T1020-600W
T1030-600W
无缓冲器TRIAC
特点
s
s
s
s
s
I
真有效值
= 10 A
V
DRM
= V
RRM
= 600V
出色的开关表演
绝缘电压= 1500V
（ RMS）
U.L.确认： E81734
A
2
A
1
G
描述
该T1020-600W和1030-600W三端双向可控硅使用高
高性能玻璃钝化芯片技术，
装在一个完全成型的塑料ISOWATT220AB
封装。
在无缓冲器
TM
概念提供suppres-
锡永的R-C网络，并适合应用
系统蒸发散如相位控制和静态开关
感性和阻性负载。
绝对额定值
（限制值）
符号
I
T（ RMS ）
I
TSM
RMS通态电流
（ 360°导通角）
不重复浪涌峰值通态电流
(T
j
初始= 25 ° C）
参数
G
A1
A2
ISOWATT220AB
（塑胶）
价值
TC = 90℃
TP = 16.7毫秒
（ 1个循环， 60赫兹）
TP = 10毫秒
（1/2周期， 50赫兹）
10
110
125
78
20
100
- 40 + 150
- 40至+ 125
单位
A
A
I
2
t
的di / dt
I
2
吨值（半循环， 50赫兹）
通态电流临界上升率
门源：我
G
= 500马迪
G
/ DT = 1 A / μs的。
TP = 10毫秒
重复
F = 50赫兹
不重复
A
2
s
A / μs的
T
英镑
T
j
存储温度范围
工作结温范围
°C
符号
V
DRM
V
RRM
参数
重复峰值断态电压
T
j
= 125°C
价值
600
单位
V
2001年9月 - 埃德： 1A
1/5
T1020-600W / 1030-600W
热阻
符号
Rth的第（j-一）
RTH （J -C ）
结到环境
结到外壳的A.C （ 360 °导通角）
参数
价值
50
3.0
单位
° C / W
° C / W
GATE特性
（最大值）
P
G（ AV ）
= 100毫瓦P
GM
= 2 W （ TP = 20
s)
电气特性
符号
I
GT
V
GT
V
GD
TGT
I
H
*
V
TM
*
I
DRM
I
RRM
的dV / dt *
（的dV / dt ） C *
测试条件
V
D
= 12V （DC ）R
L
=33
V
D
= 12V （DC ）R
L
=33
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
I
G
=500mA
V
D
=V
DRM
dl
G
/ DT = 3Aμs
I
T
= 100毫安
门打开
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
线性斜率高达
门打开
V
D
=67%V
DRM
（ di / dt的）C = 5.3 A / MS（见注）
TJ = 125°C
TJ = 125°C
象限
I-II-III
I-II-III
I-II-III
I-II-III
最大
最大
民
典型值
最大
最大
最大
最大
民
民
200
10
35
1.5
10
2
300
20
T1020
20
1.5
0.2
2
50
V
A
mA
V / μs的
V / μs的
T1030
30
单位
mA
V
V
s
I
GM
= 1 A（ TP = 20
s)
I
TM
= 14A TP = 380μs
V
DRM
评级
V
RRM
评级
*对于任一极性的电极A2的电压的参考电极A1中。
注意：
在通常的应用中（的dI / dt的） c是低于5.3的A / ms，则（的dV / dt ） C是始终大于10V / μs的下部，并且，因此，它是
不必要
要使用
一个snuber RC网络翻过T1020W / T1030W三端双向可控硅。
2/5
T1020-600W / 1030-600W
图1 ：
最大功耗与RMS
通态电流。
图2 ：
最大功率耗散之间的关系
而不能使与最高允许温度
（环境温度Tamb和温度上限）为不同的热阻
散热器+联系。
P（ W）的
180
O
P（ W）的
14
12
= 120
= 180
o
o
温度上限（
o
C)
RTH = 0
o
C / W
o
2.5 C / W
o
5℃ / W
7
o
C / W
14
12
10
8
-85
10
= 90
-95
o
8
6
= 30
= 60
o
o
-105
6
4
-115
TAMB （ C）
o
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
I
T（ RMS ）
(A)
8
9
10
2
0
0
-125
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
图3 ：
通态电流有效值与案例temper-
ATURE 。
图4 ：
瞬态热阻抗交界处
表壳和结点到环境与脉冲持续时间
化。
第Z / Rth的
1
第Z （J -C ）
I
T（ RMS ）
(A)
12
10
8
6
4
2
0
= 180
o
0.1
第i （J -a）的
0.01
TCASE （ C）
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130
o
TP （多个）
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
图5 ：
门极触发电流的相对变化
和保持电流与结温。
IGT [ TJ ]
o
IGT [ TJ = 25℃ ]
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40
-20
IGT
图6 ：
不重复浪涌峰值通态电流
对周期数。
ITSM （ A）
120
IH [ TJ ]
Ih[Tj=25
o
C]
TJ初始= 25℃
100
o
80
60
Ih
40
20
TJ （
o
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1
周期数
10
100
1000
3/5
T1020-600W / 1030-600W
包装机械数据
ISOWATT220AB
尺寸
REF 。
A
B
D
E
F
F1
F2
G
G1
H
L2
L3
L4
L6
L7
直径
MILLIMETERS
分钟。
4.40
2.50
2.50
0.40
0.75
1.15
1.15
4.95
2.40
10.00
28.60
9.80
15.90
9.00
3.00
马克斯。
4.60
2.70
2.75
0.70
1.00
1.70
1.70
5.20
2.70
10.40
30.60
10.60
16.40
9.30
3.20
英寸
分钟。
0.173
0.098
0.098
0.016
0.030
0.045
0.045
0.195
0.094
0.394
1.125
0.386
0.626
0.354
0.118
马克斯。
0.181
0.106
0.108
0.028
0.039
0.067
0.067
0.205
0.106
0.409
1.205
0.417
0.646
0.366
0.126
16.00典型。
0.630典型。
s
s
s
s
s
冷却方式：C
标记：型号数量
重量： 2.1克
推荐的扭矩值： 0.55 M.N.
最大扭矩值： 0.70 M.N.
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
暗示或其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格如有
更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
未经明确的书面AP-意法半导体的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
认证时意法半导体。
ST的标志是意法半导体公司的注册商标。
2001意法半导体 - 印刷意大利 - 保留所有权利。
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚
马耳他 - 摩洛哥 - 新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
http://www.st.com
5/5
T1020-600W
T1030-600W
无缓冲器TRIAC
特点
s
s
s
s
s
I
真有效值
= 10 A
V
DRM
= V
RRM
= 600V
出色的开关表演
绝缘电压= 1500V
（ RMS）
U.L.确认： E81734
A
2
A
1
G
描述
该T1020-600W和1030-600W三端双向可控硅使用高
高性能玻璃钝化芯片技术，
装在一个完全成型的塑料ISOWATT220AB
封装。
在无缓冲器
TM
概念提供suppres-
锡永的R-C网络，并适合应用
系统蒸发散如相位控制和静态开关
感性和阻性负载。
绝对额定值
（限制值）
符号
I
T（ RMS ）
I
TSM
RMS通态电流
（ 360°导通角）
不重复浪涌峰值通态电流
(T
j
初始= 25 ° C）
参数
G
A1
A2
ISOWATT220AB
（塑胶）
价值
TC = 90℃
TP = 16.7毫秒
（ 1个循环， 60赫兹）
TP = 10毫秒
（1/2周期， 50赫兹）
10
110
125
78
20
100
- 40 + 150
- 40至+ 125
单位
A
A
I
2
t
的di / dt
I
2
吨值（半循环， 50赫兹）
通态电流临界上升率
门源：我
G
= 500马迪
G
/ DT = 1 A / μs的。
TP = 10毫秒
重复
F = 50赫兹
不重复
A
2
s
A / μs的
T
英镑
T
j
存储温度范围
工作结温范围
°C
符号
V
DRM
V
RRM
参数
重复峰值断态电压
T
j
= 125°C
价值
600
单位
V
2001年9月 - 埃德： 1A
1/5
T1020-600W / 1030-600W
热阻
符号
Rth的第（j-一）
RTH （J -C ）
结到环境
结到外壳的A.C （ 360 °导通角）
参数
价值
50
3.0
单位
° C / W
° C / W
GATE特性
（最大值）
P
G（ AV ）
= 100毫瓦P
GM
= 2 W （ TP = 20
s)
电气特性
符号
I
GT
V
GT
V
GD
TGT
I
H
*
V
TM
*
I
DRM
I
RRM
的dV / dt *
（的dV / dt ） C *
测试条件
V
D
= 12V （DC ）R
L
=33
V
D
= 12V （DC ）R
L
=33
V
D
=V
DRM
R
L
=3.3k
I
G
=500mA
V
D
=V
DRM
dl
G
/ DT = 3Aμs
I
T
= 100毫安
门打开
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
线性斜率高达
门打开
V
D
=67%V
DRM
（ di / dt的）C = 5.3 A / MS（见注）
TJ = 125°C
TJ = 125°C
象限
I-II-III
I-II-III
I-II-III
I-II-III
最大
最大
民
典型值
最大
最大
最大
最大
民
民
200
10
35
1.5
10
2
300
20
T1020
20
1.5
0.2
2
50
V
A
mA
V / μs的
V / μs的
T1030
30
单位
mA
V
V
s
I
GM
= 1 A（ TP = 20
s)
I
TM
= 14A TP = 380μs
V
DRM
评级
V
RRM
评级
*对于任一极性的电极A2的电压的参考电极A1中。
注意：
在通常的应用中（的dI / dt的） c是低于5.3的A / ms，则（的dV / dt ） C是始终大于10V / μs的下部，并且，因此，它是
不必要
要使用
一个snuber RC网络翻过T1020W / T1030W三端双向可控硅。
2/5
T1020-600W / 1030-600W
图1 ：
最大功耗与RMS
通态电流。
图2 ：
最大功率耗散之间的关系
而不能使与最高允许温度
（环境温度Tamb和温度上限）为不同的热阻
散热器+联系。
P（ W）的
180
O
P（ W）的
14
12
= 120
= 180
o
o
温度上限（
o
C)
RTH = 0
o
C / W
o
2.5 C / W
o
5℃ / W
7
o
C / W
14
12
10
8
-85
10
= 90
-95
o
8
6
= 30
= 60
o
o
-105
6
4
-115
TAMB （ C）
o
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
I
T（ RMS ）
(A)
8
9
10
2
0
0
-125
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
图3 ：
通态电流有效值与案例temper-
ATURE 。
图4 ：
瞬态热阻抗交界处
表壳和结点到环境与脉冲持续时间
化。
第Z / Rth的
1
第Z （J -C ）
I
T（ RMS ）
(A)
12
10
8
6
4
2
0
= 180
o
0.1
第i （J -a）的
0.01
TCASE （ C）
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130
o
TP （多个）
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
图5 ：
门极触发电流的相对变化
和保持电流与结温。
IGT [ TJ ]
o
IGT [ TJ = 25℃ ]
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-40
-20
IGT
图6 ：
不重复浪涌峰值通态电流
对周期数。
ITSM （ A）
120
IH [ TJ ]
Ih[Tj=25
o
C]
TJ初始= 25℃
100
o
80
60
Ih
40
20
TJ （
o
C)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
1
周期数
10
100
1000
3/5
T1020-600W / 1030-600W
包装机械数据
ISOWATT220AB
尺寸
REF 。
A
B
D
E
F
F1
F2
G
G1
H
L2
L3
L4
L6
L7
直径
MILLIMETERS
分钟。
4.40
2.50
2.50
0.40
0.75
1.15
1.15
4.95
2.40
10.00
28.60
9.80
15.90
9.00
3.00
马克斯。
4.60
2.70
2.75
0.70
1.00
1.70
1.70
5.20
2.70
10.40
30.60
10.60
16.40
9.30
3.20
英寸
分钟。
0.173
0.098
0.098
0.016
0.030
0.045
0.045
0.195
0.094
0.394
1.125
0.386
0.626
0.354
0.118
马克斯。
0.181
0.106
0.108
0.028
0.039
0.067
0.067
0.205
0.106
0.409
1.205
0.417
0.646
0.366
0.126
16.00典型。
0.630典型。
s
s
s
s
s
冷却方式：C
标记：型号数量
重量： 2.1克
推荐的扭矩值： 0.55 M.N.
最大扭矩值： 0.70 M.N.
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯专利或可能导致其使用其它第三方权利。没有获发牌照以
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认证时意法半导体。
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