OHZ
t
OH
7
-
-
-
2
0
-
-
2
-
7
7
3.5
-
-
3.5
3.5
-
8
-
-
-
3
0
-
-
2.5
-
8
8
5
-
-
4
4
-
10
-
-
-
3
0
-
-
3
-
10
10
6
-
-
5
5
-
12
-
-
-
3
0
-
-
3
-
12
12
7
-
-
6
6
-
15
-
-
-
3
0
0
0
3
-
15
15
7
-
-
7
7
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到写结束
从写结束数据保持
写在高Z输出
输出禁止到输出中高Z
输出写入结束活动
符号。
-7
分钟。马克斯。
-8
-10
-12
-15
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WHZ
t
OHZ
t
OW
7
5
5
0
5
0
3.5
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
3
3.5
-
8
6
6
0
6
0
5
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
4
4
-
10
8
8
0
8
0
6
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
5
5
-
12
10
10
0
10
0
8
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
6
6
-
15
11
11
0
11
0
8
0
-
-
0
-
-
-
-
-
-
-
-
6
7
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
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