【T1235H12A双向可控硅SA2无缓冲器高温表1 ：主要特点符号IT（ RMS ）VDRM/VRR】,IC型号T1235H-600GRG,T1235H-600GRG PDF资料,T1235H-600GRG经销商,ic,电子元器件-51电子网

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T1235H

12A双向可控硅

S

A2

无缓冲器高温

表1 ：主要特点

符号

I

T（ RMS ）

V

DRM

/V

RRM

I

GT （Q

1

)

价值

12

600

35

单位

A

V

mA

A2

G

A1

A2

描述

专为在高温下使用

环境（在炎热的电器，如发现

电饭煲，烤箱，灶台，电加热器，咖啡马

。中国...... ），新12安培

T1235H

三端双向可控硅提供

中的功率损耗方面的性能增强

和热耗散。这允许optimiza-

化的散热尺寸，导致

空间和成本effectivness时相比

电子生物力学的解决方案。

基于ST无缓冲器的技术，他们提供

高换向开关功能和高

抗噪声水平。而且，由于他们的AS-夹

sembly技术，它们提供了优越的per-

formance浪涌电流处理。

表3 ：绝对最大额定值

符号

I

T（ RMS ）

I

TSM

I

t

的di / dt

参数

通态电流（全正弦波）的RMS

A1 A2

G

A1

A2

G

D

2

PAK

(T1235H-600G)

TO-220AB

(T1235H-600T)

表2 ：订购代码

产品型号

T1235H-600G

T1235H-600G-TR

T1235H-600TRG

记号

T1235H600G

T1235H600G

T1235H600T

价值

T

c

= 135°C

t为20毫秒

T = 16.7毫秒

12

140

145

112

T

j

= 150°C

T

j

= 25°C

T

j

= 150°C

T

j

= 150°C

50

700

4

1

- 40 + 150

- 40 + 150

单位

A

A

A

s

A / μs的

V

A

W

°C

不重复浪涌峰值通态F = 50赫兹

电流（完整周期，T

j

初始= 25 ° C） F = 60 Hz的

I

为融合吨价

对国家崛起的临界速度

电流I

G

= 2×我

GT

, t

r

≤

100纳秒

t

p

= 10毫秒

F = 120赫兹

V

帝斯曼

/V

RSM

非重复浪涌峰值断态吨

p

= 10毫秒

电压

I

GM

P

G（ AV ）

T

英镑

T

j

2006年2月

栅极峰值电流

平均门功耗

t

p

= 20 s

存储结温范围

工作结温范围

启示录6

1/8

T1235H

表4 ：电气特性

(T

j

= 25 ° C，除非另有规定编）

符号

I

GT

(1)

V

GT

V

GD

I

H

(2)

I

L

的dV / dt （2）

测试条件

V

D

= 12 V R

L

= 33

V

D

= V

DRM

R

L

= 3.3 k

I

T

= 100毫安

I

G

= 1.2 I

GT

V

D

= 67 %V

DRM

门打开

T

j

= 150°C

I - III

II

T

j

= 150°C

象限

I - II - III

I - II - III

I - II - III

马克斯。

马克斯。

分钟。

马克斯。

马克斯。

分钟。

分钟。

价值

35

1.3

0.15

35

50

80

300

5.3

单位

mA

V

V

mA

mA

V / μs的

A / MS

（ di / dt的）C （ 2 ）无缓冲

T

j

= 150°C

表5 ：静态特性

符号

V

T

(2)

V

to

(2)

R

d

(2)

I

DRM

I

RRM

I

TM

= 17 A

测试条件

t

p

= 380 s

T

j

= 25°C

T

j

= 150°C

T

j

= 150°C

T

j

= 25°C

T

j

= 150°C

T

j

= 150°C

马克斯。

马克斯。

马克斯。

马克斯。

价值

1.55

0.80

25

5

5.5

mA

3.5

单位

V

V

m

A

阈值电压

动态电阻

V

DRM

= V

RRM

V

DRM

/V

RRM

= 400V

（在电源的峰值电压）

注1 ：

我最小

GT

被guaranted于I 10％

GT

马克斯。

注2 ：

为A2的两极参考A1 。

表6 ：热阻

符号

R

日（J -C ）

结到外壳（ AC）

结到环境

S = 1厘米

参数

D

2

PAK

TO-220AB

D

2

PAK

TO-220AB

45

60

° C / W

价值

1.2

单位

° C / W

R

号（j -a）的

选项卡下的S =铜表面。

2/8

T1235H

图1 ：最大功耗与

RMS通态电流（全周期）

P（ W）的

14

12

10

8

6

4

2

14

12

10

8

6

4

2

图2 ： RMS通态电流对案件

温度（全周期）

I

T（ RMS ）

(A)

I

T（ RMS ）

(A)

0

0

2

4

6

8

10

12

0

0

25

50

T

C

(°C)

75

100

125

150

图3 ： RMS通态电流与环境

温度（印刷电路板FR4，铜

厚度为35μm ）（全循环）

I

T（ RMS ）

(A)

5

D

2

PAK

(S=1cm

2

)

图4 ：热的相对变化

阻抗与脉冲持续时间

K = [Z

th

/R

th

]

1.00

Z

日（J -C ）

4

3

0.10

2

Z

号（j -a）的

1

T

C

(°C)

0

0

25

50

75

100

125

150

t

p

(s)

0.01

1E-3

1E-2

1E-1

1E+0

1E+1

1E+2

5E+2

图5 ：通态特性（最大

值）

I

TM

(A)

200

100

T

j

马克斯。

V

to

= 0.85V

R

d

= 50 m

T

j

= T

j

马克斯。

图6 ：通态电流与浪涌峰值

周期数

I

TSM

(A)

150

125

t=20ms

100

不重复

T

j

initial=25°C

T

j

= 25°C.

一个周期

75

50

25

重复

T

C

=135°C

10

V

TM

(V)

1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

周期数

0

1

10

100

1000

3/8

T1235H

图7 ：通态不重复浪涌峰值

电流的正弦脉冲宽度t

p

＆ LT ; 10毫秒

和我对应的值

2

t

I

TSM

（A ），我T（A S）

2000

T

j

initial=25°C

di / dt的限制：

50A/s

2

2

图8 ：门极触发的相对变化

当前，保持电流和电流闭锁

对结点温度（典型值）的

I

GT

,I

H

,I

L

[T

j

] / I

GT

,I

H

,I

L

[T

j

=25°C]

2.5

2.0

I

GT

1000

1.5

I

H

＆放大器;我

L

1.0

I

TSM

0.5

t

p

（女士）

100

0.01

0.10

1.00

It

2

T

j

(°C)

0.0

10.00

-40

-20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

图9：爆击率的相对变化

下降主要与当前（的dV / dt ）的c

（典型值）

（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C

6.0

5.0

图10：爆击率的相对变化

减少主电流与结

温度

（ di / dt的）C [T

j

] / （ di / dt的）C [T

j

= 150°C]

8

7

6

4.0

3.0

2.0

1.0

5

4

3

2

（的dV / dt ）C （V / μs）内

0.0

0.1

1.0

10.0

100.0

1

0

25

50

75

T

j

(°C)

100

125

150

图11 ：漏电流与结

温度为阻断的不同值

电压（典型值）

I

DRM

/ I

RRM

（MA ）

1E+1

图12 ：可接受重复峰值断态

电压与案例环境的热阻

V

DRM

/ V

RRM

(V)

700

600

T

j

= 150°C

R

日（J -C ）

= 1.2 ° C / W

1E+0

V

D

= V

R

= 600V

V

D

= V

R

= 400V

500

400

300

200

100

0

1E-1

V

D

= V

R

= 200V

1E-2

T

j

(°C)

1E-3

50

75

100

125

150

R

TH（ C-A ）

（ ° C / W）

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

4/8

T1235H

图13 ：D

2

PAK热阻结到

环境与选项卡下的铜表面（印

电路板FR4 ，铜厚度： 35微米）

R

号（j -a）的

（ ° C / W）

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

4

8

12

16

20

24

28

32

36

40

D

2

PAK

S（平方厘米）

图14 ：订购信息计划

牛逼12 35 H - 600克（ -TR ）

三端双向可控硅系列

当前

12 = 12A

灵敏度

35 = 35毫安

温度

H = HIGH

电压

600 = 600V

包

G =

2

PAK

T = TO- 220AB

包装方式

布兰克= D

2

乐在管

RG = TO- 220AB在管

-TR =带卷&

表7 ：产品选择

产品编号

T1235H-600G

T1235H-600T

电压

600 V

600 V

灵敏度

35毫安

35毫安

TYPE

无缓冲器

无缓冲器

包

D

2

PAK

TO-220AB

5/8

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ST

21+

10000

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